Author: RACHID.. DRIADPublisher:
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Book Description
CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
