Caractérisation et modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des dispositifs en technologies CMOS avancées PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Caractérisation et modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des dispositifs en technologies CMOS avancées PDF full book. Access full book title Caractérisation et modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des dispositifs en technologies CMOS avancées by Cecilia Maggioni Mezzomo. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Cecilia Maggioni Mezzomo
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
Ce travail porte sur la caractérisation et la modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des transistors MOS avancées. La structure de test utilisée est validée expérimentalement au moyen de la méthode de mesure de Kelvin. Pour comprendre le comportement des fluctuations, un modèle est d'abord proposé pour le régime linéaire. Il permet de modéliser les fluctuations de la tension de seuil des transistors avec implants de poche pour toutes les longueurs de transistor et aussi pour toute la gamme de tension de grille. Ensuite, l'appariement du courant de drain est caractérisé et modélisé en fonction de la tension de drain. Pour modéliser les caractéristiques réelles de transistors sans implants de poche, il est nécessaire de considérer la corrélation des fluctuations de la tension de seuil et celles de la mobilité. De plus, des caractérisations sur des transistors avec implants de poche montrent un nouveau comportement de l'appariement du courant de drain. Des caractérisations ont aussi été menées pour analyser l'impact des fluctuations de la rugosité de grille.
Author: Cecilia Maggioni Mezzomo
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
Ce travail porte sur la caractérisation et la modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des transistors MOS avancées. La structure de test utilisée est validée expérimentalement au moyen de la méthode de mesure de Kelvin. Pour comprendre le comportement des fluctuations, un modèle est d'abord proposé pour le régime linéaire. Il permet de modéliser les fluctuations de la tension de seuil des transistors avec implants de poche pour toutes les longueurs de transistor et aussi pour toute la gamme de tension de grille. Ensuite, l'appariement du courant de drain est caractérisé et modélisé en fonction de la tension de drain. Pour modéliser les caractéristiques réelles de transistors sans implants de poche, il est nécessaire de considérer la corrélation des fluctuations de la tension de seuil et celles de la mobilité. De plus, des caractérisations sur des transistors avec implants de poche montrent un nouveau comportement de l'appariement du courant de drain. Des caractérisations ont aussi été menées pour analyser l'impact des fluctuations de la rugosité de grille.
Author: Isabelle Sirot
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 180
Get Book Here
Book Description
DANS LE DOMAINE DE LA SIMULATION TEMPORELLE DE CIRCUITS ELECTRONIQUES, BEAUCOUP D'ATTENTION A ETE PORTEE A LA MODELISATION DE DISPOSITIFS (DIODES, TRANSISTORS,) MAIS RELATIVEMENT PEU A LA MODELISATION DES INTERFACES (LES SIGNAUX ELECTRIQUES). LA REPRESENTATION DES SIGNAUX EST TRES DIFFERENTE SELON LE NIVEAU DE SIMULATION UTILISE. AU NIVEAU LE PLUS HAUT, LES SIGNAUX SONT DECRITS COMME DES ECHELONS OU DES RAMPES DE TENSION. DANS CERTAINS CAS, CES REPRESENTATIONS SONT TROP SOMMAIRES POUR QUE LA PRECISION DE LA SIMULATION SOIT SATISFAISANTE. AU NIVEAU LE PLUS BAS, LES SIGNAUX SONT DECRITS EXHAUSTIVEMENT PAR UNE FONCTION V(T) ECHANTILLONNEE TEMPORELLEMENT (RESOLUTION DU CALCUL) ET SPATIALEMENT (PRECISION DE LA REPRESENTATION NUMERIQUE). LES SIGNAUX SONT PAR NATURE NON ALEATOIRES ET PEUVENT ETRE MODELISES DE MANIERE PLUS ELABOREE. DANS CERTAINES APPLICATIONS EN PARTICULIER A CHAQUE FOIS QU'IL FAUT STOCKER OU TRANSMETTRE UN GRAND NOMBRE DE SIGNAUX, IL SERAIT UTILE DE REPRESENTER DES SIGNAUX AVEC UN SIMPLE JEU DE PARAMETRES, AU LIEU D'UNE REPRESENTATION EXHAUSTIVE. NOTRE INTERET PORTERA DONC SUR L'ELABORATION DE MODELES DE SIGNAUX ELECTRIQUES. NOUS MENERONS SEULEMENT UNE ETUDE DES SIGNAUX ECHANGES ENTRE DES PORTES LOGIQUES DE TYPE CMOS. NOUS CHERCHERONS A CARACTERISER LA PRECISION INTRINSEQUE DES DIFFERENTS MODELES DE SIGNAUX PAR RAPPORT AUX SIGNAUX REELS. NOUS CHERCHERONS AUSSI LES MODELES DE SIGNAUX QUI GARANTISSENT, LORSQU'ILS SONT UTILISES EN SIMULATION TEMPORELLE, LA MEILLEURE PRECISION POSSIBLE POUR LA MESURE DES PARAMETRES IMPORTANTS POUR LE CONCEPTEUR (TEMPS DE PROPAGATION, TEMPS DE DESCENTE). NOUS PRESENTERONS TOUT D'ABORD, UN ETAT DE L'ART DES DIFFERENTS MODELES DE COMPOSANTS, MODELES DE SIGNAUX ET MODELES DE PERFORMANCES UTILISES DANS LES SIMULATEURS TEMPORELS. NOUS PROPOSONS UNE NOUVELLE METHODE DE CARACTERISATION DES SIGNAUX ET NOUS EFFECTUONS UNE CARACTERISATION DES PARAMETRES DES SIGNAUX PRESENTES DANS LA BIBLIOGRAPHIE. L'ETUDE DES DIFFERENTS MODELES DE SIGNAUX NOUS MENERA A PROPOSER UNE NOUVELLE METHODE DE REPRESENTATION DE SIGNAUX BASEE SUR LES TECHNIQUES D'INTERPOLATION DE COURBE. NOUS CONSTATERONS ALORS QU'UNE PRECISION INTRINSEQUE DU MODELE PAR RAPPORT AU SIGNAL N'EST PAS NECESSAIRE SUR TOUTE LA DYNAMIQUE DU SIGNAL POUR UNE SIMULATION DE QUALITE. CELA NOUS MENERA A PROPOSER UN NOUVEAU MODELE DE SIGNAL: UN SIGNAL LINEAIRE PAR MORCEAUX. CE MODELE, SIMPLE A DETERMINER, FOURNIT DE BONNES PERFORMANCES EN SORTIE D'UNE PORTE CMOS. L'ANALYSE DE CE MODELE S'EFFECTUERA EN DEUX TEMPS. NOUS PRESENTERONS, TOUT D'ABORD, L'ETUDE ANALYTIQUE DE CE TYPE DE SIGNAL. CETTE ETUDE NOUS PERMETTRA DE DETERMINER LES ZONES D'INFLUENCE DE LA PENTE D'ENTREE DU SIGNAL SUR LA REPONSE D'UN INVERSEUR CMOS. NOUS CARACTERISERONS, ENSUITE, LES PARAMETRES DE CE MODELE POUR OPTIMISER LES PARAMETRES DE PERFORMANCES D'UN INVERSEUR CMOS. ENFIN, NOUS COMPARERONS TOUS LES MODELES DE SIGNAUX PRESENTES PRECEDEMMENT. CETTE COMPARAISON SERA EFFECTUEE EN FONCTION DE LA COMPLEXITE DU SIGNAL ET DE LA PRECISION DES RESULTATS DE SIMULATION. LES SIMULATIONS SERONT EFFECTUEES POUR DIFFERENTS MODELES DE TRANSISTOR D'UNE MEME TECHNOLOGIE CMOS ET POUR DEUX AUTRES TECHNOLOGIES D'INVERSEUR CMOS.
Author: Xavier Begaud
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 1118586573
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 217
Get Book Here
Book Description
Ultra Wide Band Technology (UWB) has reached a level of maturity that allows us to offer wireless links with either high or low data rates. These wireless links are frequently associated with a location capability for which ultimate accuracy varies with the inverse of the frequency bandwidth. Using time or frequency domain waveforms, they are currently the subject of international standards facilitating their commercial implementation. Drawing up a complete state of the art, Ultra Wide Band Antennas is aimed at students, engineers and researchers and presents a summary of internationally recognized studies.
Author: Alain Sibille
Publisher: Academic Press
ISBN: 0123821959
Category : Technology & Engineering
Languages : es
Pages : 385
Get Book Here
Book Description
Foreword from Arogyaswami Paulraj, Professor (Emeritus), Stanford University (USA) - The first book to show how MIMO principles can be implemented in today's mobile broadband networks and components - Explains and solves some of the practical difficulties that arise in designing and implementing MIMO systems - Both theory and implementation sections are written in the context of the most recent standards: IEEE 802.11n (WiFi); IEEE 802.16 (WIMAX); 4G networks (3GPP/3GPP2, LTE)
Author: Roberto Verdone
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 144712314X
Category : Computers
Languages : en
Pages : 696
Get Book Here
Book Description
Reporting the findings of COST 2100, a major European intergovernmental project, this volume offers system designers a good source of guidelines based on channel characterization and measurement-based modeling, as well as worthwhile ideas for future research.
Author: Chevalier François Le
Publisher: Artech House
ISBN: 9781608071357
Category : Radar
Languages : en
Pages : 422
Get Book Here
Book Description
Author: Alain Hébert
Publisher: Presses inter Polytechnique
ISBN: 2553014368
Category : Nuclear physics
Languages : en
Pages : 426
Get Book Here
Book Description
Author: Michael Möser
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 3540927239
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 540
Get Book Here
Book Description
Suitable for both individual and group learning, Engineering Acoustics focuses on basic concepts and methods to make our environments quieter, both in buildings and in the open air. The author’s tutorial style derives from the conviction that understanding is enhanced when the necessity behind the particular teaching approach is made clear. He also combines mathematical derivations and formulas with extensive explanations and examples to deepen comprehension. Fundamental chapters on the physics and perception of sound precede those on noise reduction (elastic isolation) methods. The last chapter deals with microphones and loudspeakers. Moeser includes major discoveries by Lothar Cremer, including the optimum impedance for mufflers and the coincidence effect behind structural acoustic transmission. The appendix gives a short introduction on the use of complex amplitudes in acoustics.
Author: James J. Duderstadt
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN:
Category : Science
Languages : en
Pages : 630
Get Book Here
Book Description
Problems after each chapter
Author: Yousry Azmy
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 9048134110
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 476
Get Book Here
Book Description
Nuclear engineering has undergone extensive progress over the years. In the past century, colossal developments have been made and with specific reference to the mathematical theory and computational science underlying this discipline, advances in areas such as high-order discretization methods, Krylov Methods and Iteration Acceleration have steadily grown. Nuclear Computational Science: A Century in Review addresses these topics and many more; topics which hold special ties to the first half of the century, and topics focused around the unique combination of nuclear engineering, computational science and mathematical theory. Comprising eight chapters, Nuclear Computational Science: A Century in Review incorporates a number of carefully selected issues representing a variety of problems, providing the reader with a wealth of information in both a clear and concise manner. The comprehensive nature of the coverage and the stature of the contributing authors combine to make this a unique landmark publication. Targeting the medium to advanced level academic, this book will appeal to researchers and students with an interest in the progression of mathematical theory and its application to nuclear computational science.
