CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PDF Download
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Author: PHILIPPE.. VITROU
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 195
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Book Description
CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE (TFT A-SI:H). DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS NOUS INTERESSONS A LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME CONTINU. NOUS DEFINISSONS DIFFERENTS PRINCIPES EXPERIMENTAUX PERMETTANT DE MESURER LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL ET NOUS LES UTILISONS POUR CARACTERISER LA STABILITE ELECTRIQUE DE NOS ECHANTILLONS DANS DE LARGES PLAGES DE TENSION ET DE TEMPERATURE. GRACE A UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE NOUS ETUDIONS, DE MANIERE THEORIQUE, L'INFLUENCE D'UNE TENSION DE CONTRAINTE SUR LA MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS PROFONDS DE LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE ET SUR LA CARACTERISTIQUE DE TRANFERT D'UN TFT. EN TENANT COMPTE DE L'ASPECT TRANSISTOIRE DE LA MODIFICATION DE DENSITE D'ETATS, NOUS MONTRONS QUE LES DECALAGES DE TENSION DE SEUIL OBSERVES A LA SUITE D'UNE CONTRAINTE POSITIVE ET D'UNE FAIBLE CONTRAINTE NEGATIVE SONT DUS RESPECTIVEMENT A UNE CREATION ET UNE GUERISON DE DEFAUTS DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE. D'AUTRE PART, DANS LE CAS D'UNE FORTE CONTRAINTE NEGATIVE, NOUS MONTRONS QU'AU MECANISME DE MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS EVOQUE PRECEDEMMENT, SE SUPERPOSE UNE INJECTION DE TROUS DANS L'ISOLANT DE GRILLE. ENFIN, UNE DEUXIEME PARTIE, PLUS APPLIQUEE A L'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES, CONCERNE L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME DYNAMIQUE. NOUS ETABLISSONS UN MODELE PERMETTANT D'OBTENIR UNE LOI PREDICTIVE DE LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL DANS CE REGIME DE FONCTIONNEMENT. NOUS VALIDONS UN TEST DE VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE ACCELERE QUI PERMET DE PREVOIR LE COMPORTEMENT A LONG TERME DES TFTS ET D'ESTIMER LA DUREE DE VIE DE NOS ECRANS EN TERME DE DERIVE DES TRANSISTORS
Author: PHILIPPE.. VITROU
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Languages : fr
Pages : 195
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CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE (TFT A-SI:H). DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS NOUS INTERESSONS A LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME CONTINU. NOUS DEFINISSONS DIFFERENTS PRINCIPES EXPERIMENTAUX PERMETTANT DE MESURER LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL ET NOUS LES UTILISONS POUR CARACTERISER LA STABILITE ELECTRIQUE DE NOS ECHANTILLONS DANS DE LARGES PLAGES DE TENSION ET DE TEMPERATURE. GRACE A UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE NOUS ETUDIONS, DE MANIERE THEORIQUE, L'INFLUENCE D'UNE TENSION DE CONTRAINTE SUR LA MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS PROFONDS DE LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE ET SUR LA CARACTERISTIQUE DE TRANFERT D'UN TFT. EN TENANT COMPTE DE L'ASPECT TRANSISTOIRE DE LA MODIFICATION DE DENSITE D'ETATS, NOUS MONTRONS QUE LES DECALAGES DE TENSION DE SEUIL OBSERVES A LA SUITE D'UNE CONTRAINTE POSITIVE ET D'UNE FAIBLE CONTRAINTE NEGATIVE SONT DUS RESPECTIVEMENT A UNE CREATION ET UNE GUERISON DE DEFAUTS DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE. D'AUTRE PART, DANS LE CAS D'UNE FORTE CONTRAINTE NEGATIVE, NOUS MONTRONS QU'AU MECANISME DE MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS EVOQUE PRECEDEMMENT, SE SUPERPOSE UNE INJECTION DE TROUS DANS L'ISOLANT DE GRILLE. ENFIN, UNE DEUXIEME PARTIE, PLUS APPLIQUEE A L'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES, CONCERNE L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME DYNAMIQUE. NOUS ETABLISSONS UN MODELE PERMETTANT D'OBTENIR UNE LOI PREDICTIVE DE LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL DANS CE REGIME DE FONCTIONNEMENT. NOUS VALIDONS UN TEST DE VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE ACCELERE QUI PERMET DE PREVOIR LE COMPORTEMENT A LONG TERME DES TFTS ET D'ESTIMER LA DUREE DE VIE DE NOS ECRANS EN TERME DE DERIVE DES TRANSISTORS
Author: Thierry Leroux
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 205
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CE MEMOIRE PRESENTE UN MODELE ANALYTIQUE DU COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ANALYSE BASEE SUR L'HYPOTHESE D'UNE DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS LOCALISES EN BORD DE BANDE PERMET D'EN EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES. PAR AILLEURS, LES EXPRESSIONS DEVELOPPEES SONT CONFRONTEES AUX RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS GRACE A DIVERSES METHODES DE CARACTERISATION (MESURES STATIQUES, ETUDE DE CAPACITES MIS, MESURE DE LA REPONSE DU TCM EN REGIME TRANSITOIRE,...), CE QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER TOUS LES PARAMETRES INTERVENANT DANS LE MODELE. LE DERNIER CHAPITRE DE CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE QUELQUES APPLICATIONS DU MODELE PRESENTE ( ETUDE D'INVERSEURS NONEE, SIMULATION) ET EN DEMONTRE L'UTILITE
Author: Elzaky Hamadto
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 138
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Author: Pierre David
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Category :
Languages : fr
Pages : 54
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Author: Alain Jean Louis Rambert
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Category :
Languages : fr
Pages : 170
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Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Pierre David
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Category :
Languages : fr
Pages : 274
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Author: RIADH.. HAJLAOUI
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Category :
Languages : fr
Pages : 139
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L'ETUDE STRUCTURALE DES POLYMERES CONJUGUES MONTRE QUE LEUR DESORDRE MOLECULAIRE ET STRUCTURAL LIMITE LA QUALITE DE LEUR PROPRIETES ELECTRONIQUES, ET RESTREINT DONC LEUR EVENTUELLE APPLICATION A DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'UTILISATION DE SYSTEMES MOLECULAIRES STRUCTURALEMENT BIEN DEFINIS DEVRAIT PAR CONTRE PERMETTRE DE S'AFFRANCHIR DE CES DEFAUTS CHIMIQUES ET PHYSIQUES, ET D'AMELIORER AINSI L'EFFICACITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS CES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS. CETTE DEMARCHE EST ILLUSTREE ICI PAR L'ETUDE DU SEXITHIOPHENE (6T) ET DE SES DERIVES SUBSTITUES. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A LA DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES DE PREPARATION DES FILMS MINCES, PUIS DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES REALISES A PARTIR DE CES SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES, TELS QUE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHE MINCE ET DIODES ELECTROLUMINESCENTES. L'ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET OPTIQUES A MIS EN EVIDENCE QUE CES FILMS SONT POLYCRISTALLINS, ET QUE L'ORIENTATION DES CHAINES MOLECULAIRES SUR LE SUBSTRAT EST CONTROLEE PAR LA NATURE DU SUBSTRAT, PAR LA TEMPERATURE DE DEPOT ET PAR LA POSITION DE SUBSTITUTION DE GROUPES ALKYLES SUR CETTE MOLECULE (6T). LES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DU SEXITHIOPHENE ET DE SES DERIVES MONTRENT QUE POUR LE , -DIHEXYL-SEXITHIOPHENE, LA CONDUCTIVITE PRESENTE UNE ANISOTROPIE IMPORTANTE, ALORS QUE B,B'-DIHEXYL-SEXITHIOPHENE SE COMPORTE COMME UN ISOLANT. LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT UTILISEE LORS DU DEPOT DU FILM INFLUE SUR LA CONDUCTIVITE ET SUR LA MOBILITE DU SEXITHIOPHENE. LA MOBILITE PLUS FAIBLE DE 6T A TEMPERATURE AMBIANTE EST ATTRIBUEE A UNE PLUS GRANDE CONCENTRATION DE DEFAUTS TELS QUE JOINTS DE GRAINS. LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES, DONT LES COUCHES ACTIVES SONT CONSTITUEES DE SEXITHIOPHENE OU DE L'UN DE SES DERIVES, MONTRENT UN EFFET REDRESSEUR (SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE-P). LES CARACTERISTIQUES TRANSITOIRES MONTRENT UN COURANT CAPACITIF BREF, SUIVI D'UN COURANT PERMANENT DONNANT LIEU A EMISSION LUMINEUSE. DANS UNE STRUCTURE BICOUCHE, ON REMARQUE UNE AUGMENTATION DE L'EMISSION LUMINEUSE ET UNE AUGMENTATION DU RENDEMENT D'ELECTROLUMINESCENCE PAR RAPPORT A LA STRUCTURE MONOCOUCHE. L'INTENSITE DU SPECTRE D'ELECTROLUMINESCENCE ENREGISTRE POUR LA STRUCTURE BICOUCHE DANS LA GAMME 500-700 NM MONTRE QU'EN BAISSANT LA TEMPERATURE L'EMISSION AUGMENTE, CECI EST ATTRIBUE A UNE DIMINUTION DU RENDEMENT DES TRANSITIONS NON RADIATIVES
Author: Dominique Rigaud
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 205
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PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT, FABRICATION ET SCHEMA EQUIVALENT DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP. ETUDE QUANTITATIVE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DANS LE CADRE DU MODELE SHOCKLEY, MODELE TENANT COMPTE DE LA VARIATION REELLE DE LA SECTION CONDUCTRICE DU CANAL. ETUDE THEORIQUE DU BRUIT DE FOND ASSOCIE AU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A PORTE A JONCTION: BRUIT THERMIQUE ASSOCIE AU CANAL DU TRANSISTOR, AUTRES SOURCES DE BRUIT DE FOND ASSOCIEES AU TRANSISTOR, DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISTIQUES DU BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP. RESULTATS EXPERIMENTAUX ET INTERPRETATIONS THEORIQUES. APPLICATION A LA SPECTROMETRIE NUCLEAIRE
Author: Ahmad Nakhli
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 94
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