Modélisation et caractérisation de composants passifs intègres sur silicium pour applications radiofréquences

Modélisation et caractérisation de composants passifs intègres sur silicium pour applications radiofréquences PDF Author: Jérôme Lescot
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Languages : fr
Pages : 162

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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE S'ARTICULE AUTOUR DE DEUX AXES COMPLEMENTAIRES. LE PREMIER REPOSE SUR LA MISE EN PLACE D'UN BANC DE MESURE HYPERFREQUENCE SOUS POINTES POUR LA CARACTERISATION ENTRE 45MHZ ET 12GHZ DES COMPOSANTS PASSIFS INTEGRES SUR SILICIUM LES PLUS CRITIQUES, A SAVOIR LES LIGNES DE TRANSMISSION ET INDUCTANCES PLANAIRES. CETTE PARTIE, QUI A MIS EN LUMIERE LES PARASITES SYSTEMATIQUES INHERENTS A L'ANALYSE VECTORIELLE, A PERMIS DE DOTER LE LABORATOIRE D'UN BANC DE MESURE FIABLE ET D'UN ALGORITHME DE CORRECTION D'ERREUR ET D'EXTRACTION AUTOMATIQUE DES MODELES ELECTRIQUES DES COMPOSANTS ETUDIES. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE AU DEVELOPPEMENT D'UN OUTIL NUMERIQUE POUR LA PREVISION, AVANT MEME LEUR FABRICATION, DU MODELE ELECTRIQUE ET DES PERFORMANCES DES PASSIFS INTEGRES SUR SILICIUM, A PARTIR DE LA SEULE CONNAISSANCE DE LEUR PARAMETRES GEOMETRIQUES ET TECHNOLOGIQUES. LA METHODE DE CALCUL PROPOSEE S'APPUIE SUR LA COMBINAISON D'OUTILS 2D, PLUS RAPIDES QUE LEUR VERSION 3D, ET TRES BIEN ADAPTES AUX STRUCTURES QUASI-PLANAIRES QUI NOUS PREOCCUPENT. PAR RAPPORT A DES METHODES DEJA EXISTANTES, NOTRE TECHNIQUE QUASI-3D UTILISE UNE METHODE SPECTRALE ROBUSTE NE SE LIMITANT PAS AUX SUBSTRATS FAIBLEMENT DOPES DES TECHNOLOGIES BICMOS OU SOI, MAIS POUVANT AUSSI ETUDIER LES SUBSTRATS FORTEMENT CONDUCTEURS DES TECHNOLOGIES CMOS STANDARDS. APPLIQUEE A DES ECHANTILLONS DE TEST VARIES, LA PROCEDURE DE CARACTERISATION A PERMIS LA VALIDATION EXPERIMENTALE DE L'OUTIL DE MODELISATION SUR DIFFERENTS TYPES DE SUBSTRATS, DU PLUS ISOLANT COMME L'ARSENIURE DE GALLIUM AU PLUS CONDUCTEUR D'UNE TECHNOLOGIE SILICIUM CMOS, EN PASSANT PAR LES WAFERS FAIBLEMENT DOPES DES TECHNOLOGIES SOI ET BICMOS.

Modélisation et caractérisation de composants passifs intègres sur silicium pour applications radiofréquences

Modélisation et caractérisation de composants passifs intègres sur silicium pour applications radiofréquences PDF Author: Jérôme Lescot
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE S'ARTICULE AUTOUR DE DEUX AXES COMPLEMENTAIRES. LE PREMIER REPOSE SUR LA MISE EN PLACE D'UN BANC DE MESURE HYPERFREQUENCE SOUS POINTES POUR LA CARACTERISATION ENTRE 45MHZ ET 12GHZ DES COMPOSANTS PASSIFS INTEGRES SUR SILICIUM LES PLUS CRITIQUES, A SAVOIR LES LIGNES DE TRANSMISSION ET INDUCTANCES PLANAIRES. CETTE PARTIE, QUI A MIS EN LUMIERE LES PARASITES SYSTEMATIQUES INHERENTS A L'ANALYSE VECTORIELLE, A PERMIS DE DOTER LE LABORATOIRE D'UN BANC DE MESURE FIABLE ET D'UN ALGORITHME DE CORRECTION D'ERREUR ET D'EXTRACTION AUTOMATIQUE DES MODELES ELECTRIQUES DES COMPOSANTS ETUDIES. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE AU DEVELOPPEMENT D'UN OUTIL NUMERIQUE POUR LA PREVISION, AVANT MEME LEUR FABRICATION, DU MODELE ELECTRIQUE ET DES PERFORMANCES DES PASSIFS INTEGRES SUR SILICIUM, A PARTIR DE LA SEULE CONNAISSANCE DE LEUR PARAMETRES GEOMETRIQUES ET TECHNOLOGIQUES. LA METHODE DE CALCUL PROPOSEE S'APPUIE SUR LA COMBINAISON D'OUTILS 2D, PLUS RAPIDES QUE LEUR VERSION 3D, ET TRES BIEN ADAPTES AUX STRUCTURES QUASI-PLANAIRES QUI NOUS PREOCCUPENT. PAR RAPPORT A DES METHODES DEJA EXISTANTES, NOTRE TECHNIQUE QUASI-3D UTILISE UNE METHODE SPECTRALE ROBUSTE NE SE LIMITANT PAS AUX SUBSTRATS FAIBLEMENT DOPES DES TECHNOLOGIES BICMOS OU SOI, MAIS POUVANT AUSSI ETUDIER LES SUBSTRATS FORTEMENT CONDUCTEURS DES TECHNOLOGIES CMOS STANDARDS. APPLIQUEE A DES ECHANTILLONS DE TEST VARIES, LA PROCEDURE DE CARACTERISATION A PERMIS LA VALIDATION EXPERIMENTALE DE L'OUTIL DE MODELISATION SUR DIFFERENTS TYPES DE SUBSTRATS, DU PLUS ISOLANT COMME L'ARSENIURE DE GALLIUM AU PLUS CONDUCTEUR D'UNE TECHNOLOGIE SILICIUM CMOS, EN PASSANT PAR LES WAFERS FAIBLEMENT DOPES DES TECHNOLOGIES SOI ET BICMOS.

Caractérisation et modélisation en radiofréquence de composants intègres en technologies silicium-sur-isolant

Caractérisation et modélisation en radiofréquence de composants intègres en technologies silicium-sur-isolant PDF Author: Olivier Rozeau
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DANS CETTE THESE, NOUS MONTRONS EN QUOI LES TECHNOLOGIES SILICIUM-SUR-ISOLANT (SOI) SONT INTERESSANTES POUR LES APPLICATIONS RADIOFREQUENCES, NOTAMMENT GRACE A DES RESULTATS DE CARACTERISATION DE COMPOSANTS PASSIFS, COMME LES LIGNES DE TRANSMISSION ET LES INDUCTANCES INTEGREES, MAIS AUSSI GRACE A DES ETUDES APPROFONDIES SUR LES PROPRIETES DES TRANSISTORS MOS SUR SOI. DANS UNE PREMIERE PARTIE, LES PROPRIETES EN HAUTE FREQUENCE DES SUBSTRATS SOI SONT DISCUTEES EN METTANT EN EVIDENCE L'AVANTAGE DES SUBSTRATS FORTEMENT RESISTIFS ET SEMI-ISOLANTS. POUR CELA, UN MODELE ANALYTIQUE DE LIGNE DE TRANSMISSION COPLANAIRE A ETE DEVELOPPE AVEC LEQUEL NOUS AVONS PU EVALUER L'IMPACT DE LA RESISTIVITE DU SUBSTRAT SUR LES PERTES DE CE TYPE DE LIGNE. DE PLUS, GRACE A UNE COMPARAISON D'INDUCTANCES INTEGREES SUR SUBSTRATS SOI STANDARD ET DE FORTE RESISTIVITE, CES RESULTATS ONT PU ETRE CONFIRMES. DANS UNE SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL, UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION DE SCHEMA EQUIVALENT DE MOSFET SUR SOI, VALABLE POUR DES FREQUENCES ALLANT DE 0,1 A 18 GHZ, EST PRESENTEE. CETTE NOUVELLE METHODE, NOUS A PERMIS D'ANALYSER LES PROPRIETES DES TRANSISTORS MOS SUR SOI DE LONGUEUR DE GRILLE DE 0,25 M DONT LES FREQUENCES DE COUPURES SONT GENERALEMENT SUPERIEURES A 40 GHZ. FINALEMENT, L'IMPACT DE L'AUTO-ECHAUFFEMENT ET DES EFFETS DE SUBSTRAT FLOTTANT SUR LES PERFORMANCES EN RADIOFREQUENCE, TELS QUE L'EFFET KINK ET LE TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE, BIEN CONNUS DES TECHNOLOGIES SOI, SONT DISCUTES.

Conception de microstructures résonantes destinées aux applications radiofréquences et fabrication en technologie d'intégration de composants passifs sur silicium

Conception de microstructures résonantes destinées aux applications radiofréquences et fabrication en technologie d'intégration de composants passifs sur silicium PDF Author: Marc Sworowski
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Pages : 200

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L'intégration de composants passifs sur silicium constitue l'une des voies envisagées pour répondre aux préoccupations de miniaturisation des systèmes électroniques radiofréquences. Une autre réponse à cette évolution est apportée par l'introduction de microsystèmes électromécaniques pour remplacer des fonctions électroniques. Ce projet explore une approche mixte afin d'intégrer simultanément les composants passifs et un MEMS résonant. Le procédé de fabrication des puces passives est le point de départ pour réaliser des résonateurs susceptibles de remplacer les quartz. Les travaux concernant trois types de structures sont détaillés dans cette thèse : des anneaux en aluminium avec des vibrations hors-plan, une géométrie tubulaire en silicium vibrant sur un mode de contour et des résonateurs carrés et circulaires en silicium monocristalIin fonctionnant sur un mode extensionnel. Le principe de fonctionnement y est expliqué, ainsi que le moyen de les réaliser sans avoir recours à un substrat SOI. La confrontation des mesures électriques avec différents modèles analytiques ou numériques a orienté les travaux vers une solution offrant de bonnes performances. Avec un facteur de qualité dépassant 50000 à une fréquence de 24 MHz, une résistance motionnelle de 2 kiloohms et une puissance dissipée de 16 μ W pour une polarisation de 5 V, les derniers prototypes montrent le potentiel d'une telle approche.

Intégration monolithique de composants bipolaires et de circuits radiofréquences sur substrats mixtes silicium/silicium poreux

Intégration monolithique de composants bipolaires et de circuits radiofréquences sur substrats mixtes silicium/silicium poreux PDF Author: Marie Capelle
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Le récent essor des systèmes de communication sans fil implique le développement de circuits RF performants, à fort taux d'intégration, bas coût, et adaptés à la production de masse. L'intégration monolithique de systèmes RF sur silicium permet de répondre en partie à ces critères. Cependant, le silicium est responsable de pertes dans le substrat dégradant les performances des composants passifs. Pour adresser cette limite, des caissons isolants de silicium poreux peuvent être réalisés au sein du silicium (substrat mixte). Les objectifs de cette thèse sont de montrer la faisabilité de l'intégration monolithique sur substrat mixte et d'étudier son impact sur les performances de circuits RF. Ce manuscrit décrit l'élaboration des substrats mixtes et donne une comparaison des performances de composants passifs intégrés sur silicium poreux et sur substrats standards. Enfin, l'intégration monolithique de circuits RF est menée sur substrat mixte 6''. La caractérisation de ces démonstrateurs montre une amélioration des performances par rapport au silicium. De plus, la compatibilité du substrat mixte avec un procédé industriel de microélectronique est validée.

Ultra Wide Band Antennas

Ultra Wide Band Antennas PDF Author: Xavier Begaud
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 1118586573
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 217

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Ultra Wide Band Technology (UWB) has reached a level of maturity that allows us to offer wireless links with either high or low data rates. These wireless links are frequently associated with a location capability for which ultimate accuracy varies with the inverse of the frequency bandwidth. Using time or frequency domain waveforms, they are currently the subject of international standards facilitating their commercial implementation. Drawing up a complete state of the art, Ultra Wide Band Antennas is aimed at students, engineers and researchers and presents a summary of internationally recognized studies.

Flexoelectricity in Liquid Crystals

Flexoelectricity in Liquid Crystals PDF Author: Agnes Buka
Publisher: World Scientific
ISBN: 1848167997
Category : Science
Languages : en
Pages : 299

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Book Description
The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.

MIMO

MIMO PDF Author: Alain Sibille
Publisher: Academic Press
ISBN: 0123821959
Category : Technology & Engineering
Languages : es
Pages : 385

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Foreword from Arogyaswami Paulraj, Professor (Emeritus), Stanford University (USA) - The first book to show how MIMO principles can be implemented in today's mobile broadband networks and components - Explains and solves some of the practical difficulties that arise in designing and implementing MIMO systems - Both theory and implementation sections are written in the context of the most recent standards: IEEE 802.11n (WiFi); IEEE 802.16 (WIMAX); 4G networks (3GPP/3GPP2, LTE)

Pervasive Mobile and Ambient Wireless Communications

Pervasive Mobile and Ambient Wireless Communications PDF Author: Roberto Verdone
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 144712314X
Category : Computers
Languages : en
Pages : 696

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Reporting the findings of COST 2100, a major European intergovernmental project, this volume offers system designers a good source of guidelines based on channel characterization and measurement-based modeling, as well as worthwhile ideas for future research.

Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility

Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility PDF Author: Dr. Reinaldo J. Perez
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 111908279X
Category : Science
Languages : en
Pages : 768

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A comprehensive resource that explores electromagnetic compatibility (EMC) for aerospace systems Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is a groundbreaking book on EMC for aerospace systems that addresses both aircraft and space vehicles. With contributions from an international panel of aerospace EMC experts, this important text deals with the testing of spacecraft components and subsystems, analysis of crosstalk and field coupling, aircraft communication systems, and much more. The text also includes information on lightning effects and testing, as well as guidance on design principles and techniques for lightning protection. The book offers an introduction to E3 models and techniques in aerospace systems and explores EMP effects on and technology for aerospace systems. Filled with the most up-to-date information, illustrative examples, descriptive figures, and helpful scenarios, Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is designed to be a practical information source. This vital guide to electromagnetic compatibility: • Provides information on a range of topics including grounding, coupling, test procedures, standards, and requirements • Offers discussions on standards for aerospace applications • Addresses aerospace EMC through the use of testing and theoretical approaches Written for EMC engineers and practitioners, Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is a critical text for understanding EMC for aerospace systems.

Scientific Canadian Mechanics' Magazine and Patent Office Record

Scientific Canadian Mechanics' Magazine and Patent Office Record PDF Author: Canada. Patent Office
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Category : Copyright
Languages : en
Pages : 1070

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