Contribution à l'étude des propriétés de transport à basse température dans les semiconducteurs amorphes du groupe IV PDF Download
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Author: Nabila Maloufi
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Languages : fr
Pages : 116
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Book Description
Étude des mécanismes de transport par diffusion entre états localisés. L'effet de la température, de l'épaisseur des échantillons, du recuit a été examiné dans le cadre des théories existantes. Deux domaines de température ont été mis en évidence : au-dessus de 30 K, le modèle du petit polaron, reproduit bien les résultats expérimentaux, tandis qu'au dessus de 100 K, l'accord est bon avec le modèle de pollack inspiré de la théorie de Mott complétée
Author: Nabila Maloufi
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Languages : fr
Pages : 116
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Étude des mécanismes de transport par diffusion entre états localisés. L'effet de la température, de l'épaisseur des échantillons, du recuit a été examiné dans le cadre des théories existantes. Deux domaines de température ont été mis en évidence : au-dessus de 30 K, le modèle du petit polaron, reproduit bien les résultats expérimentaux, tandis qu'au dessus de 100 K, l'accord est bon avec le modèle de pollack inspiré de la théorie de Mott complétée
Author: Ali Ben Moussa
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 26
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Book Description
Nous nous sommes proposés d'apporter une contribution à l'étude des propriétés de transport électronique d'alliages semiconducteurs liquides (Cd-Te, Zn-Te). Nous avons présenté de nouvelles mesures de la résistivité électrique (ρ) et du pouvoir thermoélectrique absolu (S) du tellure, du cadmium, du zinc liquide ainsi que de leurs alliages liquides (CdxTe1-x et ZnxTe1-x) en fonction de la température. Nous avons mis au point un nouveau dispositif et une nouvelle cellule en silice qui nous a permis d'effectuer des mesures jusqu'à 1350 degrés Celcius. Nos travaux ont porté, dans un premier temps, sur l'étude du tellure liquide qui présente une dépendance en température de ses propriétés électroniques inhabituelle. L'etude du cadmium et du zinc liquide à très hautes températures, nous a permis d'observer le comportement surprenant du PTA, qui augmenté à basse température puis diminué à plus haute température. Pour interpréter les résultats expérimentaux, nous avons utilisé une méthode ab initio du calcul de la résistivité [ρ(E)] et du PTA [S(E)] en fonction de l'énergie. Différents potentiels ont été construits basés sur la théorie de la fonctionnelle de la densite (DFT) qui prend en compte les effets d'échanges et de corrélations entre électrons. Nous nous sommes ensuite intéressés à l'étude des alliages Cd-Te et Zn-Te liquides. En phase solide, les alliages etudiés sont des semiconducteurs. il était intéressant d'examiner si la semiconductibilité persiste à l'état liquide et de considérer la variation de la largeur de la bande interdite (gap). Pour interpréter nos résultats expérimentaux, nous avons introduit le modèle récent d'Enderby et Barnes basé sur les formules de Kubo-Greenwood. D'un point de vue qualitatif et quantitatif, l'accord entre la théorie et nos résultats expérimentaux nous a permis de mettre en évidence le caractère semiconducteur de ces alliages liquides proche de la composition équiatomique et ce bien au-delà de leurs points de fusion respectifs
Author: MOHAMED.. CHERRADI-NABIH
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 177
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ETUDE DE L'EFFET DES INTERFERENCES QUANTIQUES QUI DOMINENT A BASSE TEMPERATURE LES PROPRIETES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DES SYSTEMES DESORDONNES. DES ALLIAGES AMORPHES AU::(X)SI::(1-X) ET DES MULTICOUCHES AU/SI ONT ETE PREPAREES PAR EVAPORATION SOUS VIDE D'OR ET DE SILICIUM
Author: Renaud Leturcq
Publisher:
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Category :
Languages : en
Pages : 111
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Le fil directeur de mes travaux de recherche est l'étude des propriétés électroniques de systèmes de taille nanométrique réalisés dans les semiconducteurs. Leur caractère commun est que, à suffisamment basse température, leur propriétés de transport sont dominées par la nature quantique des électrons. Outre l'intérêt fondamental de l'étude du transport électronique dans la limite quantique, les nouvelles fonctionnalités ouvertes par ces études pourraient avoir des applications dans des domaines tels que la détection et la métrologie, ou comme base pour le traitement quantique de l'information. L'utilisation de telles nanostructures nécessite cependant de mieux comprendre leurs propriétés de transport, notamment concernant le transport cohérent hors équilibre, ou à l'échelle de l'électron ou du spin individuels. Les travaux que j'ai réalisés en post-doctorat à l'ETH Zürich, et que j'ai entamé à l'IEMN, visent à mieux comprendre ces phénomènes. Ils comprennent principalement trois parties, dont les principaux résultats sont détaillés ci-dessous. Peu d'études se sont intéressées aux propriétés des systèmes nanométriques hors équilibre, qui entrent en jeux dans de nombreuses mesures expérimentales, mais qui sont difficiles à prendre en compte dans des modèles théoriques. La mesure d'une boîte quantique à trois terminaux a permis de mettre en évidence expérimentalement la séparation du pic de densité d'état dans le régime Kondo, résultat important pour comprendre le comportement d'un système d'électrons fortement corrélés hors équilibre. Dans un anneau quantique, nous avons observé l'asymétrie en champ magnétique de la conductance non-linéaire, prédite théoriquement pour des systèmes d'électrons en interaction.
Author: OLIVIER.. GLODT
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Languages : fr
Pages :
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LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Author: Ali Siblini
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Languages : fr
Pages : 238
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ETUDE DE LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET DE LA PERMITTIVITE, DENSITE ET MOBILITE DES PORTEURS. ON EFFECTUE LES MESURES MAGNETOELECTRIQUES (EFFET HALL ET MAGNETORESISTANCE) NECESSAIRES POUR COMPLETER L'ETUDE DE LA DENSITE ET DE LA MOBILITE DES PORTEURS. ON ENVISAGE ENSUITE LES MESURES THERMIQUES ET THERMOELECTRIQUES. DESCRIPTION DES APPAREILLAGES. ON UTILISE DES EQUIPEMENTS AFIN D'APPORTER UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES CHALCOGENURES AMORPHES, DES CORPS FRITTES A BASE DE CDS ET D'ECHANTILLONS DE GERMANIUM POLYCRISTALLINS
Author: JOCELYN.. ACHARD
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Languages : fr
Pages : 175
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CE MEMOIRE DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE TRANSPORT DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS III-V PRESENTANT PLUSIEURS CANAUX DE CONDUCTION. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE, A PARTIR DE MODELES THEORIQUES DECRIVANT LES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS, DE DEVELOPPER UNE METHODE EXPERIMENTALE PERMETTANT DE DETERMINER LES DENSITES DE PORTEURS ET LES MOBILITES POUR UN SYSTEME MODELISE PAR PLUSIEURS COUCHES EN PARALLELES. CETTE METHODE S'APPUIE SUR DES MESURES DE MAGNETORESISTANCE ET D'EFFET HALL POUR DES VALEURS DU CHAMP MAGNETIQUE INFERIEURES A 1 T. EN CE QUI CONCERNE LA MODELISATION, CE TRAVAIL S'APPUIE SUR LA TECHNIQUE DES SPECTRES DE MOBILITE ET SUR DES AJUSTEMENTS NON-LINEAIRES DU TENSEUR DE CONDUCTIVITE REDUIT. NOUS PRESENTONS UNE VALIDATION THEORIQUE PUIS EXPERIMENTALE POUR DES STRUCTURES TESTS PERMETTANT AINSI DE METTRE EN EVIDENCE LES LIMITES DE RESOLUTION ET DE SENSIBILITE DE LA METHODE. CE TYPE DE CARACTERISATION ELECTRONIQUE NECESSITE LE DEPOT DE CONTACTS OHMIQUES, EN PARTICULIER SUR DES STRUCTURES PEU DOPEES (1.10#1#5CM#-#3). UNE ETUDE PREALABLE A DONC ETE REALISEE. DES PSEUDO-JONCTIONS SCHOTTKY, NECESSAIRES A LA REALISATION DES STRUCTURES TESTS POUR LES MESURES CAPACITIVES ONT EGALEMENT ETE REALISEES. DES RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR DES STRUCTURES COMPLEXES TELLES QUE DES H.E.M.T. ET DES PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ONT PU METTRE EN EVIDENCE L'INTERET DE LA METHODE ET LES INFORMATIONS COMPLEMENTAIRES QU'ELLE AMENE PAR RAPPORT AUX MESURES CAPACITIVES.
Author: Kacem Zellama
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 70
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Author: Omar El Hassan
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 95
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Author: Albert Zylbersztejn
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 240
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