Contribution à l'étude du procédé de croissance de diamant par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde PDF Download
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Author: Fabien Bénédic
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Languages : fr
Pages : 427
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Book Description
Les objectifs de ce travail de thèse étaient l'étude et le contrôle du procédé de croissance de diamant par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde (MPACVD). Il s'agissait d'optimiser les conditions de fonctionnement d'un réacteur de dépôt de conception originale, de développer et de mettre en oeuvre des techniques d'analyse optique in situ du plasma et de la surface, et d'étudier et de maîtriser les mécanismes de nucléation et de croissance du diamant, afin d'obtenir des films présentant les propriétés requises en vue de leur intégration dans des dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW), à savoir une épaisseur suffisante, une très faible rugosité et une résistance électrique de surface élevée. Les conditions de fonctionnement du réacteur de synthèse ont été améliorées et contrôlées, et un système de surveillance électronique permettant de sécuriser son utilisation a été mis au point. Une méthode d'analyse optique in situ des surfaces en temps réel par pyrométrie interferentielle (IP), reposant sur la modélisation des variations d'émissivité du système film/substrat durant la synthèse, a été développée. Elle rend possible l'estimation de certains paramètres physiques et cinétiques : indice de réfraction complexe du film et du substrat, temps d'incubation, température réelle du système et vitesse de croissance du film. Le dispositif concu pour l'étude du plasma est un système d'analyse par spectroscopie optique d'émission résolue dans l'espace (SROES) qui permet de réaliser des profils radiaux et axiaux ou des cartographies 2D de l'intensité d'émission des espèces radiatives caractéristiques du plasma. Des études préliminaires ont permis d'élaborer des protocoles de traitements mécanique et chimique.
Author: Fabien Bénédic
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Pages : 427
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Les objectifs de ce travail de thèse étaient l'étude et le contrôle du procédé de croissance de diamant par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde (MPACVD). Il s'agissait d'optimiser les conditions de fonctionnement d'un réacteur de dépôt de conception originale, de développer et de mettre en oeuvre des techniques d'analyse optique in situ du plasma et de la surface, et d'étudier et de maîtriser les mécanismes de nucléation et de croissance du diamant, afin d'obtenir des films présentant les propriétés requises en vue de leur intégration dans des dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW), à savoir une épaisseur suffisante, une très faible rugosité et une résistance électrique de surface élevée. Les conditions de fonctionnement du réacteur de synthèse ont été améliorées et contrôlées, et un système de surveillance électronique permettant de sécuriser son utilisation a été mis au point. Une méthode d'analyse optique in situ des surfaces en temps réel par pyrométrie interferentielle (IP), reposant sur la modélisation des variations d'émissivité du système film/substrat durant la synthèse, a été développée. Elle rend possible l'estimation de certains paramètres physiques et cinétiques : indice de réfraction complexe du film et du substrat, temps d'incubation, température réelle du système et vitesse de croissance du film. Le dispositif concu pour l'étude du plasma est un système d'analyse par spectroscopie optique d'émission résolue dans l'espace (SROES) qui permet de réaliser des profils radiaux et axiaux ou des cartographies 2D de l'intensité d'émission des espèces radiatives caractéristiques du plasma. Des études préliminaires ont permis d'élaborer des protocoles de traitements mécanique et chimique.
Author: François Silva
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Languages : fr
Pages : 314
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L'OBJECTIF DE CETTE THESE ETAIT LA REALISATION DE FILMS EPAIS (> 40 M) DE DIAMANT DE TEXTURE, MORPHOLOGIE ET QUALITE CONTROLEES, PAR UN PROCEDE CVD ASSISTE PAR PLASMA MICRO-ONDE H#2/CH#4. IL S'AGISSAIT EN PARTICULIER D'ETUDIER LES MECANISMES DE CROISSANCE CRISTALLINE DU DIAMANT DANS CES CONDITIONS METASTABLES. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL A CONSISTE A ELARGIR LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR AUX FORTES VALEURS DE PUISSANCE MICRO-ONDE (JUSQU'A 3 KW), CE QUI A PERMIS D'ATTEINDRE DES VITESSES DE CROISSANCE SUPERIEURES A 2 M/H. NOUS AVONS ENSUITE ETUDIE LES EFFETS DES PARAMETRES DE CONTROLE DU PROCEDE, A SAVOIR LA CONCENTRATION DE METHANE, LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT ET LA DENSITE DE PUISSANCE, SUR LA VITESSE DE CROISSANCE ET LES CARACTERISTIQUES DES FILMS DEPOSES. L'ANALYSE MORPHOLOGIQUE DES FILMS A MONTRE QUE LA CROISSANCE DU DIAMANT S'EFFECTUE PAR ECOULEMENT DE MARCHES. ELLE A AUSSI PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES PHENOMENES DE RECONSTRUCTION DE SURFACE POUVANT SURVENIR EN COURS DE CROISSANCE. PAR AILLEURS, NOUS AVONS MONTRE QUE L'EVOLUTION DE LA TEXTURE DES FILMS EN FONCTION DES PARAMETRES DU PROCEDE ETAIT BIEN DECRITE PAR LE MODELE DE CROISSANCE PAR EVOLUTION SELECTIVE DE VAN DER DRIFT. LE CONTROLE DE LA TEXTURE A ETE EFFECTUE PAR L'INTERMEDIAIRE D'UN PARAMETRE DE CROISSANCE , RELIE AU RAPPORT DES VITESSES DE CROISSANCE DES PLANS (100) ET (111), DONT NOUS AVONS ETABLI LA CARTOGRAPHIE EN FONCTION DES CONDITIONS DE DEPOT. EN L'ABSENCE DE MACLAGE ET DE GERMINATION SECONDAIRE, LA MORPHOLOGIE DES FILMS EST DIRECTEMENT CORRELEE A LA TEXTURE ET A L'EPAISSEUR DES FILMS, COMME LE PREVOIT LE MODELE D'EVOLUTION SELECTIVE. LORSQUE LA GERMINATION SECONDAIRE INTERVIENT, LA MORPHOLOGIE DES FILMS EST GOUVERNEE PAR LA STABILITE RELATIVE DES DIFFERENTES FACES CRISTALLINES PAR RAPPORT A CE PROCESSUS. DANS LE CAS DE FILMS EPAIS, LA QUALITE A ETE CORRELEE A LA MICROSTRUCTURE DES FILMS QUI EST CONTROLEE PAR LES PARAMETRES LOCAUX DU PROCEDE. ENFIN, L'EFFET D'IMPURETES D'AZOTE SUR LA CROISSANCE ET LES CARACTERISTIQUES DES DEPOTS A ETE ETUDIE. NOUS AVONS MONTRE QUE L'INTRODUCTION D'UNE FAIBLE QUANTITE DE CE GAZ INDUIT UNE FORTE AUGMENTATION DE LA VITESSE DE CROISSANCE ET FAVORISE LA GERMINATION SECONDAIRE CE QUI, DANS CERTAINES CONDITIONS, PERMET L'OBTENTION D'UNE MORPHOLOGIE (100).
Author: Corinne Findeling-Dufour
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Languages : fr
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L'OBJET DE CE TRAVAIL DE THESE EST L'ETUDE D'UN PROCEDE DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE DIAMANT DE LARGES DIMENSIONS PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA MICRO-ONDE (MPACVD). LA PREMIERE ETAPE A CONSISTE A MAITRISER LES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR DE DEPOT DE DIAMANT (DENSITE DE PUISSANCE, TEMPERATURE DU SUBSTRAT ET COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE) DANS LE BUT DE DEPOSER UN FILM MONOCRISTALLIN SUR DES SUBSTRATS INDIVIDUELS DE DIAMANTS NATURELS DE FACES SUPERIEURES ORIENTEES 100, 110 OU 111. CETTE ETAPE NOUS A PERMIS DE MONTRER QUE L'ORIENTATION 100 PERMET D'OBTENIR DES FILMS MONOCRISTALLINS DE MEILLEURE QUALITE. ENSUITE, NOUS AVONS MONTRE QUE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT, LE POURCENTAGE DE METHANE ET LA DESORIENTATION DES SUBSTRATS 100 ONT DES INFLUENCES FORTEMENT COUPLEES SUR LES MORPHOLOGIES DES FILMS ET CONDITIONNENT LE MECANISME DE CROISSANCE. CETTE ETUDE PARAMETRIQUE NOUS A PERMIS DE DETERMINER PLUSIEURS JEUX DE CONDITIONS EXPERIMENTALES POUR LESQUELLES NOUS OBTENONS DES FILMS MONOCRISTALLINS DE BONNE QUALITE SUR DES SUBSTRATS D'ORIENTATION 100. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LE DEVELOPPEMENT DES CRISTAUX (DE FACE SUPERIEURE 100) EN FONCTION DE L'ORIENTATION DES FACES LATERALES, 100 OU 110, DU SUSBTRAT. ENFIN, PARMI LES CONDITIONS PERMETTANT DE REALISER DES FILMS MONOCRISTALLINS DE BONNE QUALITE SUR DES SUBSTRATS INDIVIDUELS D'ORIENTATION 100, NOUS AVONS DETERMINE CELLES QUI PERMETTENT DE DEPOSER UNE COUCHE MONOCRISTALLINE D'UN SEUL TENANT SUR DES MOSAIQUES CONSTITUEES DE 2, 3, 5 ET 7 DIAMANTS DE FACES LATERALES 100. LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR ETANT CONTROLEES, LA REUSSITE DU PROCEDE DEPEND ESSENTIELLEMENT DE L'ASSEMBLAGE DES SUBSTRATS QUI DOIVENT ETRE PLACES DE MANIERE A CE QUE LES MARCHES DE CROISSANCE PUISSENT SE DEPLACER LATERALEMENT SANS RENCONTRER D'OBSTACLE. DEUX RESULTATS ORIGINAUX ONT ETE OBTENUS. LE PREMIER CONCERNE L'INTRODUCTION D'AZOTE DANS LA PHASE GAZEUSE. CE DERNIER EMPECHE LA FORMATION DE MACLES ET PERMET AU FILM EN CROISSANCE DE RECOUVRIR DES MACLES EVENTUELLEMENT FORMEES PENDANT UN DEPOT ANTERIEUR. LE SECOND EST RELATIF A UNE INTERPRETATION QUE NOUS PROPOSONS POUR RENDRE COMPTE DE LA MORPHOLOGIE DES DIFFERENTS TYPES D'INTERFACES POUVANT ETRE OBSERVES LORS DU DEPOT D'UN FILM DE DIAMANT SUR UNE MOSAIQUE DE PLUSIEURS DIAMANTS
Author: Sylvère Barrat
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Languages : fr
Pages : 206
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La possibilité de synthétiser du diamant dans des conditions métastables, qui ne nécessitent pas des valeurs extrêmes de température et de pression, et les perspectives d'applications dans les domaines de la mécanique, de l'optique et de l'électronique, nous ont conduits à concevoir un réacteur MPCVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde), dans lequel nous avons élaboré des cristaux et des films de diamant. Dans un premier temps, nous nous sommes attachés à caractériser la morphologie des cristaux de diamant par microscopie électronique à balayage, et leur qualité chimique par spectroscopie Raman, en fonction des conditions d'élaboration. Nous avons ainsi mis en évidence une détérioration cristalline, qui se produit lorsque la teneur en hydrocarbure s'élève, et lorsque la température augmente. Par la suite, l'optimisation du réacteur, et en particulier une localisation plus précise de la décharge, a conduit à l'élaboration de dépôts homogènes constitués de cristaux développant des faces {100} et {111}. Cette optimisation nous a donné les moyens de réaliser une analyse morphométrique de ces cristaux, qui permet de suivre quantitativement l'évolution de la morphologie des monocristaux et des particules multimaclées (MTP), en fonction de la température du substrat et de la teneur en méthane. Un prétraitement adapté des substrats de silicium, nous a permis d'élever la densité de germes afin d'élaborer des films de diamant. Leur caractérisation microstructurale par microscopie électronique à transmission, a mis en évidence une répartition particulière des défauts structuraux présents uniquement selon les faces {111}, et a révélé la microstructure des MTP. Afin d'améliorer la qualité des films de diamant, nous avons élaboré des films épais texturés, définis par une morphologie globale décrivant l'axe de fibre et la nature des faces cristallines présentes en surface. En utilisant les résultats de l'analyse morphométrique, et en complétant le modèle de croissance généralement admis pour le diamant CVD, il a été possible de prévoir la morphologie globale des dépôts en fonction des conditions de synthèse, et d'élaborer des films où la quantité et la répartition des défauts structuraux sont en partie maitrisées
Author: CHRISTOPHE.. JANY
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Languages : fr
Pages : 250
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L'OBJECTIF DE CETTE THESE ETAIT L'ETUDE ET LA MISE AU POINT DE DETECTEURS DE RAYONNEMENTS A BASE DE FILMS DE DIAMANT POLYCRISTALLIN, REALISES PAR METHODE CVD ASSISTE PAR PLASMA MICRO-ONDE. IL S'AGISSAIT D'ETUDIER L'INFLUENCE DES TRAITEMENTS DE SURFACE, DE LA TECHNOLOGIE DES CONTACTS, ET DES PARAMETRES DE DEPOT DE FILMS DANS LE BUT D'OPTIMISER LES CARACTERISTIQUES DES DETECTEURS. CES DISPOSITIFS SONT PRINCIPALEMENT EVALUES PAR L'EFFICACITE DE COLLECTION DES CHARGES SOUS PARTICULES ALPHA ( = Q#C#O#L/Q#O, AVEC Q#O LA CHARGE GENEREE PAR LE RAYONNEMENT DANS LE DIAMANT, Q#C#O#L LA CHARGE TOTALE COLLECTEE AUX BORNES DU DETECTEUR). LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL S'EST FOCALISEE SUR L'ETUDE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE LA SURFACE DES FILMS BRUTS ET DE SON INFLUENCE SUR LE COURANT DE FUITE. CES ANALYSES MONTRENT UNE FORTE CONDUCTION DE TYPE P (> 1 PA) LIMITEE AUX REGIONS DE SURFACE SATUREE EN HYDROGENE. UN PROTOCOLE DE NETTOYAGE A ETE ETABLI AFIN D'OBTENIR DE FAIBLES COURANTS DE FUITE ( 1 NA), EN DESHYDROGENANT LA SURFACE PAR UN PROCEDE D'OXYDATION. DIFFERENTES TECHNIQUES DE FABRICATION ET DE TRAITEMENT DU CONTACT ONT ETE ETUDIEES, MONTRANT AINSI LA DEGRADATION DE LA JONCTION METAL/DIAMANT APRES RECUIT, INTERDISANT L'UTILISATION DE CES DETECTEURS DANS DE TELLES CONDITIONS. EN SECONDE PARTIE, NOUS AVONS ETABLI DES CORRELATIONS AVEC LE PROCEDE DE DEPOT CVD. L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE DE DEPOT ET/OU DU POURCENTAGE DE METHANE ENTRAINE UNE DEGRADATION DE . EN REVANCHE, L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE MICRO-ONDE CONDUIT A UNE AUGMENTATION DE . CES VARIATIONS ONT ETE IMPUTEES AUX VARIATIONS D'INCORPORATION DES PHASES SP#2 ET DE LA QUALITE CRISTALLINE. CES DEFAUTS PROVOQUENT L'AUGMENTATION DU COURANT DE FUITE ET DE LA DETERIORATION DE LA MOBILITE ET DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS. L'UTILISATION DE FILMS DE DIFFERENTES EPAISSEURS A MIS EN EVIDENCE UN GRADIENT EN PROPRIETE DE DETECTION DANS L'AXE DE CROISSANCE. ENFIN, L'ADJONCTION D'AZOTE ( 10PPM) DANS LA PHASE GAZEUSE DU DEPOT S'EST AVEREE NEFASTE POUR LA DETECTION. CET ELEMENT S'INCORPORE ET FACILITE LA FORMATION DES PHASES SP#2 DANS LES FILMS, AVEC POUR CONSEQUENCE UNE DEGRADATION DE LA QUALITE DU MATERIAU ET DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS. CE TRAVAIL A ETE FINALISE PAR L'UTILISATION DE DETECTEURS POUR LA DETECTION DE NEUTRONS THERMIQUES ET LA METROLOGIE D'IMPULSIONS DE PHOTONS VUV ET X MOUS.
Author: Eric Anger (docteur en physique)
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Languages : fr
Pages : 516
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L'objectif de la thèse est la maitrise d'un réacteur de dépôt de films de diamant. Le travail a consisté à dégager les principaux paramètres contrôlant les caractéristiques des revêtements. l'étude expérimentale a été effectuée dans un réacteur de dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma micro-onde. La spectroscopie de diffusion raman, la pesée et la microscopie électronique à balayage ont constitué les techniques systématiques d'analyse. La microscopie à force atomique, l'interférométrie fizeau, la spectroscopie de photoélectrons, des mesures de transparence, la spectroscopie d'annihilation de positions, la spectrométrie de rétrodiffusion de Rutherford et d'éjection de protons, la diffraction des rayons x et des mesures de diffusivité thermique par effet mirage ont été utilisées de façon plus ponctuelle. Une analyse préliminaire de la surface des échantillons monocristallins de silicium après activation de la germination par traitement mécanique a été réalisée. Elle a permis de mettre en évidence les principaux phénomènes responsables des densités de germination supérieures a 10e10 cm2. Une étude systématique de la densité de germination, de la vitesse de croissance, de la morphologie et de la qualité des dépôts en fonction des paramètres macroscopiques du réacteur a ensuite été entreprise. Ces paramètres sont la composition gazeuse, la température de dépôt, le couplage de la puissance micro-onde et de la pression (densité de puissance), le débit total et la durée de dépôt. L'étude a été complétée par une caractérisation structurale (porosité, rugosité, texture et contraintes internes) et chimique des couches minces de diamant qui a permis de définir les paramètres optimaux pour la réalisation de membranes de diamant. Les caractéristiques des membranes ont ensuite été optimisées pour être compatibles avec la réalisation de masques de lithographie par rayons X. La possibilité de réaliser des polariseurs pour lasers infrarouges de puissance à partir de ces membranes a également été établie.
Author: Delphine Moneger
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Languages : fr
Pages : 239
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L’étude d’un procédé de dépôt de films de diamant nanocristallin (DNC) assisté par plasma micro-onde pulsé en mélange Ar/H2/CH4, est réalisée. Un modèle numérique 1D, développé précédemment au LIMHP, est validé expérimentalement par des mesures de spectroscopie d’absorption effectuées sur le système de Swan du radical C2. L’analyse du plasma reposant sur les bilans réactionnels, les profils spatiaux et temporels des grandeurs de la décharge montre que la chimie est principalement gouvernée par la thermique. Le plasma est caractérisé par une température de gaz très élevée et une forte teneur en hydrogène atomique. A l’interface plasma/surface sont générées les espèces potentiellement précurseurs du dépôt de DNC : les radicaux C2, CH3, CH2, CH et l’atome de carbone. Bien que les espèces clefs de croissance ne soient pas formellement identifiées, une analyse critique des résultats de la littérature concernant les phénomènes de germination secondaire se déroulant lors du dépôt de DNC est obtenue. Elle conduit à remettre en question les conclusions de May et al. excluant le radical C2 comme espèce de croissance. L’optimisation des propriétés morphologique, topographique et électrique des films de DNC, en vue de la conception de filtres à ondes acoustiques de surface (SAW) fonctionnant à fréquence élevée, est obtenue par la modulation de la puissance injectée et l’ajustement des paramètres de dépôt. Associés à la lithographie électronique, la faible rugosité de surface, la faible taille de grains et le caractère résistif des films de DNC, élaborés à basse fréquence, permettent la réalisation de dispositifs SAW en structure multicouches IDTs/AlN/DNC fonctionnant jusqu’à 4 GHz.
Author: Ovidiu Brinza
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L’objectif de ce travail était d’optimiser un procédé de croissance CVD de films de diamant monocristallin et de développer des outils permettant d’établir des stratégies de croissance. Dans un premier temps, l’observation de faces {113} à l’état stationnaire sur nos cristaux de diamant, nous a incité à développer un modèle de croissance géométrique 3D dont les paramètres d’entrée sont les vitesses de déplacement des plans {111}, {110} et {113} normalisées par rapport à celles du plan {100} (respectivement α, β et γ). La validation de ce modèle par la détermination expérimentale des vitesses de croissance dans les différentes directions cristallographiques {100}, {111}, {110} et {113} en fonction des conditions de croissance a été démontrée. Un outil était alors disponible pour élaborer des stratégies de croissance en vue d’obtenir une morphologie particulière ou d’augmenter la surface des plateaux des cristaux en croissance. Le substrat de diamant utilisé jouant un rôle primordial sur la qualité de la croissance, une étude de son prétraitement et de sa provenance a été menée. Ainsi, il a été montré que pour l’obtention de films épais de diamant CVD, même lorsqu’une forte densité de puissance est utilisée, il est indispensable de faire subir préalablement au substrat un plasma d’attaque en milieu H2/O2. Il a également été démontré que les substrats synthétiques HPHT Ib sont, bien que contenant une forte teneur en azote, très bien adaptés pour réaliser des films épais car ils présentent relativement peu de dislocations et des caractéristiques de polissage meilleures que les substrats CVD disponibles à l’heure actuelle. Enfin, des solutions sont proposées pour limiter le coût de production de ce matériau qui est élevé. L’une d’elles consiste à utiliser une décharge pulsée permettant d’augmenter les vitesses de dépôt de près de 25% tout en réduisant la puissance micro-onde moyenne injectée de 15%, et en conservant une qualité de matériau équivalente. La deuxième solution consiste à introduire de l’azote en phase gazeuse, composant bien connu pour augmenter fortement les vitesses de croissance. Cette étude a mis en évidence que, à haute densité de puissance, un fort couplage entre la température de dépôt et la teneur en azote existe. En particulier, lorsque la concentration d’azote est augmentée, le mode de croissance évolue d’un mode de croissance par écoulement de marches vers un mode de croissance par germination bi-dimensionnelle.
Author: Nesrine Hellala
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Languages : fr
Pages : 227
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L’objectif de cette étude était la caractérisation chimique de cristaux et films de diamant élaborés par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes sur silicium. Il s’agit d’une approche pluritechnique fondée essentiellement sur les techniques spectroscopiques. La spectroscopie Raman, la spectroscopie XPS, la diffraction des rayons X et la microscopie électronique à balayage ont fournis des informations essentielles et complémentaires sur les propriétés physico-chimiques et structurales des dépôts de diamant en fonction de différents paramètres de synthèse. A titre d’illustration, une nouvelle transition électronique a été observée pour les films présentant des surfaces hydrogénées. Cette transition présente un gap de surface voisin de 2,7 eV mise en évidence par un effet Raman de résonance. Des contraintes internes anisotropes sont observées pour les films présentant un axe de fibre 110 et pour des cristaux multimaclés isolés présentant une germination secondaire.
Author: Jean-Pierre Lagrange
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Languages : fr
Pages : 212
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LE DIAMANT EST UN SEMI-CONDUCTEUR A LARGE BANDE INTERDITE (5.4 EV) TRES PROMETTEUR EN ELECTRONIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE FORTE PUISSANCE. CEPENDANT, SON UTILISATION EST LIMITEE PAR L'ABSENCE D'UN DOPAGE DE TYPE N. NOUS AVONS ETUDIE DANS CETTE THESE LE DOPAGE AU BORE DU DIAMANT (TYPE P), ET L'INCORPORATION DE PHOSPHORE ET D'AZOTE DANS LE DIAMANT PAR IMPLANTATION IONIQUE. NOUS AVONS ELABORE DES COUCHES MINCES DE DIAMANT PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA MICRO-ONDE. NOUS AVONS UTILISE DANS NOTRE ETUDE DIVERSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION : SPECTROSCOPIE DE DIFFUSION RAMAN, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, RESISTIVITE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE (DE 100K A 1000K), EFFET HALL, COURANTS THERMO-STIMULES, THERMOLUMINESCENCE. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QUE LE DOPAGE AU BORE EST AUJOURD'HUI BIEN MAITRISE. DES MESURES ELECTRIQUES SUR UNE LARGE GAMME DE CONCENTRATION (DE 5 10#1#6 A 8 10#2#0 B.CM#-#3) MONTRENT TROIS REGIMES DE CONDUCTION DIFFERENTS : CONDUCTION PAR SAUT PAR PLUS PROCHE VOISIN, CONDUCTION PAR LA BANDE DE VALENCE, CONDUCTION METALLIQUE. NOUS AVONS MONTRE POUR LA PREMIERE FOIS UNE SATURATION DE LA CONDUCTIVITE ET UNE ENERGIE D'ACTIVATION A HAUTE TEMPERATURE E#A/2 TYPIQUE D'UN TAUX DE DEFAUTS COMPENSATEURS INFERIEUR A 10%. NOUS AVONS MONTRE QUE L'IMPLANTATION EST LA METHODE LA PLUS EFFICACE POUR INCORPORER DE L'AZOTE EN SITE SUBSTITUTIONNEL DANS LE DIAMANT. NEANMOINS, L'INCORPORATION D'AZOTE SEMBLE INDUIRE INDIRECTEMENT DES DEFAUTS PARAMAGNETIQUES DANS LE DIAMANT. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE L'INCORPORATION DE PHOSPHORE EN SITE SUBSTITUTIONNEL EST POSSIBLE. NOUS AVONS DEFINI UN SEUIL D'AMORPHISATION COMPRIS ENTRE 3 ET 4 10#1#4 P.CM#-#2. TOUTEFOIS, UN NOUVEAU DEFAUT PARAMAGNETIQUE QUI SEMBLE ETRE INDUIT PAR LE PHOSPHORE APPARAIT APRES RECUIT. LA CONDUCTION EST ENCORE DOMINEE PAR LES DEFAUTS CREES PAR L'IMPLANTATION IONIQUE. CES RESULTATS SONT TRES PROMETTEURS POUR DES APPLICATIONS FUTURES EN MICROELECTRONIQUE.
