BIBLIOTHEQUE DE MODELES DU TRANSISTOR V. DMOS POUR LA SIMULATION DES CIRCUITS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE PDF Download
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Author: Dominique Allain
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Category :
Languages : fr
Pages : 137
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Book Description
APRES L'ETABLISSEMENT DU MODELE MATHEMATIQUE DU VDMOS QUI PREND EN COMPTE LES EFFETS DE CANAL COURT POUR LA ZONE ACTIVE AINSI QUE L'EFFET DES ELEMENTS PARASITES, ON SIMPLIFIE CELUI-CI POUR L'IMPLANTER DANS LE LOGICIEL SPICE EN VUE DE L'ETUDE DES "REGIMES DE COMMUTATION". LE DERNIER CHAPITRE CONCERNE LA VALIDATION DU MODELE IMPLANTE. L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST DE PRESENTER UNE BIBLIOTHEQUE DE MODES DU TRANSISTOR VDMOS DE PUISSANCE, DESTINEE A LA SIMULATION DES CIRCUITS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
Author: Dominique Allain
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Category :
Languages : fr
Pages : 137
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APRES L'ETABLISSEMENT DU MODELE MATHEMATIQUE DU VDMOS QUI PREND EN COMPTE LES EFFETS DE CANAL COURT POUR LA ZONE ACTIVE AINSI QUE L'EFFET DES ELEMENTS PARASITES, ON SIMPLIFIE CELUI-CI POUR L'IMPLANTER DANS LE LOGICIEL SPICE EN VUE DE L'ETUDE DES "REGIMES DE COMMUTATION". LE DERNIER CHAPITRE CONCERNE LA VALIDATION DU MODELE IMPLANTE. L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST DE PRESENTER UNE BIBLIOTHEQUE DE MODES DU TRANSISTOR VDMOS DE PUISSANCE, DESTINEE A LA SIMULATION DES CIRCUITS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
Author: Malgorzata Napieralska
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 204
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Book Description
UN MODELE NON LINEAIRE DU TRANSISTOR V.DMOS DE PUISSANCE A CANAL COURT DONT LES ELEMENTS NE DEPENDENT QUE DES DONNEES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES DU COMPOSANT EST PRESENTE. PAR ANALYSE DES REGIONS ACTIVES DE LA STRUCTURE DU COMPOSANT EN VUE DE L'ETUDE DES REGIMES DE COMMUTATION, CE MODELE EST SIMPLIFIE JUSQU'A UNE TOPOLOGIE COMPATIBLE AVEC LE SIMULATEUR SPICE. LES PROCEDURES D'ACQUISITION DE SES PARAMETRES SONT PRECISEES AINSI QUE LES TESTS DE VALIDATION. UNE BIBLIOTHEQUE INFORMATIQUE D'INTERRUPTEURS DE PUISSANCE MOS, DESTINEE A LA CONCEPTION DES CIRCUITS DE PUISSANCE EST CREE PAR CARACTERISATION DES TRANSISTORS (CANAL N ET P) COUVRANT LES GAMMES DE TENSION 50V-1000V ET DE COURANT 2A-50A. UN MODELE UNIFIE DU V.DMOS EST ENSUITE PROPOSE, QUI NECESSITE POUR UNE TECHNOLOGIE DONNEE DEUX PARAMETRES: CALIBRE EN TENSION ET SURFACE DE PUCE DU SILICIUM. UN PROGRAMME ETABLI, BASE SUR L'ENVIRONNEMENT HYPERCARD (MACINTOSH) ET COUPLE AVEC SPICE PERMET D'ETABLIR LES MODELES DE PRODUITS CATALOGUE ET CREER UN MODELE POUR DE NOUVEAUX COMPOSANTS. CETTE MODELISATION EST COMPLETEE PAR LA PRISE EN COMPTE DE LA TEMPERATURE DE CRISTAL AINSI QUE DIVERSES CONFIGURATIONS DE TEST. UN MACROMODELE DESTINE A RENDRE COMPTE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE SOUS CONTRAINTES RADIATIVES DES V.DMOS EST AUSSI ETABLI ET VALIDE PAR COMPARAISON ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LA SIMULATION. L'ELABORATION D'UN MONTAGE DE BRAS DE PONT A BASE DE TRANSISTORS MOS, ET SA SIMULATION PAR SPICE PERMET ENFIN DE METTRE EN EVIDENCE LA VALIDITE DU MODELE DANS CE TYPE D'APPLICATION EN PRENANT EN COMPTE DES PROBLEMES LIES A L'EXISTENCE DES ELEMENTS PARASITES DANS LES CIRCUITS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
Author: Bilal Beydoun
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 314
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Book Description
CE MEMOIRE TRAITE DE LA SIMULATION ET DE LA CONCEPTION DU TRANSISTOR VDMOS DE PUISSANCE. ON PROPOSE UN OUTIL DE CONCEPTION DE MODELES POUR CE TRANSISTOR, QUI EST BASE D'UNE PART SUR L'ANALYSE DES MECANISMES DONT LA STRUCTURE EST LE SIEGE, D'AUTRE PART SUR LA GEOMETRIE (LAYOUT) ET LA TECHNOLOGIE, ET ENFIN SUR LA PRISE EN COMPTE DE LA TOPOLOGIE D'UN SCHEMA EQUIVALENT ETABLI ANTERIEUREMENT AU LABORATOIRE. PLUS PRECISEMENT, ON EFFECTUE TOUT D'ABORD UNE ETUDE DES MECANISMES-CONDUCTION, TENUE EN TENSION, ETUDE DYNAMIQUE-INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DE LA STRUCTURE DU COMPOSANT. EN SE BASANT SUR LES ASPECTS DE MODELISATION ANTERIEUREMENT DEVELOPPES AU LAAS, NOUS PROPOSONS ENSUITE UNE NOUVELLE METHODOLOGIE DE CONCEPTION DES MODELES VDMOS. CELLE-CI PREND EN COMPTE LES EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT, LE DESSIN DES MASQUES, LA TECHNOLOGIE ET LES LOIS DE DEPENDANCE ENTRE LES PARAMETRES. POUR CE FAIRE, NOUS DEVELOPPONS UN LOGICIEL NOMME POWER MOSFET'S DESIGNER QUI PERMET A PARTIR DES DONNEES DE LA PHYSIQUE, DE LA GEOMETRIE ET DE LA TECHNOLOGIE DE LA STRUCTURE, DE GENERER LE MODELE VDMOS ET DE CONNAITRE LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DU DISPOSITIF DANS UNE APPLICATION DE CIRCUIT SPECIFIEE A PRIORI. ON PROCEDE ENSUITE A LA VALIDATION DE CE LOGICIEL SUR DES COMPOSANTS INDUSTRIELS. ON L'APPLIQUE A L'ETUDE DE NOUVELLES GENERATIONS DE STRUCTURES VDMOS TELLES QUE LE TRANSISTOR VDMOS A DOUBLE NIVEAU D'OXYDE DE GRILLE INTERCELLULAIRE. UN EXEMPLE D'ANALYSE SPECULATIVE DU TRANSISTOR VDMOS ELABORE SUR UN AUTRE MATERIAU QUE LE SILICIUM EST ENFIN PROPOSE: ON ETUDIE LE CAS OU LE SUBSTRAT EST EN CARBURE DE SILICIUM (SIC)
Author: Carlos Galup-Montoro
Publisher: World Scientific
ISBN: 9812568107
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 445
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Book Description
This is the first book dedicated to the next generation of MOSFET models. Addressed to circuit designers with an in-depth treatment that appeals to device specialists, the book presents a fresh view of compact modeling, having completely abandoned the regional modeling approach.Both an overview of the basic physics theory required to build compact MOSFET models and a unified treatment of inversion-charge and surface-potential models are provided. The needs of digital, analog and RF designers as regards the availability of simple equations for circuit designs are taken into account. Compact expressions for hand analysis or for automatic synthesis, valid in all operating regions, are presented throughout the book. All the main expressions for computer simulation used in the new generation compact models are derived.Since designers in advanced technologies are increasingly concerned with fluctuations, the modeling of fluctuations is strongly emphasized. A unified approach for both space (matching) and time (noise) fluctuations is introduced.
Author: Narain Arora
Publisher: World Scientific
ISBN: 9812707581
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 633
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Book Description
A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations. The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.
Author: Jean-Luc Debrie
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 238
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L'EQUATION DE DIFFUSION AMBIPOLAIRE, QUI DECRIT LA DYNAMIQUE DISTRIBUEE DES CHARGES DANS LES BASES DES COMPOSANTS BIPOLAIRES, PEUT ETRE RESOLUE PAR LE BIAIS D'UNE ANALOGIE ELECTRIQUE. LA THESE PRESENTE LES FONDEMENTS THEORIQUES ET LA PRATIQUE DE LA NOUVELLE APPROCHE DE MODELISATION AINSI PERMISE, DANS LE CAS REPRESENTATIF DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A COMMANDE ISOLEE (IGBT). LES DIVERS TYPES D'IGBT, A BASE HOMOGENE OU A COUCHE TAMPON, SONT PRIS EN CONSIDERATION. LE MODELE EST VALIDE D'UN POINT DE VUE PHYSIQUE, LES PARAMETRES DE SIMULATION ETANT EXTRAITS DES DONNEES DE STRUCTURE ET DE TECHNOLOGIE CONCERNANT LES COMPOSANTS ETUDIES. L'ACCORD OBTENU ENTRE CARACTERISTIQUES CALCULEES ET MESUREES MONTRE LA PERTINENCE DE L'APPROCHE POUR DES OBJECTIFS DE SIMULATION DES INTERACTIONS COMPOSANT-CIRCUIT EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE.
Author: LAURENT.. AUBARD
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 152
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LE RENDEMENT THEORIQUE UNITAIRE DES CONVERTISSEURS A DECOUPAGE REND CEUX-CI ATTRAYANTS DES QU'IL S'AGIT DE TRAITER L'ENERGIE ELECTRIQUE. MAIS LES CONTRAINTES DE COUT ET D'ENCOMBREMENT IMPOSENT DES FREQUENCES DE COMMUTATION TOUJOURS PLUS ELEVEES (CE QUI ENTRAINE DES CONTRAINTES CEM) ET L'UTILISATION DE SUPPORTS MODERNES PERMETTANT LA MINIATURISATION (SMI, HYBRIDE, SILICIUM). DANS CE CONTEXTE, LA SIMULATION EST DEVENUE UNE ETAPE INDISPENSABLE A LA CONCEPTION DE CONVERTISSEURS ET LA MODELISATION FINE DES ELEMENTS QUI LES CONSTITUE (DONT LES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE FONT SOUVENT PARTIE A FAIBLE TENSION) UNE NECESSITE. CE TRAVAIL TRAITE DE LA MODELISATION DU TRANSISTOR VDMOS ET SE PARTAGE EN TROIS PARTIES. LA PREMIERE ABORDE LE CAS DE SON COMPORTEMENT STATIQUE EN INTEGRANT LA PARTICULARITE DE SON CANAL REALISE PAR DOUBLE DIFFUSION. LE MODELE SIMPLIFIE QUI EN DECOULE SE LIMITE A 5 PARAMETRES DONT LES METHODES D'EXTRACTION UTILISEES SONT DECRITES. LA SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL EST UNE ETUDE FINE DU COMPORTEMENT DYNAMIQUE DU VDMOS DANS SA CELLULE DE COMMUTATION. ELLE COMPLETE LE MODELE STATIQUE ET PERMET UN MODELE FIABLE RENDANT COMPTE DE L'INFLUENCE DU NIVEAU DE COURANT SUR LES COMMUTATIONS MOYENNANT 6 PARAMETRES SUPPLEMENTAIRES. LES DIFFERENTES METHODES DE MESURE PERMETTANT DE DETERMINER LES VALEURS DE CES PARAMETRES SONT DETAILLEES. ENFIN, LA TROISIEME ET DERNIERE PARTIE VALIDE LE MODELE A L'AIDE DE L'OUTIL DE SIMULATION PSPICE. UNE COMPARAISON EST FAITE AVEC D'AUTRES MODELES PROPOSES DANS LA LITTERATURE.
Author: Christian C. Enz
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 0470855452
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 328
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Book Description
Modern, large-scale analog integrated circuits (ICs) are essentially composed of metal-oxide semiconductor (MOS) transistors and their interconnections. As technology scales down to deep sub-micron dimensions and supply voltage decreases to reduce power consumption, these complex analog circuits are even more dependent on the exact behavior of each transistor. High-performance analog circuit design requires a very detailed model of the transistor, describing accurately its static and dynamic behaviors, its noise and matching limitations and its temperature variations. The charge-based EKV (Enz-Krummenacher-Vittoz) MOS transistor model for IC design has been developed to provide a clear understanding of the device properties, without the use of complicated equations. All the static, dynamic, noise, non-quasi-static models are completely described in terms of the inversion charge at the source and at the drain taking advantage of the symmetry of the device. Thanks to its hierarchical structure, the model offers several coherent description levels, from basic hand calculation equations to complete computer simulation model. It is also compact, with a minimum number of process-dependant device parameters. Written by its developers, this book provides a comprehensive treatment of the EKV charge-based model of the MOS transistor for the design and simulation of low-power analog and RF ICs. Clearly split into three parts, the authors systematically examine: the basic long-channel intrinsic charge-based model, including all the fundamental aspects of the EKV MOST model such as the basic large-signal static model, the noise model, and a discussion of temperature effects and matching properties; the extended charge-based model, presenting important information for understanding the operation of deep-submicron devices; the high-frequency model, setting out a complete MOS transistor model required for designing RF CMOS integrated circuits. Practising engineers and circuit designers in the semiconductor device and electronics systems industry will find this book a valuable guide to the modelling of MOS transistors for integrated circuits. It is also a useful reference for advanced students in electrical and computer engineering.
Author: Narain D. Arora
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 3709192471
Category : Computers
Languages : en
Pages : 628
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Book Description
Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistors are the basic building block ofMOS integrated circuits (I C). Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits using MOS technology have emerged as the dominant technology in the semiconductor industry. Over the past decade, the complexity of MOS IC's has increased at an astonishing rate. This is realized mainly through the reduction of MOS transistor dimensions in addition to the improvements in processing. Today VLSI circuits with over 3 million transistors on a chip, with effective or electrical channel lengths of 0. 5 microns, are in volume production. Designing such complex chips is virtually impossible without simulation tools which help to predict circuit behavior before actual circuits are fabricated. However, the utility of simulators as a tool for the design and analysis of circuits depends on the adequacy of the device models used in the simulator. This problem is further aggravated by the technology trend towards smaller and smaller device dimensions which increases the complexity of the models. There is extensive literature available on modeling these short channel devices. However, there is a lot of confusion too. Often it is not clear what model to use and which model parameter values are important and how to determine them. After working over 15 years in the field of semiconductor device modeling, I have felt the need for a book which can fill the gap between the theory and the practice of MOS transistor modeling. This book is an attempt in that direction.
Author: Frédéric Morancho
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION ET DE L'EVALUATION DES PERFORMANCES D'UN NOUVEAU COMPOSANT DE PUISSANCE, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES. PLUS PRECISEMENT, ON PRESENTE TOUT D'ABORD L'EVOLUTION DES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE BASSE TENSION DEPUIS LES ANNEES 70 JUSQU'AU TRANSISTOR MOS A TRANCHEES DONT LES PRINCIPALES PROPRIETES SONT ENUMEREES. ON REALISE ENSUITE UNE ETUDE DES MECANISMES - ANALYSE STATIQUE A L'ETAT PASSANT ET A L'ETAT BLOQUE, ANALYSE DYNAMIQUE - INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DU COMPOSANT. SUR LA BASE DE CETTE ETUDE, ON ETABLIT UN MODELE DE CE TRANSISTOR POUR LE LOGICIEL DE SIMULATION DES CIRCUITS SPICE. LES PROCEDURES D'ACQUISITION DES PARAMETRES DE CE MODELE SONT PRECISEES. CE MODELE AINSI OBTENU EST ENSUITE VALIDE SUR DEUX FAMILLES DE DIVERS COMPOSANTS MOS DE PUISSANCE INDUSTRIELS. ENFIN, LES LIMITES DE PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES DES TRANSISTORS VDMOS ET MOS A TRANCHEES SONT ETUDIEES ET COMPAREES. IL EST PRINCIPALEMENT MONTRE QUE, DANS LE DOMAINE DES BASSES TENSIONS, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES AFFICHE DES PERFORMANCES SUPERIEURES AU TRANSISTOR VDMOS EN TERMES DE RESISTANCE PASSANTE SPECIFIQUE ET DE DENSITE D'INTEGRATION. LES ETUDES ANALYTIQUES ET LES SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES DES DEUX TYPES DE COMPOSANTS MONTRENT EGALEMENT QUE CETTE SUPERIORITE EST APPELEE A S'ACCROITRE DANS LES ANNEES A VENIR.
