CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GRAVURE PLASMA DE L'ARSENIURE DE GALLIUM PDF Download
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Author: M. F.. KHODR
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 151
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Book Description
CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GRAVURE PLASMA DE L'ARSENIURE DE GALLIUM. ETUDE DE LA CINETIQUE DE GRAVURE EN FONCTION DES DIFFERENTS PARAMETRES (TEMPERATURE, PRESSION, DEBIT, PUISSANCE, TEMPS DE GRAVURE). LA SURFACE GRAVEE A ETE ANALYSEE PAR LES TECHNIQUES SUIVANTES: LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE; L'EMISSION X; LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION DES IONS SECONDAIRES; L'ELLIPSOMETRIE; LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS AUGER; LA DLTS. LES DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ONT MONTRE L'EXISTENCE D'UNE COUCHE PERTURBEE DE QUELQUES DIZAINES D'ANGSTROMS, AINSI QUE L'APPARITION DE DEPOTS SOUS FORME D'AGREGATS DANS CERTAINS CAS ET QUI SONT COMPOSES ESSENTIELLEMENT DE CHLORE, DE FLUOR ET DE GALLIUM. DES CONDITIONS DE GRAVURE DONNANT DES SURFACES AYANT DE BONNES QUALITES ELECTRIQUES (FACTEUR D'IDEALITE N=1,15) ONT ETE TROUVEES. UNE ANALYSE DE LA DECHARGE RADIOFREQUENCE (A 500 KHZ ET A 13,56 MHZ) DE CF::(2)CL::(2) ET CF::(2)CL::(2) + O::(2) A ETE EFFECTUEE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION ET SPECTROSCOPIE DE MASSE QUADRUPOLAIRE. L'ADDITION D'OXYGENE S'ACCOMPAGNE D'UNE AUGMENTATION DE L'EMISSION DE LA RAIE DE CHLORE ATOMIQUE ET D'UNE AUGMENTATION DE LA VITESSE DE GRAVURE POUR LES FAIBLES PROPORTIONS D'OXYGENE (A 500 KHZ). UNE EXPERIENCE DE SIMULATION DE LA GRAVURE A ETE REALISEE DANS UN DISPOSITIF DE MICROANALYSE IONIQUE METTANT EN EVIDENCE LES EFFETS COOPERATIFS MECANIQUE ET CHIMIQUE D'UN FAISCEAU D'IONS ET D'UN JET DE FREON 12 (CF::(2)CL::(2)) DANS LA GRAVURE DU GAAS
Author: M. F.. KHODR
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Languages : fr
Pages : 151
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CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GRAVURE PLASMA DE L'ARSENIURE DE GALLIUM. ETUDE DE LA CINETIQUE DE GRAVURE EN FONCTION DES DIFFERENTS PARAMETRES (TEMPERATURE, PRESSION, DEBIT, PUISSANCE, TEMPS DE GRAVURE). LA SURFACE GRAVEE A ETE ANALYSEE PAR LES TECHNIQUES SUIVANTES: LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE; L'EMISSION X; LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION DES IONS SECONDAIRES; L'ELLIPSOMETRIE; LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS AUGER; LA DLTS. LES DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ONT MONTRE L'EXISTENCE D'UNE COUCHE PERTURBEE DE QUELQUES DIZAINES D'ANGSTROMS, AINSI QUE L'APPARITION DE DEPOTS SOUS FORME D'AGREGATS DANS CERTAINS CAS ET QUI SONT COMPOSES ESSENTIELLEMENT DE CHLORE, DE FLUOR ET DE GALLIUM. DES CONDITIONS DE GRAVURE DONNANT DES SURFACES AYANT DE BONNES QUALITES ELECTRIQUES (FACTEUR D'IDEALITE N=1,15) ONT ETE TROUVEES. UNE ANALYSE DE LA DECHARGE RADIOFREQUENCE (A 500 KHZ ET A 13,56 MHZ) DE CF::(2)CL::(2) ET CF::(2)CL::(2) + O::(2) A ETE EFFECTUEE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION ET SPECTROSCOPIE DE MASSE QUADRUPOLAIRE. L'ADDITION D'OXYGENE S'ACCOMPAGNE D'UNE AUGMENTATION DE L'EMISSION DE LA RAIE DE CHLORE ATOMIQUE ET D'UNE AUGMENTATION DE LA VITESSE DE GRAVURE POUR LES FAIBLES PROPORTIONS D'OXYGENE (A 500 KHZ). UNE EXPERIENCE DE SIMULATION DE LA GRAVURE A ETE REALISEE DANS UN DISPOSITIF DE MICROANALYSE IONIQUE METTANT EN EVIDENCE LES EFFETS COOPERATIFS MECANIQUE ET CHIMIQUE D'UN FAISCEAU D'IONS ET D'UN JET DE FREON 12 (CF::(2)CL::(2)) DANS LA GRAVURE DU GAAS
Author: Albert G. Baca
Publisher: IET
ISBN: 9780863413537
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 372
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This book provides fundamental and practical information on all aspects of GaAs processing and gives pragmatic advice on cleaning and passivation, wet and dry etching and photolithography. Other topics covered include device performance for HBTs (Heterojunction Bipolar Transistors) and FETs (Field Effect Transistors), how these relate to processing choices, and special processing issues such as wet oxidation, which are especially important in optoelectronic devices. This book is suitable for both new and practising engineers.
Author: Adly El Chamy
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 124
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Author: Marie-Antoinette Di-Forte
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 300
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Études théoriques et expérimentales. Les nouveaux points abordés sont la réalisation d'un laser a résonateur distribue dans GaAs, à fréquence accordable pompe optiquement; l'extension de cette possibilité d'accorder la longueur d'onde à un laser à semi-conducteur à résonateur distribué pompé électriquement, de manière à réaliser un multiplexage en fréquence, en évitant l'emploi de moyens technologiques complexes
Author: Patrick Méquin
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 150
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Author: Philippe Guétin
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 109
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Author: ZOHEIR.. GUENNOUNI
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 194
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE LA COMPENSATION DES PORTEURS LIBRES ET DES CENTRES PROFONDS DANS LES ECHANTILLONS DE GAAS IMPLANTES OU CO-IMPLANTES EN OXYGENE ET EN SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE CAPACITIVE. LES PRINCIPES DES METHODES CLASSIQUES DLTS DE CARACTERISATION DES DEFAUTS ONT ETE DEVELOPPES ET PRESENTES. ON DECRIT EGALEMENT LA NOUVELLE METHODE FTDLTS (DLTS UTILISANT UNE TRANSFORMEE DE FOURIER) QUI PRESENTE UN MEILLEUR POUVOIR SEPARATEUR PERMETTANT DE MIEUX CARACTERISER LES DEFAUTS AYANT DES CONSTANTES DE TEMPS VOISINES. EN CE QUI CONCERNE LA COMPENSATION, ON MONTRE QUE CELLE-CI N'EST PAS DUE SEULEMENT A L'OXYGENE, QU'ELLE DIMINUE EN PRESENCE DE SILICIUM CO-IMPLANTE LORSQUE LE RECUIT EST EFFECTUE A HAUTE TEMPERATURE ET QU'ELLE NE SEMBLE PAS LIEE NON PLUS AUX DEFAUTS DU TYPE EL2. EN CE QUI CONCERNE LES CENTRES PROFONDS, DEUX GROUPES DE DEFAUTS ONT ETE MIS EN EVIDENCE. LE PREMIER GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 220-280 K OU QUATRE DEFAUTS U1, U2, U3 ET U4 DONT LES ENERGIES D'ACTIVATION DES TAUX D'EMISSION SONT CENTREES SUR CELLE DU NIVEAU EL3 ONT ETE CARACTERISES. CES DEFAUTS SEMBLENT ETRE LIES AU DESORDRE DU RESEAU CRISTALLIN DU SUBSTRAT. LE DEUXIEME GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 280-450 K OU LES SIGNATURES DES TROIS DEFAUTS E1, E2, ET E3 DE LA FAMILLE DE DEFAUTS EL2 DU GAAS ONT PU ETRE EVALUEES. LE DEFAUT E1 SEMBLE ETRE UN COMPLEXE DONT FAIT PARTIE L'OXYGENE IMPLANTE, LE DEFAUT E2 EST LIE AUX CONDITIONS DE PREPARATION DU SUBSTRAT ET LE DEFAUT E3 CORRESPOND PROBABLEMENT A EL2
Author: Michel Achard
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 150
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LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CONCERNE LA PRESENTATION DES PRINCIPES DE BASE DE L'ELECTROCHIMIE DES SEMICONDUCTEURS. ENSUITE PAR UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE ET EXPERIMENTALE, NOUS MONTRONS QUE SEUL LE PROCEDE DE GRAVURE PHOTO-ELECTROCHIMIQUE PEUT ETRE EMPLOYE POUR L'APPLICATION ENVISAGEE: LE DECOUPAGE DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES REALISEES SUR DES SUBSTRATS N-GAAS. LA TROISIEME PARTIE DE CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE COMPARATIVE DE LA GRAVURE PHOTO-ELECTROCHIMIQUE DU GAAS DE TYPE N EN MILIEU ACIDE, ACIDE-EAU OXYGENEE ET ACIDE-HYPOCHLORITE. LES TECHNIQUES EXPERIMENTALES UTILISEES RELEVENT DE L'ANALYSE ELECTROCHIMIQUE (I(V), I(T), C(V), IMPS) AINSI QUE DES CARACTERISATIONS PHYSICOCHIMIQUES DES SURFACES TRAITEES (SEM,XPS) ET DES SOLUTIONS D'ATTAQUE (RAMAN). LE RESULTAT LE PLUS MARQUANT EST CELUI DU BILAN FARADAIQUE DE LA PHOTOCORROSION DANS CES MILIEUX OXYDANTS: MOINS DE 6 TROUS PHOTOGENERES SONT NECESSAIRES POUR DISSOUDRE UNE MOLECULE DE GAAS. CE RESULTAT ORIGINAL MONTRE QU'IL EXISTE UNE VERITABLE SYNERGIE ENTRE L'ACTION DE L'AGENT OXYDANT ET L'ACTION DE LA LUMIERE. A PARTIR DE L'ENSEMBLE DE NOS RESULTATS, NOUS PROPOSONS UN MODELE REACTIONNEL PROPRE A CHAQUE TYPE DE SOLUTION D'ATTAQUE. ENFIN, DANS LA DERNIERE PARTIE, NOUS ETUDIONS LA GRAVURE PHOTO-ELECTROCHIMIQUE DU GAAS DE TYPE SEMI-ISOLANT. AU COURS DE CETTE ETUDE EXPLORATOIRE, IL APPARAIT QUE LE COMPORTEMENT PHOTO-ELECTROCHIMIQUE DU SEMI-ISOLANT EST LIMITE CINETIQUEMENT PAR LE TRANSPORT ET LA RECOMBINAISON DES CHARGES PHOTOGENEREES. LA CONSEQUENCE EST UNE ATTAQUE TRES IRREGULIERE ET ALEATOIRE INFLUENCEE, SEMBLE-T-IL PAR LES DEFAUTS ELECTRIQUES MASSIQUES DU MATERIAU
Author: Sylvie Montpied
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 199
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LES TRANSISTORS A EFFET CHAMP A CONTACT METAL-SEMICONDUCTEUR, NON PASSIVES, REALISES SUR ARSENIURE DE GALLIUM SONT SUJET A UNE DEGRADATION PROGRESSIVE DE LEURS PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES AUX HYPERFREQUENCES. CE DEFAUT DE FONCTIONNEMENT EST EN PARTI ATTRIBUE AUX SURFACES D'ARSENIURE DE GALLIUM SITUEES DE PART ET D'AUTRES DE LA GRILLE. LA STABILISATION DES COMPOSANTS REQUIERT DONC DE LA PASSIVATION DE CES ZONES GRACE A DES MATERIAUX DE HAUTE QUALITE DIELECTRIQUE REALISANT UNE INTERFACE STABLE AVEC GAAS. DANS CETTE OPTIQUE, LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE FILMS DE SILICE ET DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA SONT ETUDIEES EN FONCTION DU RAPPORT DES DEBITS DES GAZ EMPLOYE, DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT, DE LA PUISSANCE ET DE LA FREQUENCE DE L'EXCITATION DU PLASMA... CETTE APPROCHE SYSTEMATIQUE PERMET DE DETERMINER DES PARAMETRES DE DEPOT QUI DONNENT DES FILMS AYANT TRES BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES: UNE RESISTIVITE DE 10**(14) A 10**(16) OHM.CM ET UN CHAMP DE CLAQUAGE SUPERIEUR A 10**(6) V/CM SONT AINSI OBTENUS APRES UN RECUIT DONT ON SOULIGNERA L'IMPORTANCE. APRES MISE AU POINT D'UNE PREPARATION DE SURFACE AVANT DEPOT, LA DENSITE D'ETATS SUR LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR A L'INTERFACE GAAS/SI::(3)N::(4) PRESENTE UN MINIMUM DE 7.10**(11) EV**(-2). LES DEPOTS AINSI OPTIMALISES SONT UTILISES POUR LA PASSIVATION DES TRANSISTORS MESFET GAAS. LE RECOUVREMENT D'UN COMPOSANT PAR UNE COUCHE MINCE INTRODUIT UNE MODIFICATION DE SES CARACTERISTIQUES STATIQUES; CELLE-CI EST EXPLIQUEE CONJOINTEMENT PAR UN EFFET PIEZO-ELECTRIQUE ET PAR UN EFFET DE SURFACE INHERENT AU MODE DE DEPOT. SUIVANT LES RESULTATS OBTENUS EN TESTS DE FIABILITE, LE NITRURE DE SILICIUM S'AVERE ETRE LE MEILLEUR CHOIX POUR REUSSIR LA PASSIVATION DU COMPOSANT. DE PLUS, DES PRETRAITEMENTS PAR PLASMA ET UNE MEILLEURE ADAPTATION DU PROCEDE DE FABRICATION AU MODE DE PASSIVATION SONT PROPOSES POUR AMELIORER ENCORE LA STABILITE A LONG TERME DES CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS
Author: John Wilfred Orton
Publisher:
ISBN: 0199695822
Category : Science
Languages : en
Pages : 529
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Book Description
The book is a history of Molecular Beam Epitaxy (MBE) as applied to the growth of semiconductor thin films (note that it does not cover the subject of metal thin films). It begins by examining the origins of MBE, first of all looking at the nature of molecular beams and considering their application to fundamental physics, to the development of nuclear magnetic resonance and to the invention of the microwave MASER. It shows how molecular beams of silane (SiH4) were used to study the nucleation of silicon films on a silicon substrate and how such studies were extended to compound semiconductors such as GaAs. From such surface studies in ultra-high vacuum the technique developed into a method of growing high quality single crystal films of a wide range of semiconductors. Comparing this with earlier evaporation methods of deposition and with other epitaxial deposition methods such as liquid phase and vapour phase epitaxy (LPE and VPE). The text describes the development of MBE machines from the early 'home-made' variety to that of commercial equipment and show how MBE was gradually refined to produce high quality films with atomic dimensions. This was much aided by the use of various in-situ surface analysis techniques, such as reflection high energy electron diffraction (RHEED) and mass spectrometry, a feature unique to MBE. It looks at various modified versions of the basic MBE process, then proceed to describe their application to the growth of so-called 'low-dimensional structures' (LDS) based on ultra-thin heterostructure films with thickness of order a few molecular monolayers. Further chapters cover the growth of a wide range of different compounds and describe their application to fundamental physics and to the fabrication of electronic and opto-electronic devices. The authors study the historical development of all these aspects and emphasise both the (often unexpected) manner of their discovery and development and the unique features which MBE brings to the growth of extremely complex structures with monolayer accuracy.
