Contribution à la modélisation physique et électrique compacte du transistor à nanotube PDF Download
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Author: Johnny Goguet
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Languages : fr
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Book Description
Selon l'ITRS, le transistor à nanotube de carbone est une des alternatives prometteuses au transistor MOS Silicium notamment en termes de taille de composant et d'architectures de circuits innovantes. Cependant, à l'heure actuelle, la maturité des procédés de fabrication de ces technologies ne permet pas de contrôler finement les caractéristiques électriques. C'est pourquoi, nous proposons un modèle compact basé sur les principes physiques qui gouvernent le fonctionnement du transistor à nanotube. Cette modélisation permet de lier les activités technologiques à celles de conception de circuit dans le contexte de prototypage virtuel. Pour peu qu'elle inclut des paramètres reflétant la variation des procédés, il est alors possible d'estimer les performances potentielles des circuits intégrés. Le transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière (C-CNFET), i.e. « MOS-like », est modélisé analytiquement en supposant le transport balistique des porteurs dans le canal. Le formalisme de Landauer est utilisé pour décrire le courant modulé par le potentiel du canal calculé de façon auto-cohérente avec la charge associée selon le potentiel appliqué sur la grille. Le modèle du transistor à nanotube de carbone double grille, DG-CNFET est basé sur celui du C-CNFET. Ce transistor est de type N ou P selon la polarisation de la grille supplémentaire. Ce transistor est modélisé de manière similaire pour les 3 régions : la partie interne modulée par la grille centrale, et les accès source et drain modulés par la grille arrière. La charge, plus complexe à calculer que celle du C-CNFET, est résolue analytiquement en considérant différentes plages de polarisation et d'énergie. Le modèle du DG-CNFET a été mis en œuvre dans le cadre d'architectures de circuits électroniques innovants : une porte logique à 2 entrées comportant 7 transistors CNFET dont 3 DG-CNFET pouvant, selon la polarisation des 3 entrées de configuration, réaliser 8 fonctions logiques différentes.
Author: Johnny Goguet
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Languages : fr
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Book Description
Selon l'ITRS, le transistor à nanotube de carbone est une des alternatives prometteuses au transistor MOS Silicium notamment en termes de taille de composant et d'architectures de circuits innovantes. Cependant, à l'heure actuelle, la maturité des procédés de fabrication de ces technologies ne permet pas de contrôler finement les caractéristiques électriques. C'est pourquoi, nous proposons un modèle compact basé sur les principes physiques qui gouvernent le fonctionnement du transistor à nanotube. Cette modélisation permet de lier les activités technologiques à celles de conception de circuit dans le contexte de prototypage virtuel. Pour peu qu'elle inclut des paramètres reflétant la variation des procédés, il est alors possible d'estimer les performances potentielles des circuits intégrés. Le transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière (C-CNFET), i.e. « MOS-like », est modélisé analytiquement en supposant le transport balistique des porteurs dans le canal. Le formalisme de Landauer est utilisé pour décrire le courant modulé par le potentiel du canal calculé de façon auto-cohérente avec la charge associée selon le potentiel appliqué sur la grille. Le modèle du transistor à nanotube de carbone double grille, DG-CNFET est basé sur celui du C-CNFET. Ce transistor est de type N ou P selon la polarisation de la grille supplémentaire. Ce transistor est modélisé de manière similaire pour les 3 régions : la partie interne modulée par la grille centrale, et les accès source et drain modulés par la grille arrière. La charge, plus complexe à calculer que celle du C-CNFET, est résolue analytiquement en considérant différentes plages de polarisation et d'énergie. Le modèle du DG-CNFET a été mis en œuvre dans le cadre d'architectures de circuits électroniques innovants : une porte logique à 2 entrées comportant 7 transistors CNFET dont 3 DG-CNFET pouvant, selon la polarisation des 3 entrées de configuration, réaliser 8 fonctions logiques différentes.
Author: Mark Lundstrom
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 0387280030
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 223
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Book Description
To push MOSFETs to their scaling limits and to explore devices that may complement or even replace them at molecular scale, a clear understanding of device physics at nanometer scale is necessary. Nanoscale Transistors provides a description on the recent development of theory, modeling, and simulation of nanotransistors for electrical engineers, physicists, and chemists working on nanoscale devices. Simple physical pictures and semi-analytical models, which were validated by detailed numerical simulations, are provided for both evolutionary and revolutionary nanotransistors. After basic concepts are reviewed, the text summarizes the essentials of traditional semiconductor devices, digital circuits, and systems to supply a baseline against which new devices can be assessed. A nontraditional view of the MOSFET using concepts that are valid at nanoscale is developed and then applied to nanotube FET as an example of how to extend the concepts to revolutionary nanotransistors. This practical guide then explore the limits of devices by discussing conduction in single molecules
Author: Montassar Najari
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Languages : fr
Pages : 0
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Afin de permettre le développement de modèles manipulables par les concepteurs, il est nécessaire de pouvoir comprendre le fonctionnement des nanotubes, en particulier le transport des électrons et leurs propriétés électroniques. C'est dans ce contexte général que cette thèse s'intègre. Le travail a été mené sur quatre plans : développement de modèles permettant la description des phénomènes physiques importants au niveau des dispositifs, expertise sur le fonctionnement des nano-composants permettant de dégager les ordres de grandeurs pertinents pour les dispositifs, les contraintes, la pertinence de quelques procédés de fabrication (reproductibilité, taux de défauts, collection de caractéristiques mesurées et développement éventuel d'expériences spécifiques, expertise et conception des circuits innovatifs pour l'électronique numérique avec ces nano-composants.
Author: Si-Yu Liao
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ISBN: 9786131581977
Category :
Languages : fr
Pages : 152
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Author: Si-yu Liao
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Languages : fr
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Afin de permettre de développer un modèle de mémoire non-volatile basée sur le transistor à nanotube de carbone à commande optique qui est utilisée dans des circuits électroniques neuromorphiques, il est nécessaire de comprendre les physiques électroniques et optoélectroniques des nanotubes de carbone, en particulier l'origine de l'effet mémoire que présente ces transistors. C'est dans ce contexte général que cette thèse s'intègre. Le travail est mené sur trois plans :• Caractériser électriquement et optoélectroniquement des structures de test des CNTFETs et des OG-CNTFETs.• Développer un modèle compact pour les contacts Schottky dans les transistors à nanotube de carbone de la façon auto-cohérente basé sur le diamètre et la nature du métal d'électrode en utilisant la méthode de la barrière effective avec les paramètres nécessaires calibrés.• Modéliser l'OG-CNTFET selon les régimes de fonctionnement, lecture, écriture, effacement ou programmation pour application à une mémoire non-volatile en intégrant le mécanisme de piégeage et dépiégeage à l'interface polymère/oxyde.
Author: Hugues Cazin d'Honincthun
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Languages : fr
Pages : 187
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Pour continuer la course à la miniaturisation des composants microélectronique, les nanotubes de carbone (NTC) se présentent comme une alternative potentielle au Silicium en tant que canal de conduction dans les transistors à effet de champ (CNTFET). Afin de comprendre le fonctionnement du CNTFET, ce travail présente un ensemble de simulations physiques de type Monte-Carlo permettant une description fine du transport de charges. Ce travail est basé sur le simulateur particulaire MONACO qui a été adapté aux propriétés spécifiques des NTC. Il commence par une étude détaillée du transport électronique dans les NTC semi-conducteurs mono-feuillet. L’importance des différents mécanismes d’interaction électron-phonon et leur impact sur les propriétés de transport sont plus particulièrement analysés. Les libres parcours moyens obtenus sont dépendants du champ électrique : suivant les phonons dominants: ils sont supérieurs à 100 nm à faible champ et inférieurs à 20 nm à fort champ. La simulation d’un CNTFET à grille cylindrique et à contacts ohmiques est ensuite proposée en vu de dimensionner le transistor pour des applications numériques et analogiques. L’influence du contrôle électrostatique, du transport balistique et de la capacité quantique sur le fonctionnement et les performances du transistor est analysée et validée par des travaux expérimentaux. Enfin, les performances dynamiques du transistor à nanotube sont évaluées à partir de facteurs de mérite pertinents définis, d’une part, pour des applications numériques et, d’autre part, pour des applications analogiques haute fréquence pour lesquelles des valeurs de fréquence de transition supérieures au THz sont obtenues.
Author: Desmond Chang Yih Chek
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ISBN:
Category : Field-effect transistors
Languages : en
Pages : 211
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Author: Yu Cao
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ISBN: 9789533070544
Category :
Languages : en
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In this chapter, a detailed procedure for developing compact models for carbon nanotube transistors and interconnects has been presented. Since the developed model does not use any iteration-based calculations, is scalable with process and design parameters and is highly accurate, it increases the scope of predictive design research. These models have been used for.
Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Abdallah Khellaf
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811565953
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 517
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This book examines a broad range of advances in hydrogen energy and alternative fuel developments and their role in the energy transition. The respective contributions were presented at the International Symposium on Sustainable Hydrogen, held in Algiers, Algeria on November 27-28, 2019. The transition from non-renewable polluting energy to sustainable green energy requires not only new energy sources but also new storage techniques and smart energy management. This situation has sparked renewed interest in hydrogen and alternative fuels, as they could help meet these needs. Indeed, hydrogen can not only be used as a clean energy vector or as an alternative fuel, but also as a storage medium or as an intermediary that enables improved energy management. This text offers a valuable reference guide for those working in the professional energy sector, as well as for students and instructors in academia who want to learn about the state of the art and future directions in the fields of hydrogen energy, alternative fuels and sustainable energy development.
