Contribution à l'étude des limites de fonctionnement des technologies MOS microniques PDF Download
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Author: Carlos Galup
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 95
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Book Description
ETUDE EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS MOS MICRONIQUES SOUMIS A UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE (1000 HEURES) AU VOISINAGE DU POINT DE SATURATION. UN MODELE DES TRANSISTORS AYANT SUBI UNE CONTRAINTE EST PROPOSE. UN PROFIL DE DEFAUTS ENTRE SOURCE ET DRAIN, NOTAMMENT UN PROFIL D'ETATS D'INTERFACE, PERMET DE RENDRE COMPTE DE LA PLUPART DES CARACTERISTIUQES DU MOS DEGRADE
Author: Carlos Galup
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Category :
Languages : fr
Pages : 95
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ETUDE EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS MOS MICRONIQUES SOUMIS A UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE (1000 HEURES) AU VOISINAGE DU POINT DE SATURATION. UN MODELE DES TRANSISTORS AYANT SUBI UNE CONTRAINTE EST PROPOSE. UN PROFIL DE DEFAUTS ENTRE SOURCE ET DRAIN, NOTAMMENT UN PROFIL D'ETATS D'INTERFACE, PERMET DE RENDRE COMPTE DE LA PLUPART DES CARACTERISTIUQES DU MOS DEGRADE
Author: Carlos Galup
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 95
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Author: Márcio Cherem Schneider
Publisher: Cambridge University Press
ISBN: 052111036X
Category : Computers
Languages : en
Pages : 505
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The essentials of analog circuit design with a unique all-region MOSFET modeling approach.
Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Science
Languages : en
Pages : 542
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Author:
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ISBN:
Category : Research
Languages : en
Pages : 1030
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Sections 1-2. Keyword Index.--Section 3. Personal author index.--Section 4. Corporate author index.-- Section 5. Contract/grant number index, NTIS order/report number index 1-E.--Section 6. NTIS order/report number index F-Z.
Author:
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Category : Government reports announcements & index
Languages : en
Pages : 1028
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