CONTRIBUTION A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE MONOXYDE DE SILICIUM PDF Download
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Author: NUGUYEN THIEN PHAP.
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Languages : fr
Pages : 166
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CARACTERISATION DES COUCHES MINCES OBTENUES PAR EVAPORATION "FLASH" (EMISSION RX, ABSORPTION INFRAROUGE ET ANALYSE DE COMPOSITION). MESURES ELECTRIQUES DES STRUCTURES METAL-SIO-METAL. INTERPRETATIONS.
Author: NUGUYEN THIEN PHAP.
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Languages : fr
Pages : 166
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CARACTERISATION DES COUCHES MINCES OBTENUES PAR EVAPORATION "FLASH" (EMISSION RX, ABSORPTION INFRAROUGE ET ANALYSE DE COMPOSITION). MESURES ELECTRIQUES DES STRUCTURES METAL-SIO-METAL. INTERPRETATIONS.
Author: Thien Phap Nguyen
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Languages : fr
Pages : 478
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ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES MINCES OBTENUES PAR EVAPORATION THERMIQUE DE LA POUDRE DE MONOXYDE DE SILICIUM DANS DES CONDITIONS PRECISES SOUS FORME DE STRUCTURES SYMETRIQUES AL-SIO-AL OU DISSYMETRIQUES AL-SIO-NI
Author: Jacques Pivot
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Languages : fr
Pages : 110
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Author: Jacques Pivot
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Languages : fr
Pages : 195
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Author: Damien Zander
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Languages : fr
Pages : 179
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L'intégration de plus en plus importante des composants exige une diminution de l'épaisseur d'oxyde qui est à l'origine de courants de fuite de grille entraînant la dégradation des technologies CMOS. Nous touchons actuellement aux limites physiques des couches de silice, alors que les matériaux susceptibles de remplacer la silice ne sont toujours pas opérationnels, il est donc capital de mettre en évidence et de caractériser les processus de dégradation mis en jeu lors de l'utilisation même des composants. Sur des structures MOS d'épaisseur d'oxyde inférieure à 3nm, nous avons suivi la dégradation du courant de fuite de grille (LVSILC) et de l'interface Si/SiO2, sous différentes contraintes électriques. A partir de nos résultats, nous avons montré que l'augmentation du LVSILC n'était pas due simplement à l'augmentation des états d'interface mais qu'il pouvait y avoir une contribution de pièges dans l'oxyde, induit par la libération d'espèces hydrogénées dans le volume de l'oxyde.
Author: Jean-Claude Collignon
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Languages : fr
Pages : 117
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Author: René Nannoni
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Languages : fr
Pages : 154
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Author: CHRISTIAN.. BOURREAU
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Category :
Languages : fr
Pages : 135
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CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES
Author: ADAMA.. TANDIA
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Languages : fr
Pages : 128
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CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE DE LA STRUCTURE DES COUCHES ULTRA MINCES DE DIOXYDE DE SILICIUM SUR SILICIUM PAR LA SIMULATION A L'ECHELLE ATOMIQUE. DANS CE BUT, IL EST PRESENTE UNE SYNTHESE DES MODELES D'OXYDATION DU SILICIUM. IL EST MIS EN EVIDENCE LES LIMITES ET FAIBLESSES DE LA MODELISATION CONTINUE, ET LA NECESSITE D'INTRODUIRE LA SIMULATION A L'ECHELLE ATOMIQUE POUR AIDER A MIEUX COMPRENDRE LE MECANISME DE FORMATION DES COUCHES ULTRA MINCES. DIFFERENTS MODELES ONT A CET EFFET ETE INTRODUITS. LE MODELE DES POTENTIELS MULTICORPS, CHOISI POUR FAIRE CETTE ETUDE, EST AINSI DECRIT, PUIS VALIDE SUR LA BASE DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET GEOMETRIQUES DU SILICIUM ET DE L'OXYDE DE SILICIUM. UNE AUTRE APPROCHE DE VALIDATION A CONCERNE LA COMPARAISON DES SITES PREFERENTIELS D'ENERGIE MINIMALE DE L'OXYGENE SUR UNE SURFACE SI(001) TROUVES PAR LA METHODE AB INITIO, VIA LES EQUATION DE KONH-SHAM, ET LA METHODE DES POTENTIELS MULTICORPS. CETTE DERNIERE S'EST AVEREE ETRE UNE BONNE APPROXIMATION DE LA METHODE AB INITIO, VUE PAR LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DE DENSITE. IL A ALORS ETE DISCUTE DE L'OPPORTUNITE ET DE L'INTERET DE COUPLER LES DEUX APPROCHES. LA METHODE DES POTENTIELS MULTICORPS EST PAR LA SUITE APPLIQUEE A L'INVESTIGATION SUR LA STRUCTURE CRISTALLINE DE L'OXYDE NATIF SUR SILICIUM, LES RUGOSITE ET DISTRIBUTION DES CONTRAINTES A L'INTERFACE SI/SIO#2, ET FINALEMENT A L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA DENSITE DES LACUNES SUR LA CONTRAINTE ET LA RUGOSITE DANS LA REGION D'INTERFACE.
Author: Abdellah Mir
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 176
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L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (
