Author: Aref Zaouk
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 308
Book Description
PRESENTATION DE LA METHODE DE SYNTHESE ET CARACTERISATION PHYSICOCHIMIQUE DES COMPOSES. ETUDE DES CONDITIONS OPTIMALES D'OBTENTION DE COUCHES EPITAXIQUES ET LES QUALITES ET PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES. PROPOSITION D'UN MECANISME DE CROISSANCE FONDE SUR LES ENERGIES DE LIAISON. LA REALISATION D'UN DEPOT STOECHIOMETRIQUE A PARTIR DE LA MOLECULE ELLE-MEME EST CORRELE A LA SOLIDITE DE LA LIAISON ENTRE LES ELEMENTS III ET V
Sur l'élaboration de couches minces épitaxiques d'arséniure de gallium par dépôt chimique en phase vapeur à partir des composés de coordination monochlorodialkylgallium-trialkylarsine
Author: Aref Zaouk
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Languages : fr
Pages : 308
Book Description
PRESENTATION DE LA METHODE DE SYNTHESE ET CARACTERISATION PHYSICOCHIMIQUE DES COMPOSES. ETUDE DES CONDITIONS OPTIMALES D'OBTENTION DE COUCHES EPITAXIQUES ET LES QUALITES ET PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES. PROPOSITION D'UN MECANISME DE CROISSANCE FONDE SUR LES ENERGIES DE LIAISON. LA REALISATION D'UN DEPOT STOECHIOMETRIQUE A PARTIR DE LA MOLECULE ELLE-MEME EST CORRELE A LA SOLIDITE DE LA LIAISON ENTRE LES ELEMENTS III ET V
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Languages : fr
Pages : 308
Book Description
PRESENTATION DE LA METHODE DE SYNTHESE ET CARACTERISATION PHYSICOCHIMIQUE DES COMPOSES. ETUDE DES CONDITIONS OPTIMALES D'OBTENTION DE COUCHES EPITAXIQUES ET LES QUALITES ET PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES. PROPOSITION D'UN MECANISME DE CROISSANCE FONDE SUR LES ENERGIES DE LIAISON. LA REALISATION D'UN DEPOT STOECHIOMETRIQUE A PARTIR DE LA MOLECULE ELLE-MEME EST CORRELE A LA SOLIDITE DE LA LIAISON ENTRE LES ELEMENTS III ET V
Contribution à l'étude de l'élaboration de couches minces d'arséniure de gallium par dépôt chimique en phase vapeur à partir des complexes monochlorodiéthylgallium-trialkylarsine
Author: Aref Rateb Zaouk
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Languages : fr
Pages : 108
Book Description
POSSIBILITE D'ELABORER DES COUCHES DE GAAS A PARTIR D'UN COMPOSE DE COORDINATION CONTENANT AS ET GA DANS LE RAPPORT 1/1. ETUDE DES PARAMETRES FAVORABLES A LA CROISSANCE EPITAXIQUE: CHOIX DU SUPPORT, GEOMETRIE DU REACTEUR, CHOIX DE LA TEMPERATURE, CONCENTRATION EN COMPLEXE, VITESSE DU FRONT GAZEUX. ETUDE DU DEPOT PAR DIFFRACTION RX, MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE, DIFFRACTION ELECTRONIQUE EN REFLEXION, ANALYSE PAR ENERGIE DISPERSIVE DES RX. PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES
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Category :
Languages : fr
Pages : 108
Book Description
POSSIBILITE D'ELABORER DES COUCHES DE GAAS A PARTIR D'UN COMPOSE DE COORDINATION CONTENANT AS ET GA DANS LE RAPPORT 1/1. ETUDE DES PARAMETRES FAVORABLES A LA CROISSANCE EPITAXIQUE: CHOIX DU SUPPORT, GEOMETRIE DU REACTEUR, CHOIX DE LA TEMPERATURE, CONCENTRATION EN COMPLEXE, VITESSE DU FRONT GAZEUX. ETUDE DU DEPOT PAR DIFFRACTION RX, MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE, DIFFRACTION ELECTRONIQUE EN REFLEXION, ANALYSE PAR ENERGIE DISPERSIVE DES RX. PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES