Étude de l'implantation de zinc de haute énergie dans l'arséniure de gallium PDF Download
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Author: Pierre-Noël Favennec
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 121
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Book Description
MISE EN EVIDENCE DE LA CREATION D'UNE COUCHE DE TYPE P PAR IMPLANTATION D'IONS DE 1MEV DANS N-GAAS, DE LA POSSIBILITE DE DETERMINER LE PROFIL D'IMPURETE PAR MESURE A LA SONDE IONIQUE; ETUDE PAR MESURE D'EFFET HALL ET DECAPAGE CHIMIQUE. EXISTENCE D'UNE COUCHE INTRINSEQUE ENTRE LA COUCHE P ET LE SUBSTRAT N. RESTAURATION DES PROFILS DE DEFAUTS PAR RECUIT, ON DISTINGUE LES DEUX CAS OU L'IMPLANTATION A CREE UNE ZONE AMORPHE OU NON. PROPOSITION D'UN MODELE PERMETTANT D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE MESURES ELECTRIQUES (MACROSCOPIQUES) ET MESURES DE CANALISATION MICROSCOPIQUE
Author: Pierre-Noël Favennec
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Languages : fr
Pages : 121
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MISE EN EVIDENCE DE LA CREATION D'UNE COUCHE DE TYPE P PAR IMPLANTATION D'IONS DE 1MEV DANS N-GAAS, DE LA POSSIBILITE DE DETERMINER LE PROFIL D'IMPURETE PAR MESURE A LA SONDE IONIQUE; ETUDE PAR MESURE D'EFFET HALL ET DECAPAGE CHIMIQUE. EXISTENCE D'UNE COUCHE INTRINSEQUE ENTRE LA COUCHE P ET LE SUBSTRAT N. RESTAURATION DES PROFILS DE DEFAUTS PAR RECUIT, ON DISTINGUE LES DEUX CAS OU L'IMPLANTATION A CREE UNE ZONE AMORPHE OU NON. PROPOSITION D'UN MODELE PERMETTANT D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE MESURES ELECTRIQUES (MACROSCOPIQUES) ET MESURES DE CANALISATION MICROSCOPIQUE
Author: Pierre-Noël Favennec
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Pages : 121
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MISE EN EVIDENCE DE LA CREATION D'UNE COUCHE DE TYPE P PAR IMPLANTATION D'IONS DE 1MEV DANS N-GAAS, DE LA POSSIBILITE DE DETERMINER LE PROFIL D'IMPURETE PAR MESURE A LA SONDE IONIQUE; ETUDE PAR MESURE D'EFFET HALL ET DECAPAGE CHIMIQUE. EXISTENCE D'UNE COUCHE INTRINSEQUE ENTRE LA COUCHE P ET LE SUBSTRAT N. RESTAURATION DES PROFILS DE DEFAUTS PAR RECUIT, ON DISTINGUE LES DEUX CAS OU L'IMPLANTATION A CREE UNE ZONE AMORPHE OU NON. PROPOSITION D'UN MODELE PERMETTANT D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE MESURES ELECTRIQUES (MACROSCOPIQUES) ET MESURES DE CANALISATION MICROSCOPIQUE.
![Caractérisation optique de l'implantation ionique à haute énergie dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/Z1osNAEACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Richard Arès
Publisher: Montréal : Service des archives, Université de Montréal, Section Microfilm
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 200
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Author: Richard Arès
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 200
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Author: Adly el- Chamy (auteur d'une thèse de sciences.)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 124
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DEMONSTRATION DE LA FAISABILITE DES CONTACTS OHMIQUES ET DES JONCTIONS PN REALISEES PAR IMPLANTATION EN METTANT EN OEUVRE DES MOYENS SIMPLES D'ENCAPSULATION. DEVELOPPEMENT DE LA THEORIE GENERALE DE L'IMPLANTATION ET DE LA DIFFUSION DES IMPURETES DANS GAAS EN INSITANT SUR LES DEFAUTS CREES. DEDUCTION DES ENCAPSULANTS POUVANT SERVIR PENDANT LE RECUIT. PRESENTATION DES MOYENS EXPERIMENTAUX MIS EN OEUVRE ET DISCUSSION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS
![Implantation ionique à haute énergie du silicium dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/snioSgAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Abdellah Azelmad
Publisher: Bibliothèque nationale du Canada
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 248
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Author: Christian L.. Richard
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 134
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Author: Pierre-Noël Favennec
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
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Book Description
SYNTHESE CRITIQUE DE L'ENSEMBLE DES RESULTATS OBTENUS. STABILITE DE GAAS PENDANT LES TRAITEMENTS THERMIQUES, DEFAUT D'IMPLANTATION ET ACTIVITE DES IMPURETES IMPLANTEES. PRESENTATION DES TITRES ET RESUMES DES PUBLICATIONS DE L'AUTEUR
Author: Albert G. Baca
Publisher: IET
ISBN: 9780863413537
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 372
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This book provides fundamental and practical information on all aspects of GaAs processing and gives pragmatic advice on cleaning and passivation, wet and dry etching and photolithography. Other topics covered include device performance for HBTs (Heterojunction Bipolar Transistors) and FETs (Field Effect Transistors), how these relate to processing choices, and special processing issues such as wet oxidation, which are especially important in optoelectronic devices. This book is suitable for both new and practising engineers.
Author: Golla Eranna
Publisher: CRC Press
ISBN: 1482232812
Category : Science
Languages : en
Pages : 432
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Book Description
Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.
