Contribution a la modelisation et a la caracterisation des miroirs de courant en technologie CMOS : mise au point de macromodeles PDF Download
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Author: Mohamed Imlahi
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Author: Mohamed Imlahi
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Author: Mohamed Imlahi
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Pages : 248
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DE NOS JOURS, LA MODELISATION COMPORTEMENTALE HIERARCHISEE DEVIENT LA MEILLEURE METHODE DANS LE DOMAINE DE LA SIMULATION ANALOGIQUE, PUISQU'ELLE PERMET DE REDUIRE LE TEMPS DE LA SIMULATION. EN OUTRE, L'ETUDE HIERARCHIQUE D'UNE STRUCTURE ANALOGIQUE AMENE AUSSI UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ASCENDANTE QUI PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LES PROPRIETES INTRINSEQUES DES BLOCS QUI COMPOSENT LES FONCTIONS ANALOGIQUES. D'UNE MANIERE GENERALE, POUR DES CIRCUITS COMPLEXES, LA MISE EN UVRE DE SIMULATIONS PLUS RAPIDES ET LA POSSIBILITE D'OPTER POUR UNE CONCEPTION ASCENDANTE DES CIRCUITS SERA REALISABLE GRACE A LA MODELISATION DE BLOCS FONCTIONNELS ET A L'ELABORATION DE BIBLIOTHEQUES DE MODELES. D'AUTRE PART, LA PLUPART DES NOUVELLES INSISTANCES DANS LA CONCEPTION DU CIRCUIT ANALOGIQUE EST LA FUSION EFFICACE ENTRE LES TECHNIQUES DES TRAITEMENTS DU SIGNAL ANALOGIQUE ET DIGITAL, ET L'UTILISATION DES SYSTEMES BASES SUR LE COURANT COMME PRINCIPAL REGIME. LE MIROIR DE COURANT EST UNE BRIQUE ESSENTIELLE DANS CES TYPES DE CIRCUIT. UNE METHODE D'APPREHENSION DE LA MODELISATION EST PRESENTEE DANS CE MEMOIRE. ELLE S'APPLIQUE A DES FONCTIONS ELEMENTAIRES (BRIQUE DE BASE) QUI SONT LES MIROIRS DE COURANT EN TECHNOLOGIE CMOS. LES RESULTATS OBTENUS DANS CE TRAVAIL ONT UNE PREMIERE IMPORTANCE POUR LE CONCEPTEUR DANS LA SELECTION DES MIROIRS DE COURANT APPROPRIES QUI SATISFASSENT LES DEMANDES ET LES EXIGENCES DES DIFFERENTS ASPECTS DE PERFORMANCE.
Author: Alain Toulouse
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Languages : fr
Pages : 143
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LA REDUCTION DES DIMENSIONS ELEMENTAIRES DANS LES CIRCUITS INTEGRES AUGMENTE DE MANIERE INEXORABLE L'INFLUENCE DES INTERCONNEXIONS DANS L'ESTIMATION DES PERFORMANCES D'UN SYSTEME INTEGRE. LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE S'INCLUE DANS UN EFFORT INTERNATIONAL POUR AMELIORER LA PRECISION DE L'EXTRACTION DE PARASITES A PARTIR D'UN DESSIN DE MASQUES. NOUS AVONS TOUT D'ABORD DEVELOPPE UN DISPOSITIF DE MESURE INTEGRE SUR SILICIUM QUI PERMET DE MESURER AVEC PRECISION DES CAPACITES CONSTANTES AVEC UN COUT EN SURFACE TRES REDUIT PAR RAPPORT AUX METHODES DE MESURES DIRECTES. NOUS POUVONS AINSI MESURER DES CAPACITES DE L'ORDRE DE LA CENTAINE D'ATTO-FARAD AVEC UNE INCERTITUDE DE L'ORDRE DE QUELQUES %. A PARTIR DES RESULTATS DE MESURE, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LES LIMITES DES MODELES D'EXTRACTION CLASSIQUES ET PROPOSER UN MODELE ORIGINAL ET GENERIQUE. CE MODELE NECESSITE UNE SIMPLE ETAPE DE CALIBRATION AFIN DE DETERMINER LES PARAMETRES RELATIFS A UNE TECHNOLOGIE DONNEE SANS QU'IL SOIT NECESSAIRE DE CONNAITRE LES DIMENSIONS VERTICALES DE LA TECHNOLOGIE. LES RESULTATS OBTENUS EN TERME DE PRECISION DU MODELE SONT TRES ENCOURAGEANT POUR DES TECHNOLOGIES SUBMICRONIQUES.
Author: Chen, Xi
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Languages : fr
Pages : 234
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LA REDUCTION DE L'EMISSION PARASITE EST DEVENUE UNE CONTRAINTE MAJEURE DANS LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES. PORTANT INITIALEMENT SUR LES EQUIPEMENTS ELECTRONIQUES, LA CONTRAINTE DE COMPATIBILITE ELECTROMAGNETIQUE S'EST REPERCUTEE SUR LE COMPOSANT LUI MEME, DU FAIT DE L'EVOLUTION TECHNOLOGIQUE ET DE L'AVENEMENT DES SYSTEMES SUR PUCE. LES CIRCUITS INTEGRES DOIVENT DE CE FAIT ETRE SELECTIONNES, AINSI QUE LEURS COMPOSANTS ENVIRONNANTS, DE MANIERE A RESPECTER LES CONTRAINTES CEM DE L'EQUIPEMENT. CEPENDANT, LE COMPORTEMENT CEM DU COMPOSANT FAIT ENCORE RAREMENT PARTIE DE LA SPECIFICATION INITIALE DE CONCEPTION. DE PLUS, NI METHODOLOGIE, NI OUTILS DE SIMULATION PERFORMANTS NE SONT DISPONIBLE. NOTRE TRAVAIL DE THESE CONSISTE, D'UNE PART, A METTRE EN UVRE DES METHODES DE MESURES FIABLES POUR CARACTERISER L'EMISSION PARASITE DU COMPOSANT. CES METHODES S'APPLIQUENT AU MODE CONDUIT ET RAYONNE, SONT REPRODUCTIVES AFIN DE PERMETTRE DE COMPARER ET EVALUER DIFFERENTS PRODUITS. D'AUTRE PART, NOTRE EFFORT A PORTE SUR LA CONSTRUCTION D'UN MODELE GENERAL DU COMPOSANT AFIN DE PREDIRE L'EMISSION PARASITE DE MANIERE SIMPLE ET PRECISE DE 1 A 1000 MHZ. CETTE APPROCHE PERMET D'ANALYSER L'IMPACT DE TECHNIQUES DE REDUCTION D'EMISSION AVANT LA FABRICATION DU COMPOSANT. NOUS AVONS DECRIT DIFFERENTES TECHNIQUES DE REDUCTION DE L'EMISSION PARASITE AU NIVEAU CIRCUIT INTEGRE ET BOITIER. LE MODELE CEM PROPOSE RESPECTE LA CONFIDENTIALITE DE LA STRUCTURE ET DE LA TECHNOLOGIE, TOUT EN ETANT COMPATIBLE AVEC LES OUTILS DE SIMULATION. LE MODELE EST GENERIQUE, PERMETTANT DE S'ADAPTER A TOUS TYPES DE COMPOSANTS, DES ASIC AUX MICROPROCESSEURS, A DES FINS DE NORMALISATION DE LA DESCRIPTION CEM DES COMPOSANTS. LE TRAVAIL A ETE CONDUIT EN COOPERATION AVEC ST MICROELECTRONICS
Author: Alain Toulouse
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Pages : 0
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Author: David Souil
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Languages : fr
Pages : 156
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Ce travail de thèse s'intéresse aux transistors MOS de longueur de grille 50 et 30nm et plus particulièrement à la modélisation de leurs caractéristiques électriques statiques et dynamique. La miniaturisation des composants s'accompagne de phénomènes physiques limitant les performances électriques. Un modèle analytique compact comme Berkeley Short Igfet Model est-il néanmoins en mesure de reproduire le fonctionnement de ces dispositifs ? Le premier objectif de cette thèse se résume à l'analyse de la modélisation de ces effets parasites dans les équations classiques des courants des différents noeuds du transistor. Ces phénomènes liés à la réduction d'échelle altèrent- ils la méthodologie d'extraction des paramètres comme la longueur électrique ? Ce travail vise à évaluer leur impact sur les performances dynamiques comme le temps de propagation et la puissance consommée par le dispositif. Sur quels effets et quelle brique de base élémentaire faut-il particulièrement concentrer les efforts de recherche Enfin, des modifications du procédé de fabrication des transistors comme l'introduction des source/drain surélevés doivent être étudiées pour quantifier les gains éventuels en performance.
Author: Jean-Marc Biffi
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Languages : fr
Pages : 336
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LES CHAINES VIDEO DEDIEES AUX APPLICATIONS SPATIALES SONT ETUDIEES. L'ACCENT EST MIS SUR L'OPTIMISATION DE LA CONCEPTION ANALOGIQUE EN TECHNOLOGIE BICMOS. LA COMPARAISON D'ARCHITECTURES, LA SPECIFICATION DES BLOCS FONCTIONNELS, LA MODELISATION DES TRANSISTORS ELEMENTAIRES, L'OPTIMISATION DE MIROIRS DE COURANT, LA CARACTERISATION SOUS IRRADIATION, LA CONCEPTION DE SUIVEURS ANALOGIQUES ET D'AMPLIFICATEURS, LA REALISATION DE PROTOTYPES DE TEST ET LES MESURES ELECTRIQUES SONT DEVELOPPEES. LES RESULTATS OBTENUS SERVIRONT A LA SYNTHESE D'UNE BIBLIOTHEQUE DE FONCTIONS ANALOGIQUES SPECIFIQUE AU BESOIN SPATIAL
Author: Hélène Beckrich-Ros
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Pages : 188
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L’émergence de la troisième génération de téléphone portable a fait évoluer les usages. Les utilisateurs peuvent désormais bénéficier d’un accès haut débit à l’Internet sans fil ce qui a rendu les services de communication multimedia: visiophonie, MMS, réception de programmes télévisés... Cette diversification du mode d’utilisation d’un portable a fait des amplificateurs de puissance des éléments prépondérants pour la transmission de l’information. C’est pourquoi cette étude propose une contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistor de puissance RF intégrés dans une filière submicronique. Dans ce cadre d’application, il est important de tenir compte de l’influence de la température sur la réponse électrique d’un transistor bipolaire; cet effet est d’autant plus marqué pour les applications de puissance au regard des densités de courant mises en jeu. C’est pourquoi, une analyse des lois en température des paramètres du modèle compact HICUM/L2 est présentée, ainsi que les méthodes d’extraction associées. Puis, les phénomènes d’auto-échauffement et de couplage thermique dans les transistors de puissance sont étudiés à l’aide de simulations physiques et de caractérisations électriques pour mettre au point un modèle nodal SPICE. Finalement, les transistors de puissance sont caractérisés à l’aide de mesure load-pull en appliquant un signal à deux tons sur leur base. Ces caractéristiques sont comparées à des simulations Harmonic Balance de manière à valider le comportement grand signal du modèle HICUM/L2 et sa capacité à modéliser les phénomènes d’intermodulations fréquentielles.
Author: Cecilia Maggioni Mezzomo
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Pages : 0
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Ce travail porte sur la caractérisation et la modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des transistors MOS avancées. La structure de test utilisée est validée expérimentalement au moyen de la méthode de mesure de Kelvin. Pour comprendre le comportement des fluctuations, un modèle est d'abord proposé pour le régime linéaire. Il permet de modéliser les fluctuations de la tension de seuil des transistors avec implants de poche pour toutes les longueurs de transistor et aussi pour toute la gamme de tension de grille. Ensuite, l'appariement du courant de drain est caractérisé et modélisé en fonction de la tension de drain. Pour modéliser les caractéristiques réelles de transistors sans implants de poche, il est nécessaire de considérer la corrélation des fluctuations de la tension de seuil et celles de la mobilité. De plus, des caractérisations sur des transistors avec implants de poche montrent un nouveau comportement de l'appariement du courant de drain. Des caractérisations ont aussi été menées pour analyser l'impact des fluctuations de la rugosité de grille.
Author: Olivier Rinaudo
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Pages : 338
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CETTE ETUDE PROPOSE UN OUTIL GLOBAL POUR LA CARACTERISATION DES TECHNOLOGIES CMOS A TRAVERS LES PARAMETRES SPICE EXTRAITS DE MICROSTRUCTURES DE TEST ADAPTEES. LE DEVELOPPEMENT DES CONDITIONS DE TEST ET UNE STRATEGIE ORIGINALE D'OPTIMISATION DES PARAMETRES SONT PRESENTES. DE PLUS, UNE AMELIORATION DU MODELE SPICE AINSI QU'UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION DES RESISTANCES D'ACCES PARASITES SONT EXPOSEES. ENFIN, LA MESURE DES PARAMETRES S DE TRANSISTORS A PERMIS DE CARACTERISER LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU MODELE SPICE AINSI QUE LES PROPRIETES DE L'INTERFACE (SI/SIO#2)
