Analyse physique et modélisation de l'interaction LASER-silicium PDF Download
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Author: Hervé Lapuyade
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Languages : fr
Pages : 230
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Book Description
L'INTERACTION LASER-SILICIUM EST D'ABORD L'OBJET D'UNE ANALYSE PHYSIQUE: LE TAUX DE GENERATION DE PAIRES ELECTRON-TROU QU'INDUIT L'ONDE LASER DANS LE SILICIUM DES CIRCUITS INTEGRES EST MODELISE. DANS LE CADRE DE LA DIFFUSION AMBIPOLAIRE DES PORTEURS EXCEDENTAIRES EN REGIME DE FAIBLE INJECTION, DISTRIBUTION DES PHOTOPORTEURS ET PHOTOCOURANTS SONT ENSUITE ETABLIS SUR LE PLAN ANALYTIQUE DANS DES STRUCTURES ELEMENTAIRES QU'UN FAISCEAU LASER PHOTO-EXCITE. ENFIN, UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION EST PROPOSEE, QUI CONSISTE A INSERER DES CELLULES ACTIVEES PAR FAISCEAU LASER DEDIEES AU TEST INTERNE DES CIRCUITS INTEGRES. LE FONCTIONNEMENT PHYSIQUE ET ELECTRIQUE DE TELLES CELLULES REALISEES EN TECHNOLOGIES CMOS ET BICMOS EST ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATIONS PHYSIQUES TRIDIMENSIONNELLES ET MIXTES
Author: Hervé Lapuyade
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Languages : fr
Pages : 230
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L'INTERACTION LASER-SILICIUM EST D'ABORD L'OBJET D'UNE ANALYSE PHYSIQUE: LE TAUX DE GENERATION DE PAIRES ELECTRON-TROU QU'INDUIT L'ONDE LASER DANS LE SILICIUM DES CIRCUITS INTEGRES EST MODELISE. DANS LE CADRE DE LA DIFFUSION AMBIPOLAIRE DES PORTEURS EXCEDENTAIRES EN REGIME DE FAIBLE INJECTION, DISTRIBUTION DES PHOTOPORTEURS ET PHOTOCOURANTS SONT ENSUITE ETABLIS SUR LE PLAN ANALYTIQUE DANS DES STRUCTURES ELEMENTAIRES QU'UN FAISCEAU LASER PHOTO-EXCITE. ENFIN, UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION EST PROPOSEE, QUI CONSISTE A INSERER DES CELLULES ACTIVEES PAR FAISCEAU LASER DEDIEES AU TEST INTERNE DES CIRCUITS INTEGRES. LE FONCTIONNEMENT PHYSIQUE ET ELECTRIQUE DE TELLES CELLULES REALISEES EN TECHNOLOGIES CMOS ET BICMOS EST ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATIONS PHYSIQUES TRIDIMENSIONNELLES ET MIXTES
Author: Guy Bonnaud
Publisher: Editions Ellipses
ISBN: 2340073855
Category : Science
Languages : fr
Pages : 720
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Cet ouvrage présente l’ensemble des processus induits par l’interaction laser-plasma : la chaîne des processus est détaillée suivant sa chronologie. Les modèles théoriques et les solutions analytiques décrits sont accompagnés de résultats de simulation numérique à différents degrés de complexité. Il propose une large interface avec les mathématiques appliquées. Cet ouvrage s'adresse aux étudiants en master de physique, aux élèves-ingénieur, aux doctorants et aux cercheurs en physique.
Author: Jean-Michel Hodé
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Languages : fr
Pages : 112
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DEFINITION DU MONTAGE EXPERIMENTAL, PRESENTATION DES TECHNIQUES DE CARACTERISATION PHYSIQUE EMPLOYEES, DESCRIPTION DE L'UTILISATION DE COUCHES ENCAPSULANTES ET ANTIREFLET. PROPOSITION D'UN MODELE DES MECANISMES DE CROISSANCE MIS EN JEU ET EXPLICATION DE LA FORMATION DES PRINCIPAUX DEFAUTS COMME LES SOUS-JOINTS DE GRAINS. MODELISATION THERMIQUE DE L'INTERACTION ENTRE LASER ET STRUCTURE SILICIUM SUR ISOLANT TENANT COMPTE DES PHENOMENES PHYSIQUES CARACTERISTIQUES DU PROBLEME: REFLECTIVITE VARIABLE, CHALEUR LATENTE, ASPECT DYNAMIQUE
Author: Jean-Denis Parisse
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Languages : fr
Pages : 183
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Author: Catherine Godlewski
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Languages : fr
Pages : 0
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Ce travail porte sur l'analyse et l'étude du comportement de circuits intégrés en technologie CMOS soumis à un impact laser. Une méthodologie d'implémentation d'un impact laser a été développée et améliorée. Ainsi, elle est applicable à n'importe quelle description électrique d'un circuit CMOS, qu'il soit digital ou analogique. Ce procédé est conçu pour permettre aux concepteurs de circuits intégrés pouvant être soumis à des attaques laser, de tester leur circuit en simulation avant leur fabrication et de démontrer leur robustesse.Notre étude s'est focalisée sur le développement d'un outil de simulation intégrant un modèle électrique de l'impact laser sur les transistors MOS afin de reproduire de façon qualitative le comportement du circuit face à un impact laser (attaque semi-invasive en face arrière du circuit), et ce quelques soient ses propriétés physiques.Une première partie d'état de l'art est consacrée à la synthèse des différentes attaques sur circuits sécurisées que l'on peut rencontrer dans le domaine de la microélectronique, telles que les attaques semi-invasives, non invasives ou invasives par exemple. Une seconde partie théorique dédiée à l'interaction laser-silicium au niveau physique nous permet d'étudier les différents acteurs mis en jeu (propriétés physiques du laser - puissance, diamètre et profil du faisceau), avant de les importer comme paramètres dans le domaine électrique.Cette étude se poursuit alors par l'élaboration d'un modèle électrique et d'une méthodologie de simulation dont le but est de permettre de reproduire le comportement de n'importe quel circuit impacté par un laser. Le flot de modélisation passe ainsi en revue l'ensemble des paramètres contrôlables en entrée, qu'il s'agisse des propriétés physiques du laser, traduites dans le domaine électrique, ou encore de la réalité géométrique du circuit impacté, quel que soit sa complexité. Par ailleurs, la flexibilité de cette approche permet de s'adapter à toute évolution du modèle de l'impact laser en lui-même. Il est ainsi possible de simuler un impact intégrant ou non tout ou partie des phénomènes parasites déclenchés par le photocourant. Enfin, il couvre aussi bien des analyses de comportement dans le domaine statique, que dans celui temporel, où la durée d'impulsion du laser prend toute son importance.Afin de démontrer la cohérence de cette méthodologie face à nos attentes théoriques, le comportement de transistors NMOS, PMOS et un inverseur CMOS ont été étudiés au niveau simulation. Cette étude préliminaire nous a permis de calibrer et de valider notre modèle et sa méthodologie d'utilisation avec la théorie attendue: création d'un photocourant proportionnel au potentiel appliqué sur la jonction de drain et couplé au potentiel photoélectrique ainsi qu'à la surface impactée, déclenchement des bipolaires parasites latéraux, etc.... L'analyse sur un inverseur CMOS bufférisé ou non nous donne encore plus d'informations quant aux analyses dynamiques ou statiques : un impact sur un état statique (0 ou 1) ne peut entraîner que des fautes fonctionnelles, alors qu'un impact sur une transition ralentit ou accélère le signal en sortie, au risque de générer une faute fonctionnelle.Enfin, l'étude de différents circuits complexes sur silicium face à plusieurs types de faisceau laser nous a permis de confronter notre méthodologie à la mesure. Une chaîne d'inverseurs, une bascule de type D, et un circuit de verrouillage ont ainsi été impactés. Les résultats observés en simulation sont cohérents avec la mesure, notamment du point de vue comportemental et fonctionnel.
Author: Pascal Fouillat (professeur d'électronique)
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Languages : fr
Pages : 213
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UNE MODELISATION APPROFONDIE DE L'INTERACTION LASER-SEMICONDUCTEUR PERMET L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES SUR L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INDUIT. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR LA LOCALISATION ET LA CARACTERISATION DES STRUCTURES BIPOLAIRES PARASITES INHERENTES A LA TECHNOLOGIE CMOS SONT CONFIRMES SIMULATION ELECTRIQUE. UNE SECONDE APPLICATION DEMONTRE LA FAISABILITE D'UNE ANALYSE D'ETATS LOGIQUES INTERNES SANS CONTACT DANS LES CIRCUITS INTEGRES. LE BANC DE TEST PAR FAISCEAU LASER EST COMPARE AUX AUTRES TECHNIQUES DE TEST SANS CONTACT ET SES PERSPECTIVES D'EVOLUTION SONT EVALUEES
Author: Télesphore Sime-Ngando
Publisher: Springer
ISBN: 3319399616
Category : Science
Languages : en
Pages : 422
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This book represents the first multidisciplinary scientific work on a deep volcanic maar lake in comparison with other similar temperate lakes. The syntheses of the main characteristics of Lake Pavin are, for the first time, set in a firmer footing comparative approach, encompassing regional, national, European and international aquatic science contexts. It is a unique lake because of its permanently anoxic monimolimnion, and furthermore, because of its small surface area, its substantially low human influence, and by the fact that it does not have a river inflow. The book reflects the scientific research done on the general limnology, history, origin, volcanology and geological environment as well as on the geochemistry and biogeochemical cycles. Other chapters focus on the biology and microbial ecology whereas the sedimentology and paleolimnology are also given attention. This volume will be of special interest to researchers and advanced students, primarily in the fields of limnology, biogeochemistry, and aquatic ecology.
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Category : Government reports announcements & index
Languages : en
Pages : 1040
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Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
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Category : Fluids
Languages : en
Pages : 840
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