ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE BIDIMENSIONNEL DANS LES SYSTEMES A MODULATION ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE A BASE D'ANTIPOINTS PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE BIDIMENSIONNEL DANS LES SYSTEMES A MODULATION ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE A BASE D'ANTIPOINTS PDF full book. Access full book title ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE BIDIMENSIONNEL DANS LES SYSTEMES A MODULATION ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE A BASE D'ANTIPOINTS by Xavier Kleber. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Xavier Kleber
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 237
Get Book Here
Book Description
DANS CE TRAVAIL, LE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES A MODULATION ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE A BASE D'ANTIPOINT EST ETUDIE. EN FABRIQUANT DES ANTIPOINTS QUANTIQUES PAR LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE ET ATTAQUE PLASMIQUE DANS UNE HETEROSTRUCTURE GAAS/ALGAAS, NOUS OBTENONS UNE MODULATION ELECTRIQUE DE FORME ET DE TAILLE BIEN CONTROLEES. NOUS MONTRONS L'IMPORTANCE ET LE ROLE DES TRAJECTOIRES ELECTRONIQUES DANS CES DISPOSITIFS, NOUS PERMETTANT D'EXPLIQUER LES ANOMALIES APPARAISSANT LORS DE L'APPLICATION D'UN CHAMP MAGNETIQUE. L'INFLUENCE DE LA GEOMETRIE DES ANTIPOINTS ET DE LA FORME DU RESEAU EST ETUDIEE. NOUS METTONS EN EVIDENCE LE COMPORTEMENT CHAOTIQUE DU GAZ BIDIMENSIONNEL POUR EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES OBTENUES. EN APPLIQUANT UN CHAMP MAGNETIQUE SUR UN GAZ ELECTRONIQUE NON PLAN, NOUS DISPOSONS D'UN SYSTEME A MODULATION MAGNETIQUE. PAR L'ETUDE DU TRANSPORT, NOUS ANALYSONS LES DIFFERENTES INFLUENCES DU PROFIL MAGNETIQUE CREE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRONIQUE.
Author: Xavier Kleber
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 237
Get Book Here
Book Description
DANS CE TRAVAIL, LE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES A MODULATION ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE A BASE D'ANTIPOINT EST ETUDIE. EN FABRIQUANT DES ANTIPOINTS QUANTIQUES PAR LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE ET ATTAQUE PLASMIQUE DANS UNE HETEROSTRUCTURE GAAS/ALGAAS, NOUS OBTENONS UNE MODULATION ELECTRIQUE DE FORME ET DE TAILLE BIEN CONTROLEES. NOUS MONTRONS L'IMPORTANCE ET LE ROLE DES TRAJECTOIRES ELECTRONIQUES DANS CES DISPOSITIFS, NOUS PERMETTANT D'EXPLIQUER LES ANOMALIES APPARAISSANT LORS DE L'APPLICATION D'UN CHAMP MAGNETIQUE. L'INFLUENCE DE LA GEOMETRIE DES ANTIPOINTS ET DE LA FORME DU RESEAU EST ETUDIEE. NOUS METTONS EN EVIDENCE LE COMPORTEMENT CHAOTIQUE DU GAZ BIDIMENSIONNEL POUR EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES OBTENUES. EN APPLIQUANT UN CHAMP MAGNETIQUE SUR UN GAZ ELECTRONIQUE NON PLAN, NOUS DISPOSONS D'UN SYSTEME A MODULATION MAGNETIQUE. PAR L'ETUDE DU TRANSPORT, NOUS ANALYSONS LES DIFFERENTES INFLUENCES DU PROFIL MAGNETIQUE CREE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRONIQUE.
Author: PETER.. MAGYAR
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176
Get Book Here
Book Description
CE TRAVAIL PRESENTE DEUX ETUDES DE TRANSPORT DES SYSTEMES D'ELECTRONS BIDIMENSIONNELS DANS LES LIMITES DU CHAMP MAGNETIQUE FAIBLE ET FORT. PREMIEREMENT, NOUS AVONS ANALYSE L'UTILITE D'UNE NOUVELLE APPROCHE THEORIQUE, DESTINEE A CALCULER LA MOBILITE LIMITEE PAR (A) DES IMPURETES IONISEES OU PAR (B) DES DISLOCATIONS. CE TRAITEMENT A POUR BUT D'AMELIORER LA DESCRIPTION DE L'EFFET D'ECRAN. NOTRE ETUDE A REVELE QUE LA METHODE NE REPRESENTE QUE DES AVANTAGES TRES LIMITES DANS LE CAS (A), TANDIS QUE DANS LE CAS (B) LES COURBES CALCULEES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA LARGEUR DU PUITS SONT EN ACCORD AVEC LES MESURES. DEUXIEMEMENT, L'EFFET HALL QUANTIQUE ENTIER A ETE ETUDIE DANS UN POTENTIEL DE DESORDRE MODELE. LE SYSTEME A ETE COUPLE A UN BAIN THERMIQUE. A PARTIR DE L'ETAT STATIONNAIRE D'UNE EQUATION DE BOLTZMANN QUANTIQUE, LES CONDUCTIVITES DE HALL ET DISSIPATIVE ONT ETE OBTENUES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE POUR TOUS LES FACTEURS DE REMPLISSAGE. NOS RESULTATS SONT EN ACCORD QUALITATIF AVEC LES EXPERIENCES. EN OUTRE, ILS MONTRENT QUE, DU AUX PHONONS, LES PLATEAUX QUANTIFIES DE LA CONDUCTIVITE DE HALL SONT SENSIBLEMENT PLUS LARGES A TRES BASSES TEMPERATURES QUE CEUX DE LA CONDUCTIVITE DISSIPATIVE.
Author: Supriyo Datta
Publisher: Cambridge University Press
ISBN: 1139643010
Category : Science
Languages : en
Pages : 398
Get Book Here
Book Description
Advances in semiconductor technology have made possible the fabrication of structures whose dimensions are much smaller than the mean free path of an electron. This book gives a thorough account of the theory of electronic transport in such mesoscopic systems. After an initial chapter covering fundamental concepts, the transmission function formalism is presented, and used to describe three key topics in mesoscopic physics: the quantum Hall effect; localisation; and double-barrier tunnelling. Other sections include a discussion of optical analogies to mesoscopic phenomena, and the book concludes with a description of the non-equilibrium Green's function formalism and its relation to the transmission formalism. Complete with problems and solutions, the book will be of great interest to graduate students of mesoscopic physics and nanoelectronic device engineering, as well as to established researchers in these fields.
Author: Simone Borlenghi Garoia
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 162
Get Book Here
Book Description
L'objectif de ce travail de thèse est de comprendre l'influence mutuelle entre transport électronique et dynamique de l'aimantation dans des nanostructures hybrides magnétiques métalliques. Dans une première partie on a développé un modèle théorique, basé sur la théorie des matrices aléatories, pour décrire à niveau microscopique le transport dépendent du spin dans une nanostructure hétérogène. Ce modèle, appélé CRMT (Continuous Random Matrix Theory) a ensuite été traduit dans un code de simulation qui permet de calculer les proprietés locales (couple de transfert de spin, accumulation de spin et courant de spin) et globales (résistance) de transport dans des conducteurs ohmiques. Le modèle a été validé en le comparant avec une théorie du transport quantique basée sur le calcul des fonctions de Green hors équilibre (NEGF-Non Equilibrium Green Function formalism). Le couplage des ce deux modèles a permis d'éffectuer une description multi-échelle du transport dans des nanostructures métalliques hybrides, où les parties ohmiques sont décrites par CRMT (plus pérformant du point de vue computationnel) et les parties purement quantiques par le formalisme des fonctions de Green. CRMT a ensuite été couplé à un code de simulation micromagnétique, pour prendre en compte la dynamique complexe de l'aimantation induite par le transfert de spin. L'originalité de cette approche réside dans la modélisation des expériences de résonance ferromagnétique conduites sur des oscillateurs a transport de spin. Ce travail a permis la mise en évidence des règles de sélection des ondes de spin induites par le transfert de spin, en accord avec les données experimentales.
Author: Dietmar Schroeder
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 3709166446
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 234
Get Book Here
Book Description
This book contains a comprehensive review of the physics, modelling and simulation of electron transport at interfaces in semiconductor devices. It combines a review of existing interface charge transport models with original developments, and introduces a unified representation of charge transport at semiconductor interfaces.
Author: Maxime Berthe
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 265
Get Book Here
Book Description
Depuis l'avènement des nanotechnologies, une grande quantité de matériaux sont façonnés à l'échelle du nanomètre par des techniques diverses et l'intégration de ces nanostructures demande une caractérisation de leur structure électronique. La microscopie à effet tunnel est adaptée à ces études car elle permet l'adressage de nanostructures uniques pour mesurer leur structure électronique. Nous rapportons ici l'étude du transport électronique dans deux types de nanostructures: des nanotubes de carbone simple paroi déposés sur une surface d'or et des atomes uniques de silicium sur un substrat de silicium. Dans la première étude, le couplage faible entre un nanotube et le substrat permet d'accéder à la densité d'états unidimensionnelle des nanotubes et autorise la formation de défauts ponctuels, ayant des états localisés dans la bande interdite des nanotubes. Cette modification, réversible, de la structure atomique des nanotubes de carbone amène des opportunités concernant la modification controlée et à volonté de leurs propriétés électroniques. La deuxième étude vise à caractériser la dynamique des porteurs dans une liaison pendante de silicium énergétiquement isolée de tout autre état électronique sur une surface Si(111). L'analyse du transport révèle un courant inélastique mettant en oeuvre la recombinaison non radiative des électrons de la pointe avec des trous capturés par l'état de la liaison pendante, grâce à l'émission de vibrations. La spectroscopie à effet tunnel montre de plus que l'on peut caractériser l'efficacité de capture d'un état quantique unique, en connaissant son niveau d'énergie, sa fonction d'onde, sa section de capture et le couplage électron-phonon.
![Transport Properties of LaTio3+δ[souscrit] And: a Study of Correlation Effects PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/tqIgjwEACAAJ?fife=w80-h100)
Author:
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages :
Get Book Here
Book Description
Cette thèse étudie les propriétés électroniques de deux systèmes à fortes corrélations électroniques dont la densité de porteurs a été modifiée de façon contrôlée. Dans le premier système, la modification par dopage chimique du contenu en oxygène de couches minces de LaTiO3, un isolant de Mott, permet d'obtenir un système métallique dont les propriétés de transport (résistivité et effet Hall) peuvent être expliquées par un modèle de transport polaronique. Dans le deuxième système, l'effet de champ ferroélectrique est utilisé pour modifier le nombre de porteurs dans des couches ultra-minces ([plus petit que] 10nm) de NdBa2Cu3O--, un supraconducteur à haute température critique. Cette dernière technique a permis d'induire un changement de la température critique supraconductrice et une transition entre un état supraconducteur et un état isolant. L'étude de l'effet Hall, sous effet de champ, indique que le nombre de porteurs dans ces systèmes supraconducteurs ne change pas en fonction de la température.
Author: JOCELYN.. ACHARD
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 175
Get Book Here
Book Description
CE MEMOIRE DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE TRANSPORT DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS III-V PRESENTANT PLUSIEURS CANAUX DE CONDUCTION. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE, A PARTIR DE MODELES THEORIQUES DECRIVANT LES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS, DE DEVELOPPER UNE METHODE EXPERIMENTALE PERMETTANT DE DETERMINER LES DENSITES DE PORTEURS ET LES MOBILITES POUR UN SYSTEME MODELISE PAR PLUSIEURS COUCHES EN PARALLELES. CETTE METHODE S'APPUIE SUR DES MESURES DE MAGNETORESISTANCE ET D'EFFET HALL POUR DES VALEURS DU CHAMP MAGNETIQUE INFERIEURES A 1 T. EN CE QUI CONCERNE LA MODELISATION, CE TRAVAIL S'APPUIE SUR LA TECHNIQUE DES SPECTRES DE MOBILITE ET SUR DES AJUSTEMENTS NON-LINEAIRES DU TENSEUR DE CONDUCTIVITE REDUIT. NOUS PRESENTONS UNE VALIDATION THEORIQUE PUIS EXPERIMENTALE POUR DES STRUCTURES TESTS PERMETTANT AINSI DE METTRE EN EVIDENCE LES LIMITES DE RESOLUTION ET DE SENSIBILITE DE LA METHODE. CE TYPE DE CARACTERISATION ELECTRONIQUE NECESSITE LE DEPOT DE CONTACTS OHMIQUES, EN PARTICULIER SUR DES STRUCTURES PEU DOPEES (1.10#1#5CM#-#3). UNE ETUDE PREALABLE A DONC ETE REALISEE. DES PSEUDO-JONCTIONS SCHOTTKY, NECESSAIRES A LA REALISATION DES STRUCTURES TESTS POUR LES MESURES CAPACITIVES ONT EGALEMENT ETE REALISEES. DES RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR DES STRUCTURES COMPLEXES TELLES QUE DES H.E.M.T. ET DES PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ONT PU METTRE EN EVIDENCE L'INTERET DE LA METHODE ET LES INFORMATIONS COMPLEMENTAIRES QU'ELLE AMENE PAR RAPPORT AUX MESURES CAPACITIVES.
Author: Jan Kunc
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
Une étude expérimentale de gaz d'électrons bidimensionnel confinés dans des puits quantiques de CdTe et de CdMnTe est présentée. L'analyse de données est soutenue par des calculs numériques de la structure de bande des états confinés, utilisant l'approximation de densité locale et de fonction enveloppe. Un calcul de type k.p a été utilisé pour justifier l'approximation parabolique appliquée pour les bandes valence. Les échantillons ont été caractérisés par spectroscopie Raman et par spectroscopie d'absorption de la résonance cyclotron infrarouge. Le magnéto-transport à bas champ est dominé par la contribution semi-classique de Drude et révèle trois contributions plus faibles, qui sont la localisation faible, l'interaction électron-électron et les oscillations Shubnikov-De Haas. La contribution des interactions électron-électron est expliquée dans un modèle semi-classique à trajectoire circulaire. La forme des niveaux de Landau, leurs élargissement, les temps de vie transport et quantique de la diffusion et le mécanisme (long-portée) de la diffusion dominant ont été déterminés. Le magnéto-transport sous champs magnétiques intenses révèle la présence d'états Hall quantique fractionnaires dans les niveaux de Landau N=0 et N=1. Nous avons montré, que les états 5/3 et 4/3 étaient complètement polarisés en spin, en accord avec l'approche des fermions composites pour l'effet Hall quantique fractionnaire. La forme de la photoluminescence à champ magnétique nul et son évolution avec la température sont décrites par un modèle analytique simple. La dépendance en champ magnétique et en température de la photoluminescence indique que le gap de spin est amplifié dans les niveaux de landau entièrement occupés. Ces effets multi-corps de l'amplification du gap du spin ont été décrits avec succès par un modèle numérique simple. L'intensité de la photoluminescence a mise en évidence l'importance des processus non-radiatifs pendant la recombinaison, la dégénérescence des niveaux de Landau, leur taux d'occupation, les règles de sélection et l'influence de l'écrantage. Le mécanisme de la relaxation parallèle de spin d'électron et de trou a été identifié et attribué au mécanisme Bir-Aharonov-Pikus, assistée par les phonons acoustiques. Les spectres de photoluminescence d'excitation reflètent la densité des états caractéristique des systèmes bidimensionnels. Les résonances excitoniques, qui sont observées aux bords des sous-bandes électriques inoccupées, illustrent l'importance de l'écrantage et des champs électriques intrinsèques dans les puits asymétriquement dopés.
Author: Flavio Aristone
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 179
Get Book Here
Book Description
UNE ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES DU TYPE SUPER-RESEAU A ETE DEVELOPPEE. ON ETUDIE LA CONDUCTION PAR MINIBANDE DANS LE CADRE DE LA SOLUTION SEMI-CLASSIQUE DES EQUATIONS DE TRANSPORT. LES DIFFERENTS PROCESSUS DE DIFFUSION SONT ANALYSES A L'AIDE DES OUTILS D'INVESTIGATIONS TELS QUE LE CHAMP MAGNETIQUE ET LA PRESSION HYDROSTATIQUE. AINSI, LE TRANSFERT ELECTRONIQUE ENTRE LA MINIBANDE DE CARACTERISTIQUE DIRECTE ET LES ETATS INDIRECTS X A ETE ETUDIE. A PARTIR DE NOS RESULTATS IL A ETE PROPOSE UNE METHODE D'ESTIMATION DE LA LARGEUR DE LA MINIBANDE POUR LES SYSTEMES DE GAAS-ALAS, A TRAVERS LES TECHNIQUES DE TRANSPORT. DANS LA CONFIGURATION DE CHAMPS ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE CROISES, ON A ETUDIE LES DEFAUTS D'INTERFACES DES DIFFERENTES COUCHES COMPOSANT LES SUPER-RESEAUX. LES PROCESSUS DE DIFFUSION A TRAVERS L'EMISSION ET/OU L'ABSORPTION DES PHONONS THERMIQUES SONT ETUDIES DANS LA CONFIGURATION DE CHAMPS PARALLELES. LES MODES LONGITUDINAUX OPTIQUES DES PHONONS DE GAAS ET ALAS ONT ETE OBSERVES, ET LES MASSES EFFECTIVES ASSOCIEES A CHAQUE PROCESSUS SONT OBTENUES. EN EFFECTUANT LE MEME TYPE DE MESURE SUR LES SYSTEMES GAINAS-ALINAS ON A OBSERVE L'EFFET DIT QUASI SHUBNIKOV DE HAAS, QUI DONNE LA CONCENTRATION ELECTRONIQUE DES REGIONS DOPEES DE NOS STRUCTURES
