Dépôt de couches minces de tantale par pulvérisation et étude des interactions TA/SIO :(2) et TA/SI à basses températures PDF Download
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Author: Patrick Gallais
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 148
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Book Description
Analyse par spectrométrie Auger des couches déposées par pulvérisation cathodique sur des substrats de silicium ou d'oxyde de silicium pour des températures comprises entre 50 et 500c. Certains échantillons sont élaborés en bombardant la couche durant sa formation à l'aide d'ions argon du plasma. Etude de la nature chimique des interactions entre TA et SI ou SIO::(2).
Author: Patrick Gallais
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Languages : fr
Pages : 148
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Book Description
Analyse par spectrométrie Auger des couches déposées par pulvérisation cathodique sur des substrats de silicium ou d'oxyde de silicium pour des températures comprises entre 50 et 500c. Certains échantillons sont élaborés en bombardant la couche durant sa formation à l'aide d'ions argon du plasma. Etude de la nature chimique des interactions entre TA et SI ou SIO::(2).
Author: D.. COLLOBERT
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Languages : fr
Pages :
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Book Description
PRINCIPES DE LA PULVERISATION CATHODIQUE, ET ETUDE DES DIFFERENTS TYPES SUIVANTS DISPOSITIF DIODE CONTINU, DISPOSITIF HAUTE FREQUENCE, DISPOSITIF TRIODE CONTINU, "BIAS SPUTTERING". INTERET D'UNE ETUDE CONCERNANT LA PULVERISATION DE TANTALE (PROPRIETES ELECTRIQUES INTERESSANTES POUR LES COMPOSANTS PASSIFS; TAN UTILISE POUR LES CIRCUITS RESISTIFS ET TA::(2)O::(5) UTILISE POUR LES CIRCUITS CAPOCITIFS), EXISTENCE DE PLUSIEURS FORMES CRISTALLINES POUR LE TANTALE EN COUCHE MINCE. ETUDE DES PARAMETRES QUI AGISSENT SUR LA CREATION D'UNE COUCHE MINCE DE TA (MATIERE DU TANTALE BETA ET FACTEURS QUI INFLUENT SUR SON DEPOT, ETUDE DES PLASMAS DE PULVERISATION)
Author: Julien Nazon
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 216
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Book Description
Dans le cadre de la miniaturisation des composants électroniques, le nitrure de tantale apparaît comme un matériau prometteur en tant que barrière de diffusion entre les contacts électriques de cuivre et les substrats à base de silicium. C'est dans ce contexte que se situe cette étude, l'objectif de ce travail étant d'étudier la potentialité de matériaux multicouches en tant que barrières de diffusion. Dans ce cadre, des matériaux à base de tantale et de nitrure de tantale ont été déposés sur des substrats silicium par le procédé de pulvérisation cathodique. La diffusion du cuivre a été étudiée au sein de barrières monocouches, TaN, bicouches, Ta/TaN et TaN/Ta, et tricouches, Ta/TaN/Ta et TaN/Ta/TaN, ces couches barrières, présentant une épaisseur totale de 150 nm. La première étape de ce travail a consisté en l'optimisation des paramètres d'élaboration en relation avec les caractéristiques microstructurales des couches à base de tantale et nitrure de tantale. Dans une seconde étape, la stabilité des matériaux monocouches et multicouches en tant que barrières de diffusion a été étudiée après traitements thermiques des assemblages Si/barrière/Cu sous vide à des températures variant de 500 à 700°C. Enfin, la dernière étape de ce travail a consisté en une étude cinétique de la diffusion
