C, H, N and O in Si and Characterization and Simulation of Materials and Processes PDF Download
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Author: A. Borghesi
Publisher: Newnes
ISBN: 044459633X
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 580
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Book Description
Containing over 200 papers, this volume contains the proceedings of two symposia in the E-MRS series. Part I presents a state of the art review of the topic - Carbon, Hydrogen, Nitrogen and Oxygen in Silicon and in Other Elemental Semiconductors. There was strong representation from the industrial laboratories, illustrating that the topic is highly relevant for the semiconductor industry. The second part of the volume deals with a topic which is undergoing a process of convergence with two concerns that are more particularly application oriented. Firstly, the advanced instrumentation which, through the use of atomic force and tunnel microscopies, high resolution electron microscopy and other high precision analysis instruments, now allows for direct access to atomic mechanisms. Secondly, the technological development which in all areas of applications, particularly in the field of microelectronics and microsystems, requires as a result of the miniaturisation race, a precise mastery of the microscopic mechanisms.
Author: A. Borghesi
Publisher: Newnes
ISBN: 044459633X
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 580
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Book Description
Containing over 200 papers, this volume contains the proceedings of two symposia in the E-MRS series. Part I presents a state of the art review of the topic - Carbon, Hydrogen, Nitrogen and Oxygen in Silicon and in Other Elemental Semiconductors. There was strong representation from the industrial laboratories, illustrating that the topic is highly relevant for the semiconductor industry. The second part of the volume deals with a topic which is undergoing a process of convergence with two concerns that are more particularly application oriented. Firstly, the advanced instrumentation which, through the use of atomic force and tunnel microscopies, high resolution electron microscopy and other high precision analysis instruments, now allows for direct access to atomic mechanisms. Secondly, the technological development which in all areas of applications, particularly in the field of microelectronics and microsystems, requires as a result of the miniaturisation race, a precise mastery of the microscopic mechanisms.
Author: Christophe Sapet
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 182
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Book Description
Les trois surfaces de plus bas indices de Miller du Cuivre ainsi que la reconstruction de la surface (110) suite à l'adsorption d'oxygène atomique ont été étudiées dans cette thèse. Il a fallu pour cela développer les outils nécessaires d'une part à la modélisation de la structure des bandes d'énergie de ces surfaces et d'autre part à l'ajustement des bandes calculées sur des données expérimentales obtenues par photo-émission directe et inverse. Cela a été réalisé en combinant la méthode LCAO empirique d'interpolation de calculs de bandes d'energie des solides et un programme de minimisation de fonctions à plusieurs paramètres. Dans la première étape, qui a consisté à modéliser un cristal massif ainsi que les principales surfaces propres, nous avons inclus dans le processus d'ajustement des données expérimentales issues de mesures sur la surface (110), ce qui nous a permis d'obtenir un seul ensemble de paramètres décrivant les interactions des atomes dans le Cuivre massif et applicable aux études des surfaces. Cet ensemble de paramètres a donné une structure de bandes du volume et des surfaces en accord très poussé avec les données expérimentales, ce qui n'existait pas jusqu'à présent dans la littérature.Nous avons ensuite établi un deuxième ensemble de paramètres afin de prendre en compte les interactions d'atomes d'oxygène avec un substrat de Cuivre, ce dernier étant décrit par les paramètres précédemment obtenus. Nous avons ainsi pu modéliser la structure des bandes de la surface (110) oxydée dans ses plus fins détails, et notamment la dispersion et la symétrie des états anti-liants de l'oxygène, ce qui n'avait jamais été réalisé auparavant ni dans le cadre d'une modélisation LCAO, ni dans le cadre de calculs ab-initio. Les applications de ces calculs sont multiples, et tous les travaux menés pour étudier le cristal de Cuivre et ses principales surfaces peuvent être reconduits pour d'autres métaux de transition.
Author: Michel Fayard
Publisher: FeniXX
ISBN: 2307591680
Category : Education
Languages : fr
Pages : 209
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Book Description
Cet ouvrage est une réédition numérique d’un livre paru au XXe siècle, désormais indisponible dans son format d’origine.
Author: FREDERIC.. LEMOIGNO
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 180
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Book Description
LA LIAISON CHIMIQUE EST ANALYSEE DE FACON QUANTITATIVE. L'INFORMATION SUR LA LIAISON CHIMIQUE EST EXTRAITE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE, QUI EST UNE OBSERVABLE QUANTIQUE. IL EST AINSI POSSIBLE D'OBTENIR UNE DEFINITION FIABLE DE L'ATOME ET DE LA LIAISON CHIMIQUE. L'ANALYSE TOPOLOGIQUE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE PERMET EN OUTRE DE DISCUTER LA NATURE DES LIAISONS OBTENUES. LA CLASSIFICATION DE CES LIAISONS SE FAIT, SUIVANT LA THEORIE DE L'ATOME DANS LA MOLECULE DE BADER, ENTRE LES LIAISONS A COUCHES FERMEES ET LES LIAISONS A ELECTRONS PARTAGES. LE CALCUL DE LA DENSITE ELECTRONIQUE SE FAIT GRACE AU PROGRAMME AB INITIO PERIODIQUE HARTREE-FOCK CRYSTAL 92. CE TYPE DE CALCUL PERMET D'ACCEDER A UNE DENSITE DE CHARGE DE BONNE QUALITE. EN PREMIER LIEU, L'ANALYSE TOPOLOGIQUE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE EST UTILISEE SUR LES DICHALCOGENURES DE TITANE ET LEURS INTERCALAIRES AU LITHIUM. UN TRANSFERT ELECTRONIQUE DU LITHIUM VERS LE METAL EST AINSI MIS EN EVIDENCE. CE TRANSFERT SE FAIT PAR L'INTERMEDIAIRE DES CHALCOGENES, CE QUI MONTRE LE ROLE EMINENT DE CES ELEMENTS DANS LE PROCESSUS D'INTERCALATION. DANS UN DEUXIEME TEMPS, L'ETUDE DE L'INTERCALATION EST POURSUIVIE POUR LE DISULFURE DE TITANE ET SON HOMOLOGUE AU LITHIUM, PAR UNE ANALYSE DES PREMIERS NIVEAUX VACANTS, EXPERIMENTALEMENT SONDES PAR LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION X AU NIVEAU DU SEUIL. L'INFORMATION CONTENUE DANS CES SPECTRES XANES EST EXTRAITE PAR UNE UTILISATION CONJOINTE D'UNE METHODE DE SIMULATION, BASEE SUR LA THEORIE DE LA DIFFUSION MULTIPLE (PROGRAMME CONTINUUM), ET DES CALCULS DE STRUCTURE ELECTRONIQUE PAR UNE METHODE DE FONCTIONNELLE DE LA DENSITE (PROGRAMME LMTO), DECRIVANT BIEN LES BANDES DE CONDUCTIONS. LES EFFETS STRUCTURAUX ET ELECTRONIQUES DE L'INTERCALATION DU LITHIUM ONT AINSI PU ETRE DECOULPES. EN OUTRE, LES CALCULS PAR CES DEUX METHODES DIFFERENTES TENDENT A MONTRER QUE LE DISULFURE DE TITANE EST UN SEMI-METAL. ENFIN, LA SIMULATION DES SPECTRES D'ABSORPTION X ET LEUR COMPARAISON AVEC LES DENSITES D'ETATS CALCULES PAR LE PROGRAMME LMTO SONT UTILISEES POUR ANALYSER PRECISEMENT LES SPECTRES EXPERIMENTAUX D'ABSORPTION X DE PLUSIEURS OXYDES DE MANGANESE. CETTE ETUDE MONTRE L'IMPORTANCE DE L'EFFET DES COUCHES ELOIGNEES DU PHOTOABSORBEUR SUR LES STRUCTURES DES SPECTRES. CET EFFET APPARAIT D'AUTANT PLUS IMPORTANT QUE LA STRUCTURE DU SOLIDE EST REGULIERE.
Author: Marc Aucouturier
Publisher:
ISBN:
Category : Crystallography
Languages : en
Pages : 1132
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Book Description
Author: Thomas Bouissou
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 172
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Book Description
Le travail présenté dans cette thèse constitue une première contribution de l'étude de la structure électronique du système Ca2Arn. La première partie de la thèse porte sur le calcul ab initio du spectre des états électroniques du dimère de calcium. Les calculs ont mis en lumière la richesse de la structure du spectre électronique de Ca2 : interaction entre états électroniques monoexcités et diexcités et rôle des états zwitterioniques. Plus de 70 états électroniques ont été calculés et caractérisés par leurs constantes spectroscopiques. Les moments dipolaires de transitions depuis l'état fondamental ont également été déterminés. Ces calculs confirment les résultats théoriques et expérimentaux disponibles dans la littérature sur le bas du spectre (transition électroniques inférieures à 20 000 cm-1), mais étendent les informations spectrales jusqu'à 35 000 cm-1 au dessus de l'état fondamental. Ces calculs ont permis dans une seconde étape de construire un modèle de la structure électronique efficace pour les systèmes Ca2Arn. Nous avons mis au point un modèle Diatomics-In-Molecules (DIM) pour modéliser l’interaction de Ca2 électroniquement excité avec des atomes d’argon. Ce modèle utilise une base de configuration Valence Bond pour exprimer l'hamiltonien de l’agrégat. La paramétrisation du hamiltonien DIM a été réalisée à partir des résultats obtenus par une procédure de diabatisation des états électroniques ab initio des fragments Ca2 et de CaAr. Après avoir déterminé les propriétés structurales des agrégats Ca2Arn dans leur état fondamental, nous avons mis en oeuvre des simulations Monte-Carlo des spectres d’absorption visible depuis le fondamental.
Author: Phillip R. Westmoreland
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 9401707650
Category : Science
Languages : en
Pages : 596
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Book Description
Computational molecular and materials modeling has emerged to deliver solid technological impacts in the chemical, pharmaceutical, and materials industries. It is not the all-predictive science fiction that discouraged early adopters in the 1980s. Rather, it is proving a valuable aid to designing and developing new products and processes. People create, not computers, and these tools give them qualitative relations and quantitative properties that they need to make creative decisions. With detailed analysis and examples from around the world, Applying Molecular and Materials Modeling describes the science, applications, and infrastructures that have proven successful. Computational quantum chemistry, molecular simulations, informatics, desktop graphics, and high-performance computing all play important roles. At the same time, the best technology requires the right practitioners, the right organizational structures, and - most of all - a clearly understood blend of imagination and realism that propels technological advances. This book is itself a powerful tool to help scientists, engineers, and managers understand and take advantage of these advances.
Author: Riad Shamseddine
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 150
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Book Description
ETUDE THEORIQUE DES EFFETS INDUITS PAR L'INTRODUCTION D'UNE COURBURE DE L'ESPACE DANS LES CALCULS DE STRUCTURE ELECTRONIQUE. EN PARTANT D'UNE FORMULATION COVARIANTE DE L'EQUATION DE DIRAC DANS UN ESPACE A COURBURE CONSTANTE POSITIVE, ETABLISSEMENT DE L'EQUATION DE PAULI CONTENANT LES FORMES "COURBEES" DES TERMES D'INTERACTION ELECTROMAGNETIQUE DE L'HAMILTONIEN DE L'ATOME HYDROGENOIDE. OBTENTION DES ANALOGUES COURBES DU DEVELOPPEMENT MULTIPOLAIRES DU TERME D'INTERACTION BIELECTRONIQUE ET, PAR LA METHODE DES OPERATEURS D'ECHELLE, DES ORBITALES ATOMIQUES (RELATIVISTES OU NON) D'UN MODELE A PARTICULES INDEPENDANTES. APPLICATION AU CALCUL DES ENERGIES ELECTRONIQUES DES ETATS FONDAMENTAUX DE HE ET LI; VARIATION DES NIVEAUX ELECTRONIQUES, FINS ET HYPERFINS EN FONCTION DES NOMBRES QUANTIQUES: LES DEPLACEMENTS SONT PROPORTIONNELS A N**(4) LEVEE DE DEGENERESCENCE EN L DES NIVEAUX DE LA STRUCTURE FINE "PLANE
Author:
Publisher: Academic Press
ISBN: 0128130032
Category : Science
Languages : en
Pages : 376
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Book Description
Novel Electronic Structure Theory: General Innovations and Strongly Correlated Systems, Volume 76, the latest release in the Advances in Quantum Chemistry series presents work and reviews of current work in quantum chemistry (molecules), but also includes scattering from atoms and solid state work of interest in physics. Topics covered in this release include the Present Status of Selected Configuration Interaction with Truncation Energy Error, Recent Developments in Asymptotic Expansions from Numerical Analysis and Approximation Theory, The kinetic energy Pauli enhancement factor and its role in determining the shell structure of atoms and molecules, Numerical Hartree-Fock and Many-Body Calculations for Diatomic Molecules, and more. - Provides reports on current work in molecular and atomic quantum mechanics - Contains work reported by many of the best scientists in the field - Presents the latest release in the Advances in Quantum Chemistry series
Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Physics
Languages : en
Pages : 772
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