Contribution à l'étude des effets semi-permanents induits par les rayonnements ionisants dans les transistors MOS PDF Download
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Author: Daniel Peyre
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Languages : fr
Pages : 238
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Book Description
LES MECANISMES D'INTERACTION QUI SUIVENT UNE IRRADIATION IONISANTE AVEC LES SEMICONDUCTEURS ET ISOLANT ONT POUR EFFET DE PERTURBER LE FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. NOUS TRAITONS DANS CE MEMOIRE DES MECANISMES D'INTERACTION DES RAYONNEMENTS IONISANTS AVEC LES TRANSISTORS M.O.S. LES EFFETS SE TRADUISENT PAR LE PIEGEAGE DES CHARGES DANS L'ISOLANT SIO#2, LEUR GUERISON, ET L'APPARITION AU COURS DU TEMPS D'ETATS D'INTERFACE DONT LA CINETIQUE DE CONSTITUTION EST D'ORIGINE OBSCURE. LES DIFFERENTES PHASES DE LA REPONSE D'UN TRANSISTOR M.0.S. SONT RELIEES A UNE ORIGINE PHENOMENOLOGIQUE. UN MODELE GENERALISE DE TRANSPORT DE TROUS PARVIENT A SIMULER L'EVOLUTION DE LA DERIVE DE TENSION SEUIL DURANT LA PHASE DU TRANSPORT ET DE PIEGEAGE, JUSQU'A 0,1 S APRES L'IMPULSION. LES EFFETS DE GUERISON SONT ANALYSES, ET, SUR LA BASE D'EXPERIMENTATIONS DE COMMUTATION DE CHAMP, UN MECANISME DE GUERISON PEU CLASSIQUE ASSOCIE AUX CENTRES E EST PROPOSE. LA CONSTITUTION D'ETATS D'INTERFACE AU COURS DU TEMPS SEMBLE RELEVER D'UN PHENOMENE PLUS COMPLEXE QUE CELUI DECRIT PAR LE MODELE A DEUX ETAPES, ACTUELLEMENT EN VIGUEUR
Author: Daniel Peyre
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Languages : fr
Pages : 238
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LES MECANISMES D'INTERACTION QUI SUIVENT UNE IRRADIATION IONISANTE AVEC LES SEMICONDUCTEURS ET ISOLANT ONT POUR EFFET DE PERTURBER LE FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. NOUS TRAITONS DANS CE MEMOIRE DES MECANISMES D'INTERACTION DES RAYONNEMENTS IONISANTS AVEC LES TRANSISTORS M.O.S. LES EFFETS SE TRADUISENT PAR LE PIEGEAGE DES CHARGES DANS L'ISOLANT SIO#2, LEUR GUERISON, ET L'APPARITION AU COURS DU TEMPS D'ETATS D'INTERFACE DONT LA CINETIQUE DE CONSTITUTION EST D'ORIGINE OBSCURE. LES DIFFERENTES PHASES DE LA REPONSE D'UN TRANSISTOR M.0.S. SONT RELIEES A UNE ORIGINE PHENOMENOLOGIQUE. UN MODELE GENERALISE DE TRANSPORT DE TROUS PARVIENT A SIMULER L'EVOLUTION DE LA DERIVE DE TENSION SEUIL DURANT LA PHASE DU TRANSPORT ET DE PIEGEAGE, JUSQU'A 0,1 S APRES L'IMPULSION. LES EFFETS DE GUERISON SONT ANALYSES, ET, SUR LA BASE D'EXPERIMENTATIONS DE COMMUTATION DE CHAMP, UN MECANISME DE GUERISON PEU CLASSIQUE ASSOCIE AUX CENTRES E EST PROPOSE. LA CONSTITUTION D'ETATS D'INTERFACE AU COURS DU TEMPS SEMBLE RELEVER D'UN PHENOMENE PLUS COMPLEXE QUE CELUI DECRIT PAR LE MODELE A DEUX ETAPES, ACTUELLEMENT EN VIGUEUR
Author: Daniel Peyre
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Jean Luc Leray
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Category :
Languages : fr
Pages : 292
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L'interaction des rayonnements ionisants avec les semi-conducteurs et les isolants a pour effet de créer des charges et des courants d'électrons et de trous. Les défauts d'interface et de volume piègent ces charges.On traite ici des phénomènes relatifs aux structures Métal-Oxyde Semi-conducteur (MOS) et Métal-Semi-conducteur sur semi-isolant (MESFET), en distinguant les effets transitoires et les effets permanents. L'influence des conditions de fabrication (isolants, semi-isolants) est déterminante.On tente alors une synthèse des effets dans les isolants, sous forme de théories des phases transitoires et de l'état permanent auquel aboutit l'évolution de la structure MOS irradiée (création des porteurs, recombinaison, mouvement vers les interfaces, piégeage et dépiégeage, création de défauts d'interface).Un mécanisme est proposé pour relier les conditions de fabrications des structures MOS aux dégradations observées (effet de "durcissement").
Author: Michèle Roux-Nogatchewsky (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 162
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ETUDE DE L'INFLUENCE D'UN RAYONNEMENT IONISANT SUR LES PROPRIETES DE BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS. LES PROBLEMES D'IRRADIATION ET DE SURFACE SONT TRES LIES DE SORTE QUE LE RAYONNEMENT CONSTITUE UN OUTIL PERMETTANT DE MIEUX CONNAITRE LES PTES DE SURFACE ET LEUR INFLUENCE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU COMPOSANT. DESCRIPTION DU PROCEDE DE FABRICATION, ET A PARTIR DE L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES EN REGIME STATIQUE ET DU BRUIT DE FOND AUX BF ET MF, IDENTIFICATION DES MECANISMES PHYSIQUES REGISSANT LE COMPORTEMENT DES ZONES SUPERFICIELLES ET ESTIMATION DES PARAMETRES SPECIFIQUES DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE L'INTERFACE. INFLUENCE DU RAYONNEMENT, ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION, ETUDE DES VARIATIONS DES PARAMETRES DE SURFACE INFLUENCANT LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR ET IDENTIFICATION DES PHENOMENES PHYSIQUES. MISE EN EVIDENCE DES EFFETS DE RADIATION SUR LES SOURCES DE BRUIT. REGLES DE POLARISATION POUR MINIMISER LES EFFETS DE RAYONNEMENTS SUR LE BRUIT DE FOND
Author: Yazid Derouiche
Publisher: Editions Universitaires Europeennes
ISBN: 9783659558047
Category :
Languages : fr
Pages : 160
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Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que: les variations de la tension de seuil ΔVth, de la tension de bandes plates ΔVfb, de la densité des états d'interface moyenne Δ Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Δσ;σ = σn.σ p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2μm a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.
Author: PATRICK.. VILLARD
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Languages : fr
Pages : 187
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CETTE ETUDE EST CONSACREE AUX EFFETS DE LA DOSE CUMULEE DE RAYONNEMENTS IONISANTS SUR LES TRANSISTORS MOS. LES EFFETS PHYSIQUES DE LA DOSE CUMULEE, QUI COMPRENNENT TROUS PIEGES DANS L'OXYDE DE GRILLE ET ETATS D'INTERFACE A LA FRONTIERE SILICIUM/ISOLANT, SONT DECRITS, AINSI QUE LEURS CONSEQUENCES SUR LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS ET CIRCUITS MOS. PUIS NOUS PRESENTONS UNE ETUDE EXPERIMENTALE, QUI NOUS A MONTRE LE CARACTERE DETERMINISTE DE LA REPONSE DES TRANSISTORS ET CIRCUITS INTEGRES SIMPLES. CETTE VERIFICATION FAITE, NOUS PROPOSONS UN MODELE PHYSIQUE UNIDIMENSIONNEL PERMETTANT DE CALCULER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES STATIQUES D'UN TRANSISTOR MOS IRRADIE, DONT LA DENSITE DE TROUS PIEGES ET LA DISTRIBUTION ENERGETIQUE D'ETATS D'INTERFACE SONT SUPPOSEES CONNUES. LA MISE EN UVRE DU MODELE, DANS LE CADRE DU SIMULATEUR ELECTRIQUE OMEGA, DEVELOPPE A SUPELEC, NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'INFLUENCE DE LA FORME DE CETTE DISTRIBUTION SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES D'UN MOSFET EN FAIBLE INVERSION. LES RESULTATS THEORIQUES OBTENUS SONT VALIDES PAR UNE ETUDE EXPERIMENTALE SUR PLUSIEURS TYPES DE TECHNOLOGIES. ENFIN, NOUS DECRIVONS UNE METHODE ORIGINALE, DEDUITE DU MODELE PROPOSE, QUI PERMET DE MESURER LA CHARGE TOTALE, SOMME DE LA CHARGE DES TROUS PIEGES ET DE CELLE DES ETATS D'INTERFACE, COMME FONCTION DU POTENTIEL DE SURFACE
Author: Jean-Georges Kiefer
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Renaud Briand
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Languages : fr
Pages : 203
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L'utilisation des circuits intégrés analogiques dans les environnements radiatifs pose le problème de leur tenue aux différents effets induits par les particules et les rayonnements. Le premier chapitre de cette thèse présente les origines des radiations ainsi que les différentes topologies de transistors bipolaires. Les effets des radiations ionisantes sur les composants bipolaires, que sont la dose cumulée, le débit de dose et les événements singuliers, sont détaillés dans trois chapitres distincts. Ainsi, la même démarche scientifique est employée pour chacun de ces effets. La simulation des phénomènes physiques de dégradation des composants permet d'établir des modèles électriques originaux issus de la compréhension des mécanismes induits. Ces modèles sont ainsi utilisés afin d'évaluer les dégradations subies par les circuits analogiques linéaires. Des méthodes de durcissement, courantes et originales, dont certaines sont appliquées à des circuits intégrés en technologies bipolaires, sont exposées. Enfin, des techniques expérimentales de test par faisceau laser, utilisées pour reproduire le débit de dose et les évènements singuliers, sont présentées.
Author: Abderrahmane Merrachi
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Languages : fr
Pages : 166
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L'EFFET DE LA MULTIPLICATION DES PORTEURS PAR AVALANCHE, CONSECUTIF A L'AUGMENTATION DU CHAMP ELECTRIQUE LATERAL AVEC LA TENSION DE DRAIN, REPRESENTE UNE DES LIMITATIONS MAJEURES RENCONTREES EN TECHNOLOGIE CMOS. CETTE THESE PROPOSE UNE CONTRIBUTION A LA COMPREHENSION DE CE PHENOMENE, ET A SA MODELISATION DANS LES TRANSISTORS MOS DE PETITES DIMENSIONS. DANS UN PREMIER TEMPS, LA STRUCTURE ET LES PROPRIETES DE LA TECHNOLOGIE CMOS, SUPPORT EXPERIMENTAL DE NOTRE ETUDE, SONT DECRITES; PUIS LES EFFETS ACTIFS ET PARASITES PREPONDERANTS, RELATIFS AUX TRANSISTORS, ET CONSECUTIFS A LA REDUCTION DES DIMENSIONS, SONT ANALYSES. CONCERNANT LE PHENOMENE D'AVALANCHE, LE COMPORTEMENT PHYSIQUE DU DISPOSITIF ILLUSTRE ET ETUDIE SUR LA BASE DE SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES PRESENTE DEUX PHASES: REDUCTION DE LA TENSION DE SEUIL, PUIS ACTIVATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL PARASITE AUX FORTES INJECTIONS. CES DEUX EFFETS, MODELISES DE FACON APPROXIMATIVE ET SOUVENT CONTRADICTOIRE DANS LES PUBLICATIONS ANTERIEURES SUR LE SUJET, SONT CONDITIONNES, POUR L'ESSENTIEL, PAR: L'EXISTENCE D'UN CHAMP ELECTRIQUE DANS LE SUBSTRAT, LA RESISTANCE SUBSTRAT VARIABLE, LA GEOMETRIE VARIABLE (DE LA BASE) ET LE MODE DE POLARISATION PARTICULIER DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL. LES EFFETS SONT PRIS EN COMPTE PAR UN MODELE ANALYTIQUE SIMPLE ET ORIGINAL, EN BON ACCORD TANT AVEC LES MESURES QU'AVEC LES SIMULATIONS NUMERIQUES; LES PARAMETRES CORRESPONDANTS SONT EXPLICITEMENT FONCTION DES DIMENSIONS DU TRANSISTOR, DONC DES REGLES DE DESSIN. LE TRAVAIL DE VALIDATION DU MODELE A ETE EFFECTUE SUR DES TRANSISTORS A CANAL N ET CANAL P, CONVENTIONNELS ET DE TYPE LDD, ISSUS DE DIVERSES FILIERES CMOS; LA CONCORDANCE ENTRE LES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX EST EXCELLENTE POUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL ET DE TENSIONS APPLIQUEES. ENFIN, LA DEGRADATION DE LA RESISTANCE DYNAMIQUE DE SORTIE DU TRANSISTOR A CANAL N PRINCIPALE CONSEQUENCE D
Author: Georges Guegan (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 224
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ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT
