Author: F.Xavier Mateu Pérez
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Languages : fr
Pages : 12
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Contribution a l'étude du bruit de fond des transistors plans au silicium
Author: F.Xavier Mateu Pérez
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Languages : fr
Pages : 12
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Languages : fr
Pages : 12
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Contribution à l'étude du bruit de fond en 1/f des transistors au silicium
Author: Jean-Marie Ribeyrol
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Languages : fr
Pages : 96
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Languages : fr
Pages : 96
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Contribution à l'étude du bruit de fond des transistors à jonctions et notamment des bruits “en 1
Author: J. M. Blasquez
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Languages : fr
Pages : 302
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Languages : fr
Pages : 302
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Scientific and Technical Aerospace Reports
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Category : Aeronautics
Languages : en
Pages : 696
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Category : Aeronautics
Languages : en
Pages : 696
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Contribution à l'étude du bruit de fond des transistors à jonctions et notamment des bruits "en 1
Author: Gabriel Blasquez
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Languages : fr
Pages : 302
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Languages : fr
Pages : 302
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Contribution à l'étude de l'analyse spectrale du bruit de fond des transistors aux très hautes fréquences
Author: Alain de Cacqueray
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Languages : fr
Pages : 145
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Languages : fr
Pages : 145
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Contribution à l'étude du bruit de fond basse fréquence des transistors à effet de champ à grille isolée
Author: José Dépis
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Languages : fr
Pages : 314
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Languages : fr
Pages : 314
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Contribution à l'étude du bruit de fond des transistors bipolaires
Author: Gilbert Le Gac (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 177
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ETUDE DU BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS BIPOLAIRES COMPORTANT 4 PARTIES: ETUDE THEORIQUE DE LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE LA DEFOCALISATION DES LIGNES DE COURANT EMETTEUR, PRISE EN COMPTE DES ZONES PASSIVES ET DES ELEMENTS PARASITES, DESCRIPTION DES TECHNIQUES D'IDENTIFICATION DES PARAMETRES DU MODELE ET DES METHODES DE MESURE DU FACTEUR DE BRUIT, CONFRONTATION DES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX.
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Languages : fr
Pages : 177
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ETUDE DU BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS BIPOLAIRES COMPORTANT 4 PARTIES: ETUDE THEORIQUE DE LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE LA DEFOCALISATION DES LIGNES DE COURANT EMETTEUR, PRISE EN COMPTE DES ZONES PASSIVES ET DES ELEMENTS PARASITES, DESCRIPTION DES TECHNIQUES D'IDENTIFICATION DES PARAMETRES DU MODELE ET DES METHODES DE MESURE DU FACTEUR DE BRUIT, CONFRONTATION DES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX.
Contribution à l’étude du bruit de fond des transistors à jonctions et notamment des bruits "en 1/F" et "en creneaux"
Author: Gabriel Blasquez
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Languages : fr
Pages : 302
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Pages : 302
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Contribution à l'étude de l'analyse spectrale du bruit de fond des transistors aux très basses fréquences
Author: Alain de Cacqueray
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Languages : fr
Pages : 167
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Languages : fr
Pages : 167
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