Caractérisation optique de l'implantation ionique à haute énergie dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF Download
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![Caractérisation optique de l'implantation ionique à haute énergie dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/Z1osNAEACAAJ?fife=w150-h200)
Author: Richard Arès
Publisher: Montréal : Service des archives, Université de Montréal, Section Microfilm
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 200
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![Caractérisation optique de l'implantation ionique à haute énergie dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/Z1osNAEACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Richard Arès
Publisher: Montréal : Service des archives, Université de Montréal, Section Microfilm
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 200
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Author: Richard Arès
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 200
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![Implantation ionique à haute énergie du silicium dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/snioSgAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Abdellah Azelmad
Publisher: Bibliothèque nationale du Canada
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 248
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Author: Pierre-Noël Favennec
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 121
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MISE EN EVIDENCE DE LA CREATION D'UNE COUCHE DE TYPE P PAR IMPLANTATION D'IONS DE 1MEV DANS N-GAAS, DE LA POSSIBILITE DE DETERMINER LE PROFIL D'IMPURETE PAR MESURE A LA SONDE IONIQUE; ETUDE PAR MESURE D'EFFET HALL ET DECAPAGE CHIMIQUE. EXISTENCE D'UNE COUCHE INTRINSEQUE ENTRE LA COUCHE P ET LE SUBSTRAT N. RESTAURATION DES PROFILS DE DEFAUTS PAR RECUIT, ON DISTINGUE LES DEUX CAS OU L'IMPLANTATION A CREE UNE ZONE AMORPHE OU NON. PROPOSITION D'UN MODELE PERMETTANT D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE MESURES ELECTRIQUES (MACROSCOPIQUES) ET MESURES DE CANALISATION MICROSCOPIQUE.
Author: Pierre-Noël Favennec
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 121
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MISE EN EVIDENCE DE LA CREATION D'UNE COUCHE DE TYPE P PAR IMPLANTATION D'IONS DE 1MEV DANS N-GAAS, DE LA POSSIBILITE DE DETERMINER LE PROFIL D'IMPURETE PAR MESURE A LA SONDE IONIQUE; ETUDE PAR MESURE D'EFFET HALL ET DECAPAGE CHIMIQUE. EXISTENCE D'UNE COUCHE INTRINSEQUE ENTRE LA COUCHE P ET LE SUBSTRAT N. RESTAURATION DES PROFILS DE DEFAUTS PAR RECUIT, ON DISTINGUE LES DEUX CAS OU L'IMPLANTATION A CREE UNE ZONE AMORPHE OU NON. PROPOSITION D'UN MODELE PERMETTANT D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE MESURES ELECTRIQUES (MACROSCOPIQUES) ET MESURES DE CANALISATION MICROSCOPIQUE
Author: KHEMISTI.. AKMOUM
Publisher:
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Languages : fr
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LE BUT DE CE TRAVAIL EST DE POUVOIR PREDIRE L'ETAT D'ENDOMMAGEMENT DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM APRES IMPLANTATION IONIQUE. CE TRAVAIL COMPREND DEUX PARTIES: 1) LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE AUX ASPECTS THEORIQUES. APRES LA PRESENTATION DES PHENOMENES D'INTERACTION ION-MATIERE, NOUS DEVELOPPONS LES DIFFERENTS MODELES D'AMORPHISATION SOUS BOMBARDEMENT IONIQUE. UNE ATTENTION PARTICULIERE EST APPORTEE AU MODELE DE LA DENSITE D'ENERGIE CRITIQUE DONT NOUS DECRIVONS SUCCESSIVEMENT LE PRINCIPE, L'UTILISATION ET LES LIMITES DE VALIDITE. POUR TERMINER CETTE PARTIE NOUS DONNONS LES PRINCIPALES PROPRIETES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM ET LES DEFAUTS NATIFS OU D'IRRADIATION DU MATERIAU; 2) LA DEUXIEME PARTIE TRAITE LES ASPECTS EXPERIMENTAUX. APRES UN BREF RAPPEL DE LA TECHNIQUE EXPERIMENTALE UTILISEE, NOUS EXPOSONS ET DISCUTONS LES RESULTATS OBTENU DURANT CE TRAVAIL. DIFFERENTS EFFETS SONT ETUDIES EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES QUI GOUVERNENT L'IMPLANTATION IONIQUE: DOSE, ENERGIE ET MASSE DE L'ION, FLUX ET TEMPERATURE DU SUBSTRAT. POUR CHAQUE SYSTEME ETUDIE (ION, ENERGIE, SUBSTRAT, FLUX ET TEMPERATURE) DIVERS ECHANTILLONS ONT ETE CARACTERISES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. LA LOCALISATION DE L'EXTENSION DES COUCHES AMORPHES GENEREES PAR IMPLANTATION SUR UN DIAGRAMME DOSE/PROFONDEUR ET LA CONFRONTATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX AUX PREDICTIONS THEORIQUES PERMET DE DEDUIRE LA VALEUR DE LA DENSITE D'ENERGIE CRITIQUE (EDC) NECESSAIRE A LA TRANSITION DE L'ARSENIURE DE GALLIUM DE L'ETAT CRISTALLIN A L'ETAT AMORPHE. NOUS CONCLUONS QUE CETTE VALEUR DE EDC, COUPLEE A LA DISTRIBUTION DE L'ENERGIE DE DOMMAGE PERMET DE PREDIRE L'ETAT D'ENDOMMANGEMENT DE L'ARSENIURE DE GALLIUM
