Conception de circuits integres analogiques a base de transistors bipolaires TBH-GaAs PDF Download
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Author: Mohamed Mekhatri
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Languages : fr
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Author: Mohamed Mekhatri
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Yann Deval
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Languages : fr
Pages : 177
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Author: Yann Deval
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Languages : fr
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Author: Raul-Andrés Bianchi
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Languages : fr
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Author: Christian CAILLON
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Languages : fr
Pages : 228
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Author: Faouzi Chaahoub
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Languages : fr
Pages : 0
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La realisation des circuits integres analogiques a hautes performances souffre de difficultes principalement dues a la reduction de la tension d'alimentation et a la reduction de la consommation, qui sont conduites par la proliferation des systemes portables alimentes par des batteries, mais patit aussi du manque d'outils de c.a.o permettant d'automatiser la phase de layout qui est assez laborieuse et prend beaucoup de temps. Cette these se situe dans ce contexte. Elle traite de deux domaines assez distincts mais complementaires, a savoir la conception de circuits integres analogiques a faible tension d'alimentation, et la generation automatique (ou assistee) du layout de ces circuits a l'aide d'algorithmes et de logiciels appropries. L'aboutissement de cette these est, premierement, la creation d'une nouvelle methode de conception des circuits integres analogiques, plus precisement la generation d'une technique de conception de nouvelle structure, plus adaptee aux basses tensions d'alimentation et aux faibles consommations, deuxiemement, notre contribution a l'automatisation de la phase du layout des circuits integres analogiques, a savoir l'etude detaillee des contraintes analogiques a prendre en compte dans tout outil d'automatisation du layout (generateur, placeur, routeur, compacteur), ainsi que notre participation au developpement de chrvan (outils d'automatisation des masques des circuits integres analogiques et mixtes, developpes au cnet grenoble) en aidant a sa mise au point, en l'utilisant, en proposant des ameliorations, et surtout en consacrant tous nos efforts a developpe un algorithme de placement des cellules analogiques qui prend en compte toutes ces contraintes analogiques.
Author: Florence Azais
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Languages : fr
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Author: Ramy Iskander
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Languages : en
Pages : 274
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Les concepteurs des circuits intégrés VLSI ont inventé des méthodes permettant d'exploiter la complexité croissante des circuits intégrés à haute densité d'intégration. L'une d'elles consiste à concevoir des systèmes embarqués sur puce (SoC) à l'aide de blocs pré-existants et déjà validés (appelés IP, comme Intellectual Property), qu'ils aient été élaborés en interne à l'entreprise réalisant le SoC ou issus d'une tierce partie. S'il existe un flot descendant bien établi pour concevoir les blocs intégrés numériques, la conception de circuits analogiques reste toujours une opération sur mesure. Dans cette thèse, nous proposons une méthode pour automatiser le dimensionnement et la polarisation d'un circuit analogique dans le cas général, conduisant ainsi à une définition possible d'un IP analogique. Cette méthode permet de générer automatiquement une procédure pour calculer les dimensions d'une topologie électrique connue et son point de fonctionnement en se fondant sur l'expression de la connaissance du concepteur.
Author: Faouzi Chaahoub
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ISBN: 9782913329379
Category :
Languages : fr
Pages : 181
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LA REALISATION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES A HAUTES PERFORMANCES SOUFFRE DE DIFFICULTES PRINCIPALEMENT DUES A LA REDUCTION DE LA TENSION D'ALIMENTATION ET A LA REDUCTION DE LA CONSOMMATION, QUI SONT CONDUITES PAR LA PROLIFERATION DES SYSTEMES PORTABLES ALIMENTES PAR DES BATTERIES, MAIS PATIT AUSSI DU MANQUE D'OUTILS DE C.A.O PERMETTANT D'AUTOMATISER LA PHASE DE LAYOUT QUI EST ASSEZ LABORIEUSE ET PREND BEAUCOUP DE TEMPS. CETTE THESE SE SITUE DANS CE CONTEXTE. ELLE TRAITE DE DEUX DOMAINES ASSEZ DISTINCTS MAIS COMPLEMENTAIRES, A SAVOIR LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES A FAIBLE TENSION D'ALIMENTATION, ET LA GENERATION AUTOMATIQUE (OU ASSISTEE) DU LAYOUT DE CES CIRCUITS A L'AIDE D'ALGORITHMES ET DE LOGICIELS APPROPRIES. L'ABOUTISSEMENT DE CETTE THESE EST, PREMIEREMENT, LA CREATION D'UNE NOUVELLE METHODE DE CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES, PLUS PRECISEMENT LA GENERATION D'UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION DE NOUVELLE STRUCTURE, PLUS ADAPTEE AUX BASSES TENSIONS D'ALIMENTATION ET AUX FAIBLES CONSOMMATIONS, DEUXIEMEMENT, NOTRE CONTRIBUTION A L'AUTOMATISATION DE LA PHASE DU LAYOUT DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES, A SAVOIR L'ETUDE DETAILLEE DES CONTRAINTES ANALOGIQUES A PRENDRE EN COMPTE DANS TOUT OUTIL D'AUTOMATISATION DU LAYOUT (GENERATEUR, PLACEUR, ROUTEUR, COMPACTEUR), AINSI QUE NOTRE PARTICIPATION AU DEVELOPPEMENT DE CHRVAN (OUTILS D'AUTOMATISATION DES MASQUES DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES, DEVELOPPES AU CNET GRENOBLE) EN AIDANT A SA MISE AU POINT, EN L'UTILISANT, EN PROPOSANT DES AMELIORATIONS, ET SURTOUT EN CONSACRANT TOUS NOS EFFORTS A DEVELOPPE UN ALGORITHME DE PLACEMENT DES CELLULES ANALOGIQUES QUI PREND EN COMPTE TOUTES CES CONTRAINTES ANALOGIQUES.
Author: Raul-Andrés Bianchi
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Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
Cette these se situe dans le domaine de la microelectronique en haute temperature. Actuellement les technologies de circuits integres plus poussees, en termes de densite d'integration, cout, et fiabilite, utilisent encore le silicium comme materiau de base. Ces technologies sont concues pour permettre une large duree de vie, dans une plage de temperature donnee, typiquement de 0 a 100 c. D'autres technologies se developpent aussi, notamment le sic (de plus large bande interdite) et le soi couche mince (ou la surface des jonctions parasites son fortement reduites), pour satisfaire les besoins des applications a des tres hautes temperatures. Ayant actuellement des performances inferieures, en termes de cout et de densite d'integration, elles restent beaucoup moins competitives que les technologies standards sur substrat de silicium. De plus, il est prevu que, dans les prochains dix ans, plus de 70% des applications en haute temperature correspondront encore a des applications automobiles et petrolieres ayant des temperatures d'operation intermediaires, inferieures a 200 c. A partir de l'etude de la physique des composants semiconducteurs et des materiaux pour la microelectronique, cette these elargit jusqu'a environ 250 c la plage de temperature d'utilisation des technologies cmos et bicmos standards, sur substrat de silicium, a travers des techniques de conception de circuits integres, sans toutefois modifier les procedes de fabrication. Les etudes et les tests ont ete experimentes sur une technologie cmos et une technologie bicmos commerciales. Ces conclusions sont transferables a toute technologie semblable actuelle. De plus, les performances en temperature semblent ameliorer dans le futur, du fait que l'augmentation de la densite d'integration entraine une augmentation des concentrations des dopants et une reduction de la surface des jonctions d'isolation. Deux applications industrielles, representatives du marche potentiel des applications des circuits integres en haute temperature, ont permis de verifier dans la pratique les resultats theoriques obtenus.
