Contribution a l'etude des depots par plasma froid a partir du methane. Effet de la frequence d'excitation du plasma PDF Download
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Author: Ahmed Benani
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Author: Ahmed Benani
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Author: Abdellah el Jounaidi
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Author: Nguyen Van Trong
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Author: Alain Tronche
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Author: Ahmed Bennani (docteur en physique)
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LA PRESENTE ETUDE PORTE SUR LE DEPOT DE FILMS MINCES DE CARBONE AMORPHE HYDROGENE PAR PLASMA A PARTIR DE METHANE. NOUS AVONS ANALYSE LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES DECHARGES ET L'INFLUENCE DES PARAMETRES DE LA DECHARGE (PRESSION, DENSITE DE PUISSANCE ET FREQUENCE) SUR LA CINETIQUE DE CROISSANCE, LA STRUCTURE ET LES PROPRIETES DES FILMS A-C: H. POUR LE DEPOT DES FILMS, DEUX TYPES DE REACTEURS ONT ETE UTILISES: 1) UN REACTEUR PLASMA, BASSE FREQUENCE (20 KHZ) A ELECTRODES COPLANAIRES; 2) UN REACTEUR PLASMA, HAUTE FREQUENCE, RELIE A UN SYSTEME D'EXCITATION DU TYPE: -L.C. RO-BOX FONCTIONNANT DANS LA GAMME DE FREQUENCE 13.56-100 MHZ, -STUB RO-BOX DANS LA GAMME 500-1000 MHZ. LA PREMIERE PARTIE PORTE SUR L'ETUDE DE LA CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE DE LA DECHARGE A 20 KHZ, ELLE NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE DEUX ZONES DE TRAVAIL DONNANT LIEU A DES FILMS DIFFERENTS. NOUS AVONS MONTRE, GRACE AUX ANALYSES DE STRUCTURES: ESCA, EELS, RAMAN ET IR, QUE LES FILMS SONT PRINCIPALEMENT CONSTITUES DE CARBONE AMORPHE AVEC LA PRESENCE D'ILOTS DE CARBONE GRAPHITE, AVEC TOUTEFOIS UNE TENEUR EN GRAPHITE PLUS IMPORTANTE POUR LES FILMS PREPARES A FORTE ENERGIE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA REPONSE ELECTRIQUE NON-LINEAIRE DES FILMS EST LIEE A LA QUANTITE DE GRAPHITE PRESENTE DANS LE MATERIAU. L'ETUDE DE LA REPONSE EN ALTERNATIF (PERMITTIVITE COMPLEXE ET PERTES DIELECTRIQUES) A MIS EN EVIDENCE UN PIC DE RELAXATION POUR LES FILMS PREPARES A FORTE ENERGIE, INTERPRETE COMME UNE POLARISATION PAR CHARGES D'ESPACES. LA REPONSE A UN ECHELON DE TENSION, MONTRE QU'EN REGIME PERMANENT ON EST EN PRESENCE DE COURANTS LIMITES PAR CHARGES D'ESPACES. LA DEUXIEME PARTIE PORTE SUR L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU PLASMA (P, W, T) SUR LA CINETIQUE DE CROISSANCE. UNE ATTENTION SPECIFIQUE EST PORTEE AU ROLE DE LA FREQUENCE D'EXCITATION DU PLASMA, QUI MONTRE LES TAUX DE CROISSANCE SONT SENSIBLES A CE PARAMETRE
Author: Christian Peugnet
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Languages : fr
Pages : 108
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Author: EDOUARD.. BALASTRE
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Author: Abdellah El Jounaîdi
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Pages : 152
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE D'UN PLASMA DE DEPOT ET L'ANALYSE DES FILMS ORGANOSILICIES DEPOSES DANS UNE DECHARGE BASSE FREQUENCE (2,5 KHZ). UNE PARTIE DE L'ETUDE DE LA PHASE GAZEUSE DU PLASMA A PORTE SUR LA DETERMINATION DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE (TE) ET LA DENSITE ELECTRONIQUE (N#E) ET LEUR EVOLUTION EN FONCTION DES CONDITIONS DE DECHARGE (COURANT DE DECHARGE, PRESSION). IL A DEMONTRE PAR LA METHODE DE LA SONDE DE LANGMUIR QUE N#E VARIE ENTRE 10#7 ET 10#8 CM##3, TANDIS QUE TE2,0 EV EST PEU SENSIBLE AUX CONDITIONS DE DECHARGE. LE DIAGNOSTIC DE LA PHASE GAZEUSE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE A MIS EN EVIDENCE LA DISYMETRIE DE LA DECHARGE. L'EMPLOI D'UNE FIBRE OPTIQUE A PERMIS DE RECUEILLIR L'INTENSITE D'EMISSION DES ESPECES EXCITEES A DIFFERENTES HAUTEURS DE L'ESPACE INTERELECTRODE. LE MAXIMUM D'EMISSION SITUE DANS LA REGION CATHODIQUE DE LA PLUPART DES ESPECES EXCITEES MONTRE UNE FORTE DISSOCIATION DE LA MOLECULE DU MONOMERE DANS CETTE REGION, CE QUI CONDUIT A UN TAUX DE CROISSANCE DU FILM DEPOSE QUATRE FOIS PLUS ELEVE SUR LA CATHODE QUE SUR L'ANODE. L'ANALYSE DES FILMS DEPOSES MONTRE QUE LES CONDITIONS DE DECHARGE N'INFLUENT PAS BEAUCOUP SUR LA STRUCTURE DES FILMS. EN REVANCHE, DES QUANTITES DE PLUS EN PLUS IMPORTANTES CONTRIBUENT A L'ELIMINATION DE LA PARTIE ORGANIQUE DANS LES FILMS. CES FILMS MINCES SONT UTILISES DANS LE DOMAINE DE LA PASSIVATION DES SURFACES DE SEMICONDUCTEURS OU COMME COUCHES PLANARISANTES
Author: Auguste Léon Marie Neau
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Languages : fr
Pages : 49
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Languages : fr
Pages : 79
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