Conception et réalisation d'un échantillonneur de grande vitesse en technologie HIGFET, transistor à effet de champ avec hétérostructure et grille isolée [microforme] PDF Download
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![Conception et réalisation d'un échantillonneur de grande vitesse en technologie HIGFET, transistor à effet de champ avec hétérostructure et grille isolée [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/mQeHtgAACAAJ?fife=w150-h200)
Author: Mihai Tazlauanu
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612330313
Category :
Languages : fr
Pages : 168
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![Conception et réalisation d'un échantillonneur de grande vitesse en technologie HIGFET, transistor à effet de champ avec hétérostructure et grille isolée [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/mQeHtgAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Mihai Tazlauanu
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612330313
Category :
Languages : fr
Pages : 168
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Author: Philippe Dollfus
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 156
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Ce travail porte sur l'étude d'un transistor appelé HIGFET (Heterojunction Insulated Gate FET) qui offre les avantages des hautes mobilités du TEGFET (ou HEMT) tout en adoptant le principe d'une grille isolée. Le HIGFET exploite un canal d'électrons accumulés contre une hétéro-interface épitaxiée en accord de maille. Le matériau grand gap sur lequel est déposé l'isolant n'a ici qu'un rôle d'espaceur : il s'interpose entre les électrons de conduction et les défauts de l'interface isolant amorphe-semiconducteur qui affectent le transport des électrons froids dans la zone de commande (entrée du canal) du MISFET à accumulation. Le premier chapitre commence par un bref rappel sur le principe des différentes structures comparables au HIGFET (HEMT, SISFET, MISFET). Nous faisons ensuite la synthèse se des données expérimentales concernant les paramètres physiques et technologiques importants pour l'élaboration et le fonctionnement du transistor. Le second chapitre consiste en une première approche du fonctionnement du HIGFET sous l'aspect du contrôle du canal par la grille en fonction des paramètres physiques des matériaux envisagés et en tenant compte de l'état de l'art technologique; à cet effet, un logiciel de simulation du comportement capacitif de diodes MISS (métal-isolant-semiconducteurs) unidimensionnelles a été mis au point. Le troisième chapitre rend compte de simulations Monte-Carlo de structures HIGFET Si02/lnA1As/GaInAs et Si02/lnP/GalnAs sur substrat InP. Ces modélisations ont permis décrire le transport des électrons dans le canal et d'évaluer les performances intrinsèques du composant.
Author: HABIBA.. HAFDALLAH-OUSLIMANI
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Languages : fr
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CETTE THESE TRAITE LE COMPORTEMENT FORTEMENT NON LINEAIRE DES DISPOSITIFS ULTRA-RAPIDES (INTERFEROMETRES JOSEPHSON ET TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SUBMICRONIQUES) EN REGIME D'ECHANTILLONNAGE TEMPOREL. L'ETUDE COUVRE A LA FOIS LES ASPECTS DE MODELISATION DE COMPOSANT, CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATIONS EXPERIMENTALES DE CIRCUIT. LA PARTIE A PRESENTE UN RESUME SUR LES STRUCTURES ET LES TECHNIQUES ACTUELLES POUR L'ECHANTILLONNAGE TEMPOREL. LA PARTIE B CONCERNE LA CONCEPTION ET L'OPTIMISATION D'UN ECHANTILLONNEUR SUPRACONDUCTEUR EN TECHNOLOGIE JOSEPHSON POUR LA MESURE IN SITU, AUX TEMPERATURES CRYOGENIQUES, DE LA REPONSE DES PORTES LOGIQUES REALISEES DANS LA MEME TECHNOLOGIE. AU COURS DE CETTE ETUDE NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE PAR SIMULATION L'IMPORTANCE DES EFFETS DE PROPAGATION SUR LES FORMES D'ONDES A L'ECHELLE DE LA PICOSECONDE. L'OPTIMISATION COMPLETE DE L'ENSEMBLE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES A PERMIS DE CONCEVOIR UN GENERATEUR D'IMPULSION DE LARGEUR 3PS ET UNE PORTE D'ECHANTILLONNAGE DE RESOLUTION MEILLEURE QUE 3PS. LA PARTIE C CONCERNE PRINCIPALEMENT: 1) L'ANALYSE DES CAUSES PHYSIQUES DE LA LIMITATION DE LA VITESSE DES COMPOSANTS ULTRA-RAPIDES EN REGIME D'ECHANTILLONNAGE ET DU ROLE CRITIQUE DES NON-LINEARITES; 2) LA CONCEPTION ET LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE COMPLETE DE PORTES A ECHANTILLONNAGE A FET GAAS. L'ETUDE DU COMPORTEMENT TEMPOREL DYNAMIQUE FORTEMENT NON LINEAIRE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN REGIME D'ECHANTILLONNAGE EST BASEE SUR LA MISE EN UVRE D'UN NOUVEAU MODELE EXPERIMENTAL TRES GRAND SIGNAL DEVELOPPE DANS LE GROUPE. L'ENSEMBLE DES NON-LINEARITES EST DECRITE PAR DES TABLES DE VALEURS EXPERIMENTALES 2D EN FONCTION DES COMMANDES INTERNES. L'ETUDE PORTE SUR L'ANALYSE DES NON-LINEARITES LORS DU REGIME TRANSITOIRE ASSOCIE A UNE PRISE D'ECHANTILLON ET SUR LA DETERMINATION (SIMULATION ET MESURE) DE LA REPONSE INDICIELLE. CE TRAVAIL A CONTRIBUE A LA MISE EN UVRE ET
Author: Thierry Aguila
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Languages : fr
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UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE TYPE MIS (METAL ISOLANT SEMICONDUCTOR) A ETE REALISE A PARTIR D'UNE HETEROSTRUCTURE GAALAS/GAAS NON INTENTIONNELLEMENT DOPEE AISEMENT OBTENUE PAR LES METHODES D'EPITAXIE CLASSIQUES. CE TRANSISTOR, APPELE MISFET OU SISFET SELON LA NATURE METALLIQUE OU SEMICONDUCTRICE DU MATERIAU DE GRILLE, EST COMPARABLE A UN TRANSISTOR A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (HEMT). EN EFFET, CE DERNIER UTILISE UNE HETEROSTRUCTURE IDENTIQUE DONT LA COUCHE GAALAS EST DOPEE. L'ABSENCE DE DOPAGE AFFRANCHIT LE MISFET-SISFET DES EFFETS INDESIRABLES RENCONTRES LORS DU FONCTIONNEMENT DU HEMT. DES TRANSCONDUCTANCES ELEVEES (450 MS/M) POUR UNE LONGUEUR DE GRILLE DE 1M), ET DES DISPERSIONS DE TENSION DE SEUIL COMPATIBLES AVEC LE DEVELOPPEMENT DE CIRCUITS NUMERIQUES, CONFIRMENT LE POTENTIEL PROMETTEUR DE CE NOUVEAU COMPOSANT POUR LA PROCHAINE GENERATION DE CIRCUITS INTEGRES. DE PLUS, CE TRANSISTOR PRESENTE LA PARTICULARITE DE POUVOIR ACCUMULER, A LA MEME HETERO-INTERFACE, AUSSI BIEN UN GAZ QUASI-BIDIMENSIONNEL D'ELECTRONS QUE DE TROUS, QUI REND POSSIBLE LA FABRICATION DE TRANSISTORS DE TYPE N ET P SUR LA MEME PLAQUETTE. CETTE PROPRIETE A PERMIS LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEMENTAIRES FONCTIONNELS SUR GAAS. DE PLUS, PLUSIEURS CELLULES NUMERIQUES UTILISANT DES PORTES LOGIQUES TRES RAPIDES, A CHARGES RESISTIVES, ONT ETE REALISEES. DES REGIMES SPECIFIQUES DE RESISTANCE DIFFERENTIELLE ET DE TRANSCONDUCTANCE NEGATIVES, LIES A LA STRUCTURE DU DISPOSITIF, ONT ETE OBSERVES. CES EFFETS ONT ETE UTILISES POUR REALISER PLUSIEURS FONCTIONS ELECTRONIQUES SUIVANT DES CIRCUITS DE FAIBLE COMPLEXITE
![Réalisation d'un transistor à effet de champ à grille isolée sur arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/KaEYQwAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Christian Dubuc
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612217485
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Languages : fr
Pages : 92
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Author: Virginie Hoel
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Languages : fr
Pages : 0
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Les nouvelles applications necessitent des frequences de travail toujours plus elevees. Pour cela, nous souhaitons realiser des circuits amplificateurs faible bruit performants en technologie coplanaire travaillant en gamme d'ondes millimetriques. Le composant cle pour realiser ces circuits est le transistor a effet de champ a heterojonction hemt (high electron mobility transistor). Par consequent, nous developpons dans ce memoire la conception, la realisation et la caracterisation de transistors hemts performants de longueur de grille submicronique en technologie coplanaire. La technologie utilisee pour realiser la grille est de type nitrure. Les transistors sont naturellement passives par une couche de nitrure de silicium de 800a qui protege la zone active. Le pied de grille est insere dans cette couche de dielectrique ce qui permet d'obtenir des grilles robustes avec des longueurs de grille inferieures a 0.1 m. Ce travail, soutenu financierement par la dga, fait l'objet d'une collaboration avec la societe dassault electronique. Nous presentons le principe de fonctionnement et les differentes structures hemts. L'etat de l'art permet de constater la superiorite des heterojonctions alinas/gainas sur substrat inp. Les hemts sont donc realises sur des structures alinas/gainas adaptees en maille sur inp realisees au laboratoire. Nous etudions ensuite la conception des motifs transistors adaptes a la realisation de circuits integres en technologie coplanaire. Puis, nous decrivons les differentes etapes technologiques qu'il a fallu optimiser pour aboutir a la realisation de hemts performants avec un bon rendement de fabrication. Nous etudions les performances hyperfrequences et en bruit des transistors.
Author: Poul-Erik Schmidt
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Languages : en
Pages : 176
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This work is devoted to the study of Semiconductor Insulator Semiconductor Field Effect Transistors (SISFET), a promising device for integrated circuits, since very good threshold voltage control and uniformity can be obtained, and it should be possible to realize complementary circuits. During this work we have for the first time successfully grown and processed pseudomorphic GaAs/GalnAs/A1GaAs SISFET.From electrical measurements and modelling the residual doping level, and the effective barrier height of the A10.4Ga0.6As barrier layer has been deduced. Photoluminescense measurements have been performed on the pseudomorphic structures in order to determine the Indium content of the GainAs layer.A self-aligned technology has been established in order to fabricate high performance devices. The process includes first an anisotropic etch of the gate using Reactive Ion Etching. Next a silicon nitride sidewall is formed. A self-aligned ion implantation followed by rapid thermal annealing is used to form highly doped source and drain contacts. DC characterizations are presented. For 1μm SISFETs state-of-the-art results have been obtained, with a transconductance of 240 mS/mm. The transconductance of the pseudomorphic SISFET is even higher with a maximum value of 273 mS/mm. Our SISFET's have a source resistance of only 0.16 Ωmm which is the lowest ever reported. A very good on-wafer threshold voltage uniformity has been obtained with a standard deviation of only 11mV for the conventional SISFETs.Hot electron effects have been observed and are discussed. We show that this induces a negative differential resistance regime in the the drain current characteristics
Author: Jean-François Thiéry
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Languages : fr
Pages : 261
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CE TRAVAIL CONCERNE LE DEVELOPPEMENT DE TRANSISTORS HIGFETS (HETEROSTRUCTURE INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS) COMPLEMENTAIRES, REALISES A PARTIR D'UNE HETEROSTRUCTURE PSEUDOMORPHIQUE ALGAAS / INGAAS / GAAS NON INTENTIONNELLEMENT DOPEE. L'ABSENCE DE DOPAGE EST ESSENTIELLE AFIN D'ENVISAGER LA QUASI-UNIFORMITE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, ET NOTAMMENT LA TENSION DE SEUIL, SUR TOUT UN SUBSTRAT. DE PLUS, CE TRANSISTOR PRESENTE LA PARTICULARITE DE POUVOIR ACCUMULER, A L'INTERFACE ALGAAS/INGAAS, AUSSI BIEN UN GAZ BI-DIMENSIONNEL D'ELECTRONS QUE DE TROUS, RENDANT POSSIBLE LA REALISATION DE TRANSISTORS DE TYPE N ET DE TYPE P SUR LA MEME PLAQUETTE. CES AVANTAGES RENDENT LE TRANSISTOR HIGFET PARFAITEMENT FIABLE, DE PAR SA STRUCTURE, ET EN FONT AINSI UN EXCELLENT CANDIDAT POUR UNE UTILISATION DANS DES CIRCUITS INTEGRES RAPIDES ET A FAIBLE CONSOMMATION EN LOGIQUE COMPLEMENTAIRE. POUR LA REALISATION DES COMPOSANTS, IL ETAIT INDISPENSABLE DE METTRE AU POINT UNE TECHNOLOGIE AUTO-ALIGNEE COMPLEMENTAIRE, ET EN PARTICULIER CERTAINES ETAPES CRITIQUES TELLES QUE LA FORMATION DE LA GRILLE REFRACTAIRE (PULVERISATION DE WSI ET GRAVURE PLASMA), LES IMPLANTATIONS IONIQUES (SI POUR LE TRANSISTOR DE TYPE N ET BE+P POUR LE TRANSISTOR DE TYPE P), LE RECUIT THERMIQUE RAPIDE ET LES CONTACTS OHMIQUES (BASES SUR DES METALLISATIONS DE AUGE ET DE AU/MN). D'EXCELLENTS RESULTATS ONT COURONNE LES REALISATIONS DE TRANSISTORS DE TYPE N ET DE TYPE P, AVEC NOTAMMENT DES VALEURS DE TRANSCONDUCTANCES, DE FREQUENCES DE COUPURE EXTRINSEQUES ET DE COURANTS A L'ETAT FERME AU MEILLEUR NIVEAU MONDIAL POUR DES LONGUEURS DE GRILLES DE 1M ET DE 0.5M. DIVERS PHENOMENES ONT ETE MIS EN EVIDENCE, TELS QUE L'APPARITION D'EFFETS DE CANAL COURT, POUR DE FAIBLES LONGUEURS DE GRILLE, QUI NECESSITERA UN TRAVAIL IMPORTANT POUR LE DEVELOPPEMENT D'UNE FILIERE COMPLEMENTAIRE SUBMICRONIQUE. UNE CARACTERISATION APPROFONDIE EN MICRO-ONDES A PERMIS DE METTRE EN AVANT LE POTENTIEL DU TRANSISTOR HIGFET POUR DES APPLICATIONS ANALOGIQUES MONO-TENSION D'ALIMENTATION EN HYPERFREQUENCES
Author: Tarek Ahmad-Shawki
Publisher:
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Category :
Languages : en
Pages : 186
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Book Description
L'auteur présente un nouveau modèle de transistor à effet de champ à hétérostructure et à grille submicronique. Il est basé sur la résolution bidimensionnelle des équations fondamentales des semiconducteurs déduites de l'équation de transport de Boltzmann et incluant les effets de relaxation du moment et de l'énergie. Il décrit les phénomènes physiques essentiels qui conditionnent le transfert électronique dans ces structures et discute la validité des équations qu'il utilise pour les représenter. Il développe largement l'éventail des méthodes numériques nouvelles mises en oeuvre pour leur résolution. Grâce à ce modèle, validé par l'expérience, il met en évidence l'influence de nombreux phénomènes physiques sur le comportement et les performances de composants. Il aboutit à des règles d'optimisation, particulièrement utiles pour la conception des nouveaux dispositifs pour les gammes millimétriques.
