Etude theorique du transport electronique dans des structures a dimensionnalite reduite : application a la simulation Monte Carlo d'heterostructures pseudomorphiques PDF Download
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Author: Laurent Baudry
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Author: Laurent Baudry
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Author: Laurent Baudry
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Languages : fr
Pages : 202
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Ce mémoire présente une étude théorique du transport électronique dans les hétérostructures, réalisée dans le but de mieux comprendre le fonctionnement de composants comme le transistor à effet de champ pseudomorphique. Le mémoire est divisé en trois parties : 1) dans le premier chapitre, après avoir rappelé les aspects théoriques fondamentaux, nous décrivons les effets de la contrainte sur les propriétés physiques du matériau GaInAs. Puis, à l'aide d'un modèle Monte-Carlo de transport en volume, nous discutons de l'influence de la contrainte sur les propriétés de transport dans ce matériau ; 2) le deuxième chapitre est consacré à une étude de l'interaction des électrons avec les impuretés ionisées, prenant en compte le phénomène d'écrantage. Successivement, nous examinons les cas des matériaux en volume, des gaz d'électrons bidimensionnels et unidimensionnels. Par la méthode du temps de relaxation du moment, nous calculons la contribution de cette interaction à la mobilité électronique, ce qui nous permet de déterminer l'influence des principaux paramètres physiques sur ce mécanisme d'interaction ; 3) dans le troisième chapitre, nous proposons un modèle Monte-Carlo de transport électronique prenant en compte les effets quantiques caractéristiques des hétérostructures à gaz bidimensionnel d'électrons. Tous les phénomènes physiques importants y sont inclus (dégénérescence, structure de bande multivallées...), ce qui lui confère un domaine de validité très large. Ce modèle est ensuite appliqué à l'étude de structures adaptées en maille et pseudomorphiques
Author: Olivier Mouton
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Languages : fr
Pages : 210
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CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE EN CHAMP FORT DANS LES MATERIAUX TROIS-CINQ, A L'AIDE D'UN MODELE ORIGINAL DE LA STRUCTURE DE BANDE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES REND COMPTE DE LA STRUCTURE DE BANDE REELLE AVEC SUFFISAMMENT DE PRECISION, TOUT EN NE NECESSITANT PAS UN IMPORTANT VOLUME DE CALCUL. DANS LE PREMIER CHAPITRE APRES AVOIR RAPPELE LES ASPECTS THEORIQUES FONDAMENTAUX DU TRANSPORT ELECTRONIQUE, NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX MODELES DE STRUCTURE DE BANDE. PUIS NOUS RAPPELONS SOMMAIREMENT LES PRINCIPAUX MECANISMES D'INTERACTIONS DANS LE MATERIAU MASSIF. L'IONISATION PAR CHOC, PHENOMENE IMPORTANT EN CHAMP FORT, EST PARTICULIEREMENT DECRITE. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE AU DEVELOPPEMENT DU MODELE DES VALLEES ETENDUES. LE MODELE PREND AUSSI BIEN EN COMPTE LA PREMIERE BANDE DE CONDUCTION QUE LA SECONDE BANDE. IL DECRIT CORRECTEMENT LA STRUCTURE DE BANDE DANS LES DIRECTIONS PRINCIPALES ET AU VOISINAGE DES PRINCIPAUX MINIMA ET MAXIMA D'ENERGIE. LA DENSITE D'ETATS QUI EN DECOULE PERMET D'EN DEDUIRE DES PROBABILITES D'INTERACTION REALISTES SUR TOUTE LA GAMME D'ENERGIE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES EST ENSUITE MIS EN UVRE DANS LA METHODE MONTE-CARLO AFIN DE PROCEDER A LA SIMULATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE. LE TROISIEME CHAPITRE ETUDIE LE TRANSPORT DANS LES MATERIAUX GAAS ET INP, CE QUI PERMET DE PRESENTER DES GRANDEURS IMPORTANTES COMME L'ENERGIE MOYENNE, LA VITESSE DE DERIVE STATIONNAIRE, LE LIBRE PARCOURS MOYEN, ET LE COEFFICIENT D'IONISATION PAR CHOC. L'IONISATION PAR CHOC EST DETAILLEE, ET LE ROLE DE LA DEUXIEME BANDE CONDUCTION DANS CE PHENOMENE EST VERIFIE
Author: JOCELYN.. ACHARD
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Languages : fr
Pages : 175
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CE MEMOIRE DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE TRANSPORT DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS III-V PRESENTANT PLUSIEURS CANAUX DE CONDUCTION. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE, A PARTIR DE MODELES THEORIQUES DECRIVANT LES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS, DE DEVELOPPER UNE METHODE EXPERIMENTALE PERMETTANT DE DETERMINER LES DENSITES DE PORTEURS ET LES MOBILITES POUR UN SYSTEME MODELISE PAR PLUSIEURS COUCHES EN PARALLELES. CETTE METHODE S'APPUIE SUR DES MESURES DE MAGNETORESISTANCE ET D'EFFET HALL POUR DES VALEURS DU CHAMP MAGNETIQUE INFERIEURES A 1 T. EN CE QUI CONCERNE LA MODELISATION, CE TRAVAIL S'APPUIE SUR LA TECHNIQUE DES SPECTRES DE MOBILITE ET SUR DES AJUSTEMENTS NON-LINEAIRES DU TENSEUR DE CONDUCTIVITE REDUIT. NOUS PRESENTONS UNE VALIDATION THEORIQUE PUIS EXPERIMENTALE POUR DES STRUCTURES TESTS PERMETTANT AINSI DE METTRE EN EVIDENCE LES LIMITES DE RESOLUTION ET DE SENSIBILITE DE LA METHODE. CE TYPE DE CARACTERISATION ELECTRONIQUE NECESSITE LE DEPOT DE CONTACTS OHMIQUES, EN PARTICULIER SUR DES STRUCTURES PEU DOPEES (1.10#1#5CM#-#3). UNE ETUDE PREALABLE A DONC ETE REALISEE. DES PSEUDO-JONCTIONS SCHOTTKY, NECESSAIRES A LA REALISATION DES STRUCTURES TESTS POUR LES MESURES CAPACITIVES ONT EGALEMENT ETE REALISEES. DES RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR DES STRUCTURES COMPLEXES TELLES QUE DES H.E.M.T. ET DES PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ONT PU METTRE EN EVIDENCE L'INTERET DE LA METHODE ET LES INFORMATIONS COMPLEMENTAIRES QU'ELLE AMENE PAR RAPPORT AUX MESURES CAPACITIVES.
Author: Olivier Mouton
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Languages : fr
Pages : 0
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Ce travail presente une etude theorique du transport electronique en champ fort dans les materiaux trois-cinq, a l'aide d'un modele original de la structure de bande. Le modele des vallees etendues rend compte de la structure de bande reelle avec suffisamment de precision, tout en ne necessitant pas un important volume de calcul. Dans le premier chapitre apres avoir rappele les aspects theoriques fondamentaux du transport electronique, nous presentons les principaux modeles de structure de bande. Puis nous rappelons sommairement les principaux mecanismes d'interactions dans le materiau massif. L'ionisation par choc, phenomene important en champ fort, est particulierement decrite. Le deuxieme chapitre est consacre au developpement du modele des vallees etendues. Le modele prend aussi bien en compte la premiere bande de conduction que la seconde bande. Il decrit correctement la structure de bande dans les directions principales et au voisinage des principaux minima et maxima d'energie. La densite d'etats qui en decoule permet d'en deduire des probabilites d'interaction realistes sur toute la gamme d'energie. Le modele des vallees etendues est ensuite mis en uvre dans la methode monte-carlo afin de proceder a la simulation du transport electronique. Le troisieme chapitre etudie le transport dans les materiaux gaas et inp, ce qui permet de presenter des grandeurs importantes comme l'energie moyenne, la vitesse de derive stationnaire, le libre parcours moyen, et le coefficient d'ionisation par choc. L'ionisation par choc est detaillee, et le role de la deuxieme bande conduction dans ce phenomene est verifie.
Author: Thierry Martin
Publisher: Atlantica Séguier Frontières
ISBN: 9782863322017
Category : Condensed matter
Languages : en
Pages : 574
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Author:
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ISBN:
Category : Electronics
Languages : fr
Pages : 390
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Author: Pascal Le Masson
Publisher: Springer
ISBN: 3319502778
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 390
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This textbook presents the core of recent advances in design theory and its implications for design methods and design organization. Providing a unified perspective on different design methods and approaches, from the most classic (systematic design) to the most advanced (C-K theory), it offers a unique and integrated presentation of traditional and contemporary theories in the field. Examining the principles of each theory, this guide utilizes numerous real life industrial applications, with clear links to engineering design, industrial design, management, economics, psychology and creativity. Containing a section of exams with detailed answers, it is useful for courses in design theory, engineering design and advanced innovation management. "Students and professors, practitioners and researchers in diverse disciplines, interested in design, will find in this book a rich and vital source for studying fundamental design methods and tools as well as the most advanced design theories that work in practice". Professor Yoram Reich, Tel Aviv University, Editor-in-Chief, Research In Engineering Design. "Twenty years of research in design theory and engineering have shown that training in creative design is indeed possible and offers remarkably operational methods - this book is indispensable for all leaders and practitioners who wish to strengthen theinnovation capacity of their company." Pascal Daloz, Executive Vice President, Dassault Systèmes
Author: David HouŽto
Publisher: Lulu.com
ISBN: 1291761152
Category : Reference
Languages : fr
Pages : 327
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Le terme promotion de la santé en Afrique, près de 30 ans après l'adoption de la Charte d'Ottawa, continue d'avoir des connotations complètement hors du sens que lui confère cette charte. Cela n'est pas étonnant quand on sait que la notion de santé dans ce contexte africain équivaut à la lutte contre la maladie à travers les soins de santé dispensés par des professionnels de la santé dans des formations sanitaires et les hôpitaux. L'évolution que connait le continent depuis quelques décennies est de donner un peu plus de place à la communauté à travers les relais communautaires dans une participation communautaire vidée de son contenu, car le pouvoir n'est jamais passé entre les mains des communautés.C'est au vu de tout ceci que le présent ouvrage à sa raison d'être pour expliquer les fondements de l'autonomisation communautaire et de la promotion de la santé avec leur importance pour la région africaine en proie aux mauvais indicateurs de santé comparativement aux autres régions du monde.
Author: Golla Eranna
Publisher: CRC Press
ISBN: 1482232812
Category : Science
Languages : en
Pages : 432
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Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.
