Contribution à l'étude des mécanismes d'absorption et de transport dans l'interaction laser CO-plasma PDF Download
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Author: Christian Stenz (auteur d'une thèse de sciences.)
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 238
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Author: Christian Stenz (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 238
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Author: Christian Stenz
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Languages : fr
Pages : 238
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INTERACTION LASER CO::(2)-CIBLE SOLIDE: DES MESURES CORRELEES DU RAYONNEMENT X NON CONTINU ET DE L'EMISSION IONIQUE MONTRENT LA PRESENCE D'UNE COMPOSANTE SUPRATHERMIQUE QUI COEXISTE AVEC L'ENSEMBLE DU PLASMA QUI RESTE THERMIQUE; ON EN DEDUIT DES LOIS QUI PERMETTENT DE PRECISER LES MECANISMES DE DEPOT ET DE TRANSPORT DE L'ENERGIE LASER. INTERACTION LASER CO::(2)-PLASMA DENSE: L'ETUDE DES MECANISMES DE CHAUFFAGE MET EN EVIDENCE UNE ABSORPTION ANORMALE, COMPAREE A L'ABSORPTION CLASSIQUE PAR RAYONNEMENT DE FREINAGE INVERSE POUR DES FLUX>2.10**(10) W/CM**(2); LA DIFFUSION THOMSON MET EN EVIDENCE UNE FORTE TURBULENCE IONIQUE
Author: Christine Garban-Labaune
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Languages : fr
Pages : 208
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Author: François Amiranoff
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 113
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APRES UN RAPPEL DES PRINCIPAUX MECANISMES D'ABSORPTION D'UNE ONDE ELECTROMAGNETIQUE PAR UN PLASMA, ON ETUDIE LA PRODUCTION DES ELECTRONS RAPIDES; PUIS ON DECRIT LA METHODE DE DIAGNOSTIC A PARTIR DU RAYONNEMENT X CONTINU ET SON UTILISATION POUR L'ETUDE DES ELECTRONS SUPRATHERMIQUES. ON PRESENTE LE DISPOSITIF EXPERIMENTAL UTILISE (ANALYSEUR MULTICANAL) ET ON DISCUTE QUELQUES RESULTATS OBTENUS: INFLUENCE DE LA LONGUEUR D'ONDE ET DE LA FORME DE L'IMPULSION LASER SUR L'INTERACTION ET EN PARTICULIER LA PRODUCTION D'ELECTRONS RAPIDES; MISE EN EVIDENCE DE LA LIMITATION DU TRANSPORT THERMIQUE A PARTIR DES EXPERIENCES SUR FEUILLES MINCES
Author: Christine Garban-Labaune
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 208
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Author: ERIK.. LEFEBVRE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 303
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L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL EST D'IDENTIFIER LES PRINCIPAUX MECANISMES DU COUPLAGE LASER-PLASMA DANS L'INTERACTION D'UNE IMPULSION ULTRA-INTENSE AVEC UN PLASMA SURCRITIQUE. L'OUTIL PRINCIPAL DE CETTE RECHERCHE EST LA SIMULATION NUMERIQUE A L'AIDE DE CODES CINETIQUES PARTICULAIRES. L'ORIGINE DE TOUS LES PHENOMENES RESIDE DANS LE TERME NON-LINEAIRE DE LA FORCE DE LORENTZ QUE SUBISSENT LES ELECTRONS. CETTE FORCE EXCITE DES OSCILLATIONS ELECTRONIQUES AU BORD DE LA CIBLE, CONDUISANT A LA GENERATION D'UN CERTAIN NOMBRE D'ELECTRONS SUPRATHERMIQUES. NOUS AVONS MONTRE QUE CE CHAUFFAGE DEPEND FORTEMENT DU PROFIL DE DENSITE DE LA CIBLE. EN FONCTION DE LA DENSITE DU PLASMA ET DE L'ECLAIREMENT LASER, LA SEPARATION DE CHARGES QU'INDUIT L'IMPULSION INCIDENTE PERMET AUSSI DE COMPRIMER LA CIBLE, D'EXCITER DES ONDES ACOUSTIQUES IONIQUES OU DE GENERER DES IONS DE FORTE ENERGIE CINETIQUE. ENFIN, POUR DES PLASMAS PEU SURCRITIQUES, LE PHENOMENE DE TRANSPARENCE AUTO-INDUITE RELATIVISTE PEUT PERMETTRE LA TRANSMISSION DE L'ONDE LASER A TRAVERS LA CIBLE. L'ETUDE NUMERIQUE DE CE MECANISME A MIS EN EVIDENCE PLUSIEURS ASPECTS CINETIQUES NOUVEAUX, COMME LA REFLEXION D'UNE PARTIE DU RAYONNEMENT LASER AVEC UN DECALAGE VERS LE ROUGE CARACTERISTIQUE ET UNE ABSORPTION IMPORTANTE SOUS FORME DE CHAUFFAGE ELECTRONIQUE. LES SEUILS DE TRANSPARENCE QUE NOUS AVONS OBTENUS PAR LA SIMULATION RESTENT DU MEME ORDRE DE GRANDEUR QUE LES ESTIMATIONS ANALYTIQUES PASSEES. FINALEMENT, NOUS PRESENTONS EN DETAIL ET UTILISONS UNE METHODE SIMPLIFICATRICE POUR TRAITER AVEC UN CODE MONODIMENSIONNEL L'INCIDENCE OBLIQUE D'UNE ONDE LASER PLANE SUR UNE CIBLE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE RETROUVER BON NOMBRE DE RESULTATS PASSES. NOTRE TRAVAIL PEUT ETRE PROLONGE PAR PLUSIEURS ETUDES: INCIDENCE OBLIQUE, ASPECTS BI- ET TRIDIMENSIONNELS, RAPPROCHEMENT DE CODES DE MODELISATION DE NIVEAUX DIFFERENTS
Author: Christine Garban-Labaune
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Languages : fr
Pages : 208
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ETUDE DES PRINCIPAUX MECANISMES D'ABSORPTION ET DE RETRODIFFUSION EN PARTICULIER SIMULATION NUMERIQUE DES EFFETS DE LA REFRACTION ET DE L'ABSORPTION COLLISIONNELLE DANS UNE GEOMETRIE BIDIMENSIONNELLE. DESCRIPTION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL ET DES DIAGNOSTICS UTILISES POUR MESURER L'ABSORPTION. PRESENTATION ET DISCUSSION DES RESULTATS. INTERPRETATION DES RESULTATS AU MOYEN D'UN MODELE ANALYTIQUE SIMPLE ET DE SIMULATIONS NUMERIQUES
Author: Debbie Stokes
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 0470065400
Category : Science
Languages : en
Pages : 247
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Offers a simple starting point to VPSEM, especially for new users, technicians and students containing clear, concise explanations Crucially, the principles and applications outlined in this book are completely generic: i.e. applicable to all types of VPSEM, irrespective of manufacturer. Information presented will enable reader to turn principles into practice Published in association with the Royal Microscopical Society (RMS) -www.rms.org.uk
Author: Leslie Rainer
Publisher: Getty Publications
ISBN: 1606060430
Category : Architecture
Languages : fr
Pages : 438
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Earthen architecture constitutes one of the most diverse forms of cultural heritage and one of the most challenging to preserve. It dates from all periods and is found on all continents but is particularly prevalent in Africa, where it has been a building tradition for centuries. Sites range from ancestral cities in Mali to the palaces of Abomey in Benin, from monuments and mosques in Iran and Buddhist temples on the Silk Road to Spanish missions in California. This volume's sixty-four papers address such themes as earthen architecture in Mali, the conservation of living sites, local knowledge systems and intangible aspects, seismic and other natural forces, the conservation and management of archaeological sites, research advances, and training.
Author: Joachim Piprek
Publisher: Elsevier
ISBN: 0080469787
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 296
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Optoelectronics has become an important part of our lives. Wherever light is used to transmit information, tiny semiconductor devices are needed to transfer electrical current into optical signals and vice versa. Examples include light emitting diodes in radios and other appliances, photodetectors in elevator doors and digital cameras, and laser diodes that transmit phone calls through glass fibers. Such optoelectronic devices take advantage of sophisticated interactions between electrons and light. Nanometer scale semiconductor structures are often at the heart of modern optoelectronic devices. Their shrinking size and increasing complexity make computer simulation an important tool to design better devices that meet ever rising perfomance requirements. The current need to apply advanced design software in optoelectronics follows the trend observed in the 1980's with simulation software for silicon devices. Today, software for technology computer-aided design (TCAD) and electronic design automation (EDA) represents a fundamental part of the silicon industry. In optoelectronics, advanced commercial device software has emerged recently and it is expected to play an increasingly important role in the near future. This book will enable students, device engineers, and researchers to more effectively use advanced design software in optoelectronics. - Provides fundamental knowledge in semiconductor physics and in electromagnetics, while helping to understand and use advanced device simulation software - Demonstrates the combination of measurements and simulations in order to obtain realistic results and provides data on all required material parameters - Gives deep insight into the physics of state-of-the-art devices and helps to design and analyze of modern optoelectronic devices
