Analyse du gain des transistors bipolaires à émetteur en silicium monocristallin et polycristallin PDF Download
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Author: Olivier Bonnaud
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Languages : fr
Pages : 245
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Book Description
ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA NATURE DES EMETTEURS SUR LE GAIN DES TRANSISTORS BIPOLAIRES REALISES EN TECHNOLOGIE SILICIUM. DEUX TECHNIQUES ORIGINALES DE MESURE DU GAIN INTERNE OU LOCAL D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE ONT ETE CONCUES ET MISES AU POINT, LA PREMIERE UTILISANT LE PHENOMENE D'AVALANCHE EN FAIBLE MULTIPLICATION DE LA JONCTION COLLECTEUR-BASE, LA DEUXIEME BASEE SUR LA POLARISATION LOCALE D'UNE STRUCTURE PAR EXCITATION OPTIQUE. CES TECHNIQUES APPLICABLES A DES COMPOSANTS INTEGRES A TRES GRANDE ECHELLE (VLSI) ONT PERMIS D'ETUDIER LE ROLE DES EMETTEURS CONSTITUES EN SILICIUM MONOCRISTALLIN OU POLYCRISTALLIN. LE GAIN DE CES STRUCTURES EST MODELISE EN TENANT COMPTE DES CONNAISSANCES ACTUELLES DU COMPORTEMENT DES TRANSISTORS BIPOLAIRES ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DES MATERIAUX QUI LES CONSTITUENT (EFFETS DE FORTS DOPAGES)
Author: Olivier Bonnaud
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Languages : fr
Pages : 245
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ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA NATURE DES EMETTEURS SUR LE GAIN DES TRANSISTORS BIPOLAIRES REALISES EN TECHNOLOGIE SILICIUM. DEUX TECHNIQUES ORIGINALES DE MESURE DU GAIN INTERNE OU LOCAL D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE ONT ETE CONCUES ET MISES AU POINT, LA PREMIERE UTILISANT LE PHENOMENE D'AVALANCHE EN FAIBLE MULTIPLICATION DE LA JONCTION COLLECTEUR-BASE, LA DEUXIEME BASEE SUR LA POLARISATION LOCALE D'UNE STRUCTURE PAR EXCITATION OPTIQUE. CES TECHNIQUES APPLICABLES A DES COMPOSANTS INTEGRES A TRES GRANDE ECHELLE (VLSI) ONT PERMIS D'ETUDIER LE ROLE DES EMETTEURS CONSTITUES EN SILICIUM MONOCRISTALLIN OU POLYCRISTALLIN. LE GAIN DE CES STRUCTURES EST MODELISE EN TENANT COMPTE DES CONNAISSANCES ACTUELLES DU COMPORTEMENT DES TRANSISTORS BIPOLAIRES ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DES MATERIAUX QUI LES CONSTITUENT (EFFETS DE FORTS DOPAGES)
Author: ALAIN.. MORETTO
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Languages : fr
Pages : 204
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LA TECHNOLOGIE BICMOS COMBINE, SUR UN MEME CRISTAL, DES TRANSISTORS MOS ET BIPOLAIRES DESTINES A DES APPLICATIONS MIXTES NUMERIQUES ET ANALOGIQUES RAPIDES. ELLE FAIT INTERVENIR DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A EMETTEUR POLYCRISTALLIN DONT L'EMETTEUR EST COMPOSE D'UNE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DE CONTACT, D'UNE ZONE ACTIVE MONOCRISTALLINE ET D'UNE COUCHE INTERFACIALE D'OXYDE. NOTRE ETUDE EST AXEE SUR L'IMPORTANCE DE LA MINCE COUCHE D'OXYDE A L'INTERFACE POLY/MONO: SA PRESENCE EST INDISPENSABLE POUR FOURNIR UN PRODUIT GAIN EN COURANT X POTENTIEL DE EARLY PERFORMANT ; EN REVANCHE, SON EPAISSEUR DOIT ETRE LIMITEE POUR EVITER DES CONSEQUENCES NEFASTES (RESISTANCE D'ACCES A L'EMETTEUR TROP ELEVEE, REPONSE EN FREQUENCE TROP LIMITEE). DANS UN PREMIER TEMPS, QUELQUES ELEMENTS DE LA PHYSIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES SONT PRESENTES PUIS NOUS RAPPELERONS LES ETAPES TECHNOLOGIQUES DE FABRICATION EN METTANT EN EVIDENCE LES LIENS AVEC LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR SUBMICRONIQUE. L'ETUDE DE LA COUCHE D'OXYDE EST MENEE DE FACON ORIGINALE GRACE A L'UTILISATION DE DIFFERENTES APPROCHES COMPLEMENTAIRES ET CONVERGENTES (MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, MODELISATION ET SIMULATION DE LA RESISTANCE D'EMETTEUR, MESURES STATIQUES, DYNAMIQUES ET EN BRUIT). EN OUTRE, L'ANALYSE DES DIFFERENTES CONTRIBUTIONS AU TEMPS DU VOL DES PORTEURS DANS LE TRANSISTOR PERMET DE MONTRER L'IMPORTANCE RELATIVE DE L'EMETTEUR POLYCRISTALLIN (ENVIRON 30% AVEC UNE EPAISSEUR D'OXYDE AUSSI MINCE QUE 8 A)
Author: ABDELMAJID.. EL GHARIB
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Languages : fr
Pages : 190
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LE BUT DE CE TRAVAIL EST LA REALISATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN A EMETTEUR ENTIEREMENT CONSTITUE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE. MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE FABRICATION. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES PREMIERS TRANSISTORS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: L'EFFET TRANSISTOR, UN GAIN EN COURANT DE 150 AYANT ETE ATTEINT; LA NECESSITE DE DIMINUER LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H DOPE. OBTENTION D'UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET D'UNE MEILLEURE CONDUCTIVITE EN JOUANT SUR LES PARAMETRES DE DEPOT. UN MODELE SIMPLE DE CONDUCTION A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES PARAMETRES PHYSIQUES IMPORTANTS QUI PEUVENT AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS. DE NOUVEAUX TRANSISTORS ONT ETE FABRIQUES EN TENANT COMPTE DE CES RESULTATS. L'ANALYSE DE LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE MONTRE QUE LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H JOUE UN ROLE PREPONDERANT. UNE ETUDE EN FONCTION DU DOPAGE DE LA BASE A MONTRE QUE LES GAINS OBTENUS ETAIENT SYSTEMATIQUEMENT SUPERIEURS A LEUR CONTREPARTIE A EMETTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Author: MUSTAPHA.. SAHNOUNE
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Languages : fr
Pages : 138
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L'OBJET DE CETTE THESE EST L'AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE ET LA MODELISATION DU COURANT BASE D'UNE TELLE STRUCTURE. AYANT ANALYSE ET REUSSI A DISCRIMINER LES POINTS TECHNOLOGIQUES IMPORTANTS INFLUENCANT LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE, EN PARTICULIER LA QUALITE DES OXYDES D'ISOLATION ET DE LA BASE MONOCRISTALLINE AVANT DEPOT ET LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H, NOUS AVONS PU AMELIORER LE PROCEDE DE REALISATION. AINSI NOUS AVONS OBTENU DE MEILLEURES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS, TOUT PARTICULIEREMENT UN GAIN EN COURANT DE L'ORDRE DE 1400 POUR UN NOMBRE DE GUMMEL DANS LA BASE DE 2,4.10#1#1 S.CM##4 ET UN COEFFICIENT D'IDEALITE DE L'ORDRE DE 1,5 POUR LE COURANT BASE DE L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE. POUR CE FAIRE, NOUS AVONS FAIT APPEL A UN MODELE SEMI-ANALYTIQUE DU COURANT BASE DU TRANSISTOR QUI A PERMIS D'OBTENIR UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COURANTS SIMULES ET EXPERIMENTAUX. L'ANALYSE DES EFFETS DES ETATS D'INTERFACES A L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE SUR LE COURANT I#B, ET DONC SUR LE FACTEUR D'IDEALITE, A PERMIS DE CONFIRMER UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS ELECTRIQUES ET DONC D'ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES CRITIQUES SUR LES PERFORMANCES DU COMPOSANT
Author: BENEDICTE.. LE TRON
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Languages : fr
Pages : 168
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CE TRAVAIL CONCERNE LE DEVELOPPEMENT D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SIGE SUR SILICIUM (TBH), DANS LE CADRE DE LA TECHNOLOGIE BIPOLAIRE AUTO-ALIGNEE, A EMETTEUR POLYSILICIUM GRAVE DEVELOPPEE AU CNET-MEYLAN. L'HETEROJONCTION SIGE-SI PERMET DE REDUIRE LA RESISTANCE DE LA BASE SANS DEGRADER LE GAIN DU TRANSISTOR ET D'OBTENIR DE FAIBLES TEMPS DE TRANSIT. NOUS PRESENTONS LA NOUVELLE STRUCTURE EMETTEUR-BASE ET L'INTEGRATION TECHNOLOGIQUE DE LA BASE MINCE EPITAXIEE SIGE DANS LE PROCEDE DE FABRICATION BIPOLAIRE. PUIS LE FONCTIONNEMENT ET LES PROPRIETES PHYSIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SONT DECRITES. L'ANALYSE STATIQUE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'EFFET DE LA PERIPHERIE DES TRANSISTORS DANS LES VERSIONS MUREES ET NON MUREES, EN PARTICULIER DU POINT DE VUE DES COURANTS DE FUITE. LA CARACTERISATION DYNAMIQUE DE CES COMPOSANTS A REVELE L'IMPACT DU DOPAGE DU COLLECTEUR (EFFET KIRK PREMATURE) SUR LA FREQUENCE DE TRANSITION DU TRANSISTOR, CECI A PARTIR DE L'EXTRACTION DES PARAMETRES DU CIRCUIT EQUIVALENT. L'ETUDE DES PROPRIETES PHYSIQUES A BASSE TEMPERATURE A PERMIS DE DISSOCIER LA REDUCTION DE LA BANDE INTERDITE DE LA BASE DUE AU GERMANIUM DE CELLE DUE AU FORT DOPAGE. NOUS AVONS EGALEMENT MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE DE BARRIERES DE POTENTIEL PARASITES DE PART ET D'AUTRE DE LA BASE, NOTAMMENT DANS LE CAS DES TRANSISTORS DE PETITE GEOMETRIE. AINSI NOUS AVONS PU EXPLIQUER LE FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DES TBH REALISES AU CNET MEYLAN.
Author: Alain Moretto
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: SYLVIE.. GALDIN RETAILLEAU
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Languages : fr
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CETTE ETUDE PORTE SUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A DOUBLE HETEROJONCTION SI/SIGE/SI QUI OFFRE LES AVANTAGES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH), RAPPELES DANS LE PREMIER CHAPITRE, TOUT EN PROFITANT DE LA TECHNOLOGIE SILICIUM, PARFAITEMENT MAITRISEE. POUR COMPENSER L'ABSENCE DE DISCONTINUITE NATURELLE DE LA BANDE DE CONDUCTION AU NIVEAU DE L'HETEROJONCTION SI/SIGE, UNE COUCHE SI-P A ETE INSEREE ENTRE L'EMETTEUR ET LA BASE. NOUS ETUDIONS, EN PREMIER LIEU, L'INJECTION ET LE TRANSPORT DANS LA BASE EN SIMULANT, A L'AIDE D'UN MODELE PARTICULAIRE DE TYPE MONTE-CARLO, L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE POUR DEUX COMPOSITIONS DE LA BASE SIGE DU TRANSISTOR : L'UNE A COMPOSITION DE GERMANIUM CONSTANTE (HETEROJONCTION ABRUPTE), L'AUTRE A COMPOSITION GRADUELLE DE GERMANIUM. NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET D'UN TRANSPORT BALISTIQUE POUR AMELIORER LE COMPORTEMENT DYNAMIQUE DU TRANSISTOR. L'AVANTAGE DE LA STRUCTURE A HETEROJONCTION ABRUPTE, DU POINT DE VUE DU TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS, NOUS A CONDUIT A SIMULER LE TBH REEL ASSOCIE AFIN D'ETUDIER LES PROBLEMES DE GEOMETRIE BIDIMENSIONNELLES ET DE COLLECTION (AUTOPOLARISATION, EFFET KIRK). NOUS AVONS, EN PARTICULIER, EXAMINE LE PHENOMENE DE BARRIERE PARASITE QUI APPARAIT, EN FORTE INJECTION, A L'HETEROJONCTION BASE-COLLECTEUR EN CONCOMITANCE AVEC L'EFFET KIRK. EN DERNIER LIEU, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODE DE MESURE DIRECTE DE LA FREQUENCE DE TRANSITION, QUI NE NECESSITE AUCUNE HYPOTHESE DE SCHEMAS EQUIVALENTS, A PARTIR DE SIMULATIONS MONTE-CARLO DYNAMIQUES. LES VARIATIONS DU GAIN EN COURANT EN FONCTION DE LA FREQUENCE SONT OBTENUES EN EFFECTUANT UNE DECOMPOSITION EN SERIE DE FOURIER DES COURANTS BASE ET COLLECTEUR. NOUS AVONS OBTENU UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 70 GHZ
Author: Amina Tachafine
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Languages : fr
Pages : 278
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Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Author: Jean-Paul Dom
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Languages : fr
Pages : 197
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ETUDE DE L'EVOLUTION DES PHENOMENES DE SURFACE QUI APPARAISSENT DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE DE CONTROLE APRES CONTRAINTE D'AVALANCHE. RAPPEL DES PHENOMENES DE SURFACE ET IMPORTANCE DE L'INTERFACE SI-SIO::(2). ETUDE DE L'EVOLUTION DES CARACTERISTIQUES DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE DE CONTROLE LORSQUE CES COMPOSANTS SONT SOUMIS A UNE CONTRAINTE PAR AVALANCHE DE LA JONCTION BASE-EMETTEUR. MODELE DE LA DEGRADATION RESULTANTE DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET DE SON CONTROLE PAR LE POTENTIEL DE GRILLE. APPLICABILITE DE CE PHENOMENE REVERSIBLE DE "DEGRADATION-RESTAURATION" DU GAIN DE CE TYPE DE COMPOSANT A LA REALISATION DE CELLULES MEMOIRES NON VOLATILES, REPROGRAMMABLES ELECTRIQUEMENT
Author: Rob Flickenger
Publisher: "O'Reilly Media, Inc."
ISBN: 9780596005023
Category : Computers
Languages : en
Pages : 190
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Building Wireless Community Networks is about getting people online using wireless network technology. The 802.11b standard (also known as WiFi) makes it possible to network towns, schools, neighborhoods, small business, and almost any kind of organization. All that's required is a willingness to cooperate and share resources. The first edition of this book helped thousands of people engage in community networking activities. At the time, it was impossible to predict how quickly and thoroughly WiFi would penetrate the marketplace. Today, with WiFi-enabled computers almost as common as Ethernet, it makes even more sense to take the next step and network your community using nothing but freely available radio spectrum. This book has showed many people how to make their network available, even from the park bench, how to extend high-speed Internet access into the many areas not served by DSL and cable providers, and how to build working communities and a shared though intangible network. All that's required to create an access point for high-speed Internet connection is a gateway or base station. Once that is set up, any computer with a wireless card can log onto the network and share its resources. Rob Flickenger built such a network in northern California, and continues to participate in network-building efforts. His nuts-and-bolts guide covers: Selecting the appropriate equipment Finding antenna sites, and building and installing antennas Protecting your network from inappropriate access New network monitoring tools and techniques (new) Regulations affecting wireless deployment (new) IP network administration, including DNS and IP Tunneling (new) His expertise, as well as his sense of humor and enthusiasm for the topic, makes Building Wireless Community Networks a very useful and readable book for anyone interested in wireless connectivity.
