ETUDE DES PROTECTIONS CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES SUR LES TECHNOLOGIES MOS

ETUDE DES PROTECTIONS CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES SUR LES TECHNOLOGIES MOS PDF Author: FRANCOIS.. TAILLIET
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LA PROTECTION DES CIRCUITS INTEGRES CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES EST ASSUREE PAR DES COMPOSANTS SPECIAUX INCORPORES. SONT DECRITES LES DIVERSES SOURCES D'ESD ET LES PROCEDURES DE TEST DESTINEES A LES REPRODUIRE. UN CATALOGUE DES PROTECTIONS TYPIQUES DE 1985 MONTRE LA FAIBLESSE DE L'ETAT DE L'ART, COMME LE CONFIRMENT LES METHODES D'ANALYSE DE DEFAUTS. LA CONCEPTION DE STRUCTURES ESD ETAIT ALORS EMPIRIQUE ET ABOUTISSAIT A DES RESULTATS IRREGULIERS. ON PRESENTE ICI UNE APPROCHE PLUS SCIENTIFIQUE. EST ETUDIE LE COMPORTEMENT TRANSITOIRE DE LA JONCTION P-N ET DU BIPOLAIRE LATERAL N-P-N. UN PROGRAMME DE SIMULATION A ETE DEVELOPPE SPECIALEMENT POUR MODELISER LA MISE EN CONDUCTION DE LA DIODE. LES RESULTATS, EN BON ACCORD AVEC L'EXPERIENCE, SONT EXTRAPOLES AU N-P-N. LA THEORIE A PERMIS DE DEVELOPPER DE NOUVELLES STRUCTURES DE PROTECTION ET D'AMELIORER LES EXISTANTES. CECI S'APPLIQUE AUX ENTREES, AUX SORTIES ET AUX ALIMENTATIONS. CES COMPOSANTS, ADAPTES AUX SPECIFICATIONS DES CIRCUITS, N'ONT MAINTENANT RIEN A ENVIER A LEURS HOMOLOGUES DISCRETS

ETUDE DES PROTECTIONS CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES SUR LES TECHNOLOGIES MOS

ETUDE DES PROTECTIONS CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES SUR LES TECHNOLOGIES MOS PDF Author: FRANCOIS.. TAILLIET
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LA PROTECTION DES CIRCUITS INTEGRES CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES EST ASSUREE PAR DES COMPOSANTS SPECIAUX INCORPORES. SONT DECRITES LES DIVERSES SOURCES D'ESD ET LES PROCEDURES DE TEST DESTINEES A LES REPRODUIRE. UN CATALOGUE DES PROTECTIONS TYPIQUES DE 1985 MONTRE LA FAIBLESSE DE L'ETAT DE L'ART, COMME LE CONFIRMENT LES METHODES D'ANALYSE DE DEFAUTS. LA CONCEPTION DE STRUCTURES ESD ETAIT ALORS EMPIRIQUE ET ABOUTISSAIT A DES RESULTATS IRREGULIERS. ON PRESENTE ICI UNE APPROCHE PLUS SCIENTIFIQUE. EST ETUDIE LE COMPORTEMENT TRANSITOIRE DE LA JONCTION P-N ET DU BIPOLAIRE LATERAL N-P-N. UN PROGRAMME DE SIMULATION A ETE DEVELOPPE SPECIALEMENT POUR MODELISER LA MISE EN CONDUCTION DE LA DIODE. LES RESULTATS, EN BON ACCORD AVEC L'EXPERIENCE, SONT EXTRAPOLES AU N-P-N. LA THEORIE A PERMIS DE DEVELOPPER DE NOUVELLES STRUCTURES DE PROTECTION ET D'AMELIORER LES EXISTANTES. CECI S'APPLIQUE AUX ENTREES, AUX SORTIES ET AUX ALIMENTATIONS. CES COMPOSANTS, ADAPTES AUX SPECIFICATIONS DES CIRCUITS, N'ONT MAINTENANT RIEN A ENVIER A LEURS HOMOLOGUES DISCRETS

Etude des protections contre les decharges electrostatiques sur les technologies Mos

Etude des protections contre les decharges electrostatiques sur les technologies Mos PDF Author: Francois Tailliet
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Languages : fr
Pages : 0

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Étude et conception de structures de protection contre les décharges électrostatiques en technologie BiCMOS de puissance

Étude et conception de structures de protection contre les décharges électrostatiques en technologie BiCMOS de puissance PDF Author: Christelle Delage
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Languages : fr
Pages : 116

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Ce mémoire traite de la protection des circuits intégrés contre les décharges électrostatiques (ESD), en technologie BiCMOS de puissance. Notre étude repose essentiellement sur la simulation physique bidimensionnelle et la caractérisation. Les tests industriels ne rendant pas compte du comportement dynamique des structures de protection lors d'une décharge électrostatique , nous avons dû mettre au point un banc de caractérisation impulsionnel, TLP (Transmission Line Pulsing). Deux principaux éléments de protection ESD ont ainsi pu être étudiés : le transistor bipolaire npn autopolarisé est une structure de protection courramment utilisée en technologie BiCMOS. Grâce à la simulation physique, nous expliquons son mode de défaillance et nous étudions l'effet de certains paramètres technologiques sur ses performances. Les résultats de simulation sont confrontés aux mesures expérimentales et à l'analyse de défaillance. L'efficacité de cette structure de protection est ensuite démontrée sur la sortie d'un inverseur CMOS. Le thyristor apparaît comme une structure de protection très robuste mais délicate à utiliser. Pour répondre à la spécification très sévère d'une application de l'électronique automobile, nous avons conçu une nouvelle structure de protection, le MILSCR (MIrrored Lateral SCR). La simulation physique nous a permis de comprendre son mode de défaillance et de l'optimiser pour l'application considérée. Les résultats expérimentaux démontrent sa grande efficacité à protéger contre les deux polarités de décharge électrostatique. Nous proposons enfin une méthodologie de conception des structures de protection ESD.

Méthodologies de protection ESD

Méthodologies de protection ESD PDF Author: Marise Bafleur
Publisher: ISTE Group
ISBN: 1784053260
Category : Electric action of points
Languages : fr
Pages : 281

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Les défaillances induites par les décharges électrostatiques (ESD) constituent un problème majeur de fiabilité et de robustesse des circuits intégrés et des systèmes électroniques. Dans certaines applications comme celles de l’automobile, ce pourcentage peut être proche de 20 %. Les problèmes de défaillance catastrophiques induits par des décharges électrostatiques n’ont commencé à être sérieusement pris en compte qu’avec l’avènement des technologies microélectroniques et la large diffusion de leurs applications dans notre vie quotidienne. Cet ouvrage examine les diverses méthodologies de protection ESD et montre par le biais de cas concrets que la meilleure approche en termes de robustesse et de coût consiste à mettre en oeuvre une stratégie globale de protection ESD. Cette approche est déclinée du composant au système pour proposer des techniques d’investigation et des méthodologies de simulation prédictive associées, validées sur différents cas d’étude.

Etude des decharges electrostatiques dans les circuits MOS submicroniques et optimisation de leurs protections

Etude des decharges electrostatiques dans les circuits MOS submicroniques et optimisation de leurs protections PDF Author: Pascal Salomé
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Languages : fr
Pages : 0

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Conception de protections contre les décharges électrostatiques sur technologie avancée silicium sur isolant

Conception de protections contre les décharges électrostatiques sur technologie avancée silicium sur isolant PDF Author: Thomas Benoist
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Languages : fr
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Dans l'industrie de la micro-électronique, les efforts à fournir pour les nouvelles applications développées deviennent de plus en plus contraignants et difficiles à supporter en terme de coût. Les agressions provenant des décharges électrostatiques (ESD) générées par l'environnement direct sur les puces constituent un facteur important de la chute de rendement et donc des coûts. Ces difficultés s'ajoutent aux limites physiques plus strictes pour fabriquer des transistors lorsque l'on aborde des échelles nanométriques. La technologie Silicium sur Isolant (SOI) a été développée afin de contourner cette difficulté, mais l'intégration des protections ESD limite son émergence du fait de la complexité de la mise au point et du développement d'un réseau de protection pour la puce.L'objectif annoncé de ce travail de recherche, effectué en collaboration entre STMicroelectronics le CEA et l'IMEP est d'évaluer les caractéristiques principales de la technologie pour la protection contre les décharges et de proposer une stratégie innovante de protection adaptée au SOI. En effet, à partir de résultats expérimentaux, nous avons pu constater que l'oxyde enterré, le BOX, limite les performances en robustesse et diminue la fenêtre de conception pour le déclenchement des protections. Pour y remédier, une structure commandée bidirectionnelle a été développée sur PDSOI afin de faciliter la dissipation thermique et améliorer la robustesse. Pour prolonger cette solution sur technologie FDSOI, une étude approfondie sur le thyristor afin a été menée afin de porter cette solution. L'analyse de simulation 3D et de résultats silicium ont permis de proposer une stratégie de protections innovantes pour le thyristor sur FDSOI.

ESD Protection Methodologies

ESD Protection Methodologies PDF Author: Marise Bafleur
Publisher: Elsevier
ISBN: 0081011601
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 286

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Failures caused by electrostatic discharges (ESD) constitute a major problem concerning the reliability and robustness of integrated circuits and electronic systems. This book summarizes the many diverse methodologies aimed at ESD protection and shows, through a number of concrete studies, that the best approach in terms of robustness and cost-effectiveness consists of implementing a global strategy of ESD protection. ESD Protection Methodologies begins by exploring the various normalized test techniques that are used to qualify ESD robustness as well as characterization and defect localization methods aimed at implementing corrective measures. Due to the increasing complexity of integrated circuits, it is important to be able to provide a simulation in which the implemented ESD protection strategy provides the desired protection, while not harming the performance levels of the circuit. Therefore, the main features and difficulties related to the different types of simulation, finite element, SPICE-type and behavioral, are then studied. To conclude, several case studies are presented which provide real-life examples of the approaches explained in the previous chapters and validate a number of the strategies from component to system level. - Provides a global ESD protection approach from component to system, including both the proposal of investigation techniques and predictive simulation methodologies - Addresses circuit and system designers as well as failure analysis engineers - Provides the description of specifically developed investigation techniques and the application of the proposed methodologies to real case studies

Etude et conception de structures de protection contre les décharges électrostatiques en technologie BICMOS puissance

Etude et conception de structures de protection contre les décharges électrostatiques en technologie BICMOS puissance PDF Author: Christelle Delage
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Languages : fr
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Conception de circuits de protection contre les décharges électrostatiques en technologies silicium sur isolant

Conception de circuits de protection contre les décharges électrostatiques en technologies silicium sur isolant PDF Author: Christopher Entringer
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 135

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Terra 2008

Terra 2008 PDF Author: Leslie Rainer
Publisher: Getty Publications
ISBN: 1606060430
Category : Architecture
Languages : fr
Pages : 438

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Earthen architecture constitutes one of the most diverse forms of cultural heritage and one of the most challenging to preserve. It dates from all periods and is found on all continents but is particularly prevalent in Africa, where it has been a building tradition for centuries. Sites range from ancestral cities in Mali to the palaces of Abomey in Benin, from monuments and mosques in Iran and Buddhist temples on the Silk Road to Spanish missions in California. This volume's sixty-four papers address such themes as earthen architecture in Mali, the conservation of living sites, local knowledge systems and intangible aspects, seismic and other natural forces, the conservation and management of archaeological sites, research advances, and training.