MODELISATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES COMPOSANTS HYPERFREQUENCES SUBMICRONIQUES. APPLICATION A L'ANALYSE DES RESULTATS DE MESURES DE COURANTS INDUITS PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS LES DIODES HYPERFREQUENCES PDF Download
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Author: LALEH.. PEYMAYECHE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 206
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Book Description
CETTE THESE ABORDE DIFFERENTS ASPECTS DE LA MODELISATION NUMERIQUE DES SEMICONDUCTEURS. DANS UN PREMIER TEMPS, UNE ETUDE DU MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE EST EFFECTUEE EN UTILISANT LES ELEMENTS FINIS NODAUX. CE MODELE EST DERIVE DU MODELE HYDRODYNAMIQUE DE TRANSPORT. IL EST FONDE SUR LE CALCUL DES MOMENTS D'ORDRE 0 A 2 DE L'EQUATION DE BOLTZMANN, SOUS CERTAINES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES. CES EQUATIONS REPRESENTENT LA CONSERVATION DE CHARGES, DE LA QUANTITE DE MOUVEMENT ET DE L'ENERGIE DES PORTEURS. NOTRE MODELE UTILISE DE NOUVELLES VARIABLES QUASI-ENTROPIQUES PAR ANALOGIE AVEC LES MODELES DE FLUIDES. CES VARIABLES PERMETTENT DE SYMETRISER LE SYSTEME D'EQUATIONS DIFFERENTIELLES FORME PAR LES MOMENTS D'ORDRE 1 ET 2 DE L'EQUATION DE BOLTZMANN. CE MODELE EST VALIDE SUR LES COMPOSANTS A EFFET DE CHAMP, AVEC OU SANS HETEROJONCTIONS, SUR SUBSTRAT GAAS ET DE LONGUEUR DE GRILLE SUBMICRONIQUE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS MODELISE UN SYSTEME EXPERIMENTAL, LE SCANNING TRANSMISSION ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT (STEBIC), A L'AIDE D'UN MODELE DE TRANSPORT DE TYPE DERIVE-DIFFUSION. LE PRINCIPE DU STEBIC REPOSE SUR LA MESURE DU COURANT INDUIT PAR UN FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS UNE SECTION TRANSVERSE D'UNE DIODE (PAR EXEMPLE) TRANSPARENTE AUX ELECTRONS. CETTE METHODE DE MICROSCOPIE PAR TRANSMISSION PERMET DE LOCALISER LA POSITION DE LA JONCTION P/N DE LA DIODE AVEC UNE RESOLUTION DE 13 NM QUI EST DE L'ORDRE DE GRANDEUR DU DIAMETRE DU FAISCEAU ELECTRONIQUE. LA MODELISATION A PERMIS VALIDER LES MODELES DE PARAMETRES PHYSIQUES TELS QUE LA MOBILITE DES PORTEURS, LES TAUX DE RECOMBINAISON ET DE GENERATION DE PAIRES ELECTRONS-TROUS. LA MODELISATION EST VALIDEE PAR LA SIMULATION DE DIODES IMPATT.
Author: LALEH.. PEYMAYECHE
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 206
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Book Description
CETTE THESE ABORDE DIFFERENTS ASPECTS DE LA MODELISATION NUMERIQUE DES SEMICONDUCTEURS. DANS UN PREMIER TEMPS, UNE ETUDE DU MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE EST EFFECTUEE EN UTILISANT LES ELEMENTS FINIS NODAUX. CE MODELE EST DERIVE DU MODELE HYDRODYNAMIQUE DE TRANSPORT. IL EST FONDE SUR LE CALCUL DES MOMENTS D'ORDRE 0 A 2 DE L'EQUATION DE BOLTZMANN, SOUS CERTAINES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES. CES EQUATIONS REPRESENTENT LA CONSERVATION DE CHARGES, DE LA QUANTITE DE MOUVEMENT ET DE L'ENERGIE DES PORTEURS. NOTRE MODELE UTILISE DE NOUVELLES VARIABLES QUASI-ENTROPIQUES PAR ANALOGIE AVEC LES MODELES DE FLUIDES. CES VARIABLES PERMETTENT DE SYMETRISER LE SYSTEME D'EQUATIONS DIFFERENTIELLES FORME PAR LES MOMENTS D'ORDRE 1 ET 2 DE L'EQUATION DE BOLTZMANN. CE MODELE EST VALIDE SUR LES COMPOSANTS A EFFET DE CHAMP, AVEC OU SANS HETEROJONCTIONS, SUR SUBSTRAT GAAS ET DE LONGUEUR DE GRILLE SUBMICRONIQUE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS MODELISE UN SYSTEME EXPERIMENTAL, LE SCANNING TRANSMISSION ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT (STEBIC), A L'AIDE D'UN MODELE DE TRANSPORT DE TYPE DERIVE-DIFFUSION. LE PRINCIPE DU STEBIC REPOSE SUR LA MESURE DU COURANT INDUIT PAR UN FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS UNE SECTION TRANSVERSE D'UNE DIODE (PAR EXEMPLE) TRANSPARENTE AUX ELECTRONS. CETTE METHODE DE MICROSCOPIE PAR TRANSMISSION PERMET DE LOCALISER LA POSITION DE LA JONCTION P/N DE LA DIODE AVEC UNE RESOLUTION DE 13 NM QUI EST DE L'ORDRE DE GRANDEUR DU DIAMETRE DU FAISCEAU ELECTRONIQUE. LA MODELISATION A PERMIS VALIDER LES MODELES DE PARAMETRES PHYSIQUES TELS QUE LA MOBILITE DES PORTEURS, LES TAUX DE RECOMBINAISON ET DE GENERATION DE PAIRES ELECTRONS-TROUS. LA MODELISATION EST VALIDEE PAR LA SIMULATION DE DIODES IMPATT.
Author: Paolo Mele
Publisher:
ISBN: 9781536160864
Category : Zinc oxide thin films
Languages : en
Pages : 0
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Book Description
Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
