Conception et réalisation par épitaxie par jets moléculaires de diodes laser à puits quantique GaAs-AIGaAs à ruban nervuré émettant dans le spectre visible PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Conception et réalisation par épitaxie par jets moléculaires de diodes laser à puits quantique GaAs-AIGaAs à ruban nervuré émettant dans le spectre visible PDF full book. Access full book title Conception et réalisation par épitaxie par jets moléculaires de diodes laser à puits quantique GaAs-AIGaAs à ruban nervuré émettant dans le spectre visible by Françoise Chatenoud. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Françoise Chatenoud
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
Author: Françoise Chatenoud
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
Author: Béatrice Saint-Cricq
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 128
Get Book Here
Book Description
LE TRAITEMENT THEORIQUE DES MECANISMES D'EMISSION DANS LES PUITS QUANTIQUES S'APPUIE SUR UN MODELE ORIGINAL POUR LES REGLES DE SELECTION LORS DE LA TRANSITION. SUR CETTE BASE, LA METHODOLOGIE DE CALCUL DU GAIN OPTIQUE ET DES CARACTERISTIQUES GAIN-COURANT EST PRESENTEE ET EST COMPLETEE PAR L'ANALYSE DES PROPRIETES DE PROPAGATION ET DE LA CONDITION D'OSCILLATION LASER. UNE METHODOLOGIE GLOBALE DE DETERMINATION DE LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL EST PRESENTEE ET LES REGLES D'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS SONT DISCUTEES. EN CE QUI CONCERNE LA REALISATION DES DIODES LASER, LES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES LES PLUS SENSIBLES SONT ETUDIES ET LA PROCEDURE D'ELABORATION DEFINIE POUR LA CROISSANCE DES PUITS QUANTIQUES
Author: Benoît Messant
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 214
Get Book Here
Book Description
Les travaux reportés dans cette thèse concernent la conception et la réalisation technologique d'une diode laser à puits quantiques InGaAsN émettant à 1,3μm, épitaxiée sur substrat de GaAs, et comportant une structure à ruban à base d'un diaphragme d'oxyde d'aluminium (Alox). Nous présentons, tout d'abord, l'étude de modélisation et de conception de ces diodes laser. En nous appuyant sur un outil incluant la modélisation de la structure de bande des puits quantiques InGaAsN/GaAs, une étude complète d'optimisation des propriétés d'émission des puits quantiques est menée. Nous en dégageons les critères de conception de la structure bidimensionnelle pour obtenir une émission laser à 1,3μm présentant de bonnes performances en terme de stabilité thermique et de réponse dynamique, compatible avec les réseaux optiques d'accès. La seconde partie porte sur la réalisation technologique des composants. Nous présentons la mise au point de l'étape d'oxydation latérale humide et au développement d'un procédé technologique complet et reproductible de réalisation de diodes laser avec injection latérale des porteurs et diaphragme d'oxyde en tenant compte des contraintes technologiques des différentes étapes du procédé. La réalisation et la caractérisation de diodes laser à diaphragme d'oxyde ont constitué la dernière phase de ce travail. Après avoir validé le procédé technologique dans la filière AlGaAs/GaAs, nous avons procédé à une caractérisation approfondie des composants à multi puits quantiques InGaAsN/GaAs afin d'évaluer les potentialités de cette nouvelle filière et de confirmer l'intérêt du confinement procuré par le diaphragme Alox pour l'obtention de composants monomodes stables.
Author: CELINE.. ONGARETTO
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 209
Get Book Here
Book Description
DANS LE DOMAINE DES LASER A SEMICONDUCTEURS, LA REALISATION DE COMPOSANTS EMETTANT DANS LE BLEU PRESENTE UN GRAND INTERET SUR LE PLAN TECHNOLOGIQUE (NOTAMMENT POUR LE STOCKAGE DE L'INFORMATION). PARMI LES SEMICONDUCTEURS II-VI, ZNSE A ETE ADOPTE COMME CONSTITUANT DE BASE DE CES COMPOSANTS (SON GAP EST DE 2.7 EV, SOIT UNE LONGUEUR D'ONDE DE 460 NM). CE MEMOIRE TRAITE DE LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES II-VI A BASE DE ZNSE ELABOREES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES SUR SUBSTRAT DE GAAS ET PRESENTE UNE ETUDE DES DIFFERENTES ETAPES POUR L'OBTENTION DE DIODES LASER BLEUES. NOUS AVONS ETABLI LES CONDITIONS DE CROISSANCE DE ZNSE INTRINSEQUE QUI PERMETTENT D'OBTENIR UN MATERIAU DE HAUTE QUALITE. LE DOPAGE DE ZNSE PAR LE CHLORE (TYPE -N) EST AISE ; EN REVANCHE LE DOPAGE PAR L'AZOTE (TYPE -P) RESTE LIMITE PAR UN PHENOMENE DE COMPENSATION. NOUS REPORTONS EN OUTRE UN EXAMEN DE L'HETEROINTERFACE ZNSE/GAAS. DES STRUCTURES A MULTI PUITS QUANTIQUES ZNCDSE/ZNSE (ZONE ACTIVE DU COMPOSANT) ONT ETE ELABOREES. NOUS ETUDIONS LEURS PROPRIETES STRUCTURALES PAR DIFFRACTION DE RAYONS X ET OPTOELECTRONIQUES PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE. NOUS PRESENTONS UNE METHODE D'ANALYSE POUR LA DETERMINATION DES PARAMETRES DES STRUCTURES ET NOTAMMENT L'EXAMEN DE LEUR ETAT DE RELAXATION. LA CROISSANCE D'ALLIAGES SULFURES (COUCHES DE CONFINEMENT) ACCORDES PARAMETRIQUEMENT AU SUBSTRAT A ETE REALISEE. POUR LE TERNAIRE ZNSSE, L'OBTENTION D'UN MATERIAU DE GRANDE CRISTALLINITE PASSE PAR L'OPTIMISATION DE LA COUCHE TAMPON DE ZNSE. CONCERNANT LE QUATERNAIRE ZNMGSSE, DES PROBLEMES D'HOMOGENEITE SUBSISTENT POUR LES CONDITIONS EXAMINEES. NOUS PRESENTONS ENFIN LES DEMONSTRATEURS REALISES : UNE DIODE LASER BLEUE EMETTANT A 492 NM ET FONCTIONNANT A 80 K EN MODE PULSE (C'EST UNE PREMIERE EN FRANCE) ; PUIS UNE STRUCTURE ZNSSE/ZNSE/ZNCDSE PRODUISANT, PAR POMPAGE OPTIQUE, UNE EMISSION LASER A 483 NM A 300 K.
Author: Arnaud Wilk
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
Author: Lila Nafa
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 152
Get Book Here
Book Description
CE TRAVAIL DE THESE PORTE SUR L'ETUDE D'UN SYSTEME DE MATERIAUX INNOVANTS A BASE DE GAASSB/GAINAS/GAAS SUR SUBSTRAT DE GAAS, EN VUE DE LA REALISATION DE LASERS EMETTANT A 1,3 M. NOUS AVONS D'ABORD MONTRE A PARTIR DE MESURES DE PHOTOLUMINESCENCE ET DE PHOTOVOLTAGE, QUE LA DISCONTINUITE DE BANDES A L'INTERFACE GAASSB/GAAS ETAIT DE TYPE II (QV = 1,35). SUR LA BASE DE CE RESULTAT, NOUS AVONS PROPOSE DEUX STRUCTURES LASERS A DOUBLE PUITS QUANTIQUES GAASSB/GAINAS ET BARRIERE DE GAAS, L'UNE ASYMETRIQUE, L'AUTRE SYMETRIQUE, CAPABLES D'EMETTRE A 1,3 M. CES STRUCTURES LASERS ONT ETE REALISEES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES AU CNET DE BAGNEUX. L'EMISSION STIMULEE A ETE OBTENUE A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES DIODES LASER RIDGE. MALHEUREUSEMENT, LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION ETAIT INFERIEURE A 1,2 M, CE QUI CORRESPOND A UNE TRANSITION ENTRE NIVEAUX QUANTIQUES EXCITES. LE CALCUL DU GAIN OPTIQUE DANS LES DEUX TYPES DE STRUCTURES, MONTRE QUE LA TRANSITION FONDAMENTALE A 1,3 M, PEUT NEANMOINS ETRE OBTENUE SUR DES LASERS A PLUSIEURS PUITS QUANTIQUES (N W = 3) ET A FAIBLES PERTES (
Author: Stéphane Fourtine
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 127
Get Book Here
Book Description
LE TRAVAIL RAPPORTE DANS CE MEMOIRE A CONSISTE A DEVELOPPER ET A VALIDER UN LOGICIEL DE CONCEPTION DE DIODES LASER A PUITS QUANTIQUE DE TYPE GRIN-SCH EN GAALAS/GAAS. LE LOGICIEL QWT PERMET D'OBTENIR POUR UNE STRUCTURE QUELCONQUE LA CARACTERISTIQUE GAIN-COURANT, DE DETERMINER LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL, LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION LASER ET D'ANALYSER L'ENSEMBLE DE CES GRANDEURS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. DANS LE MODELE, LA PHYSIQUE DU PUITS QUANTIQUE EST TRAITEE DE FACON APPROFONDIE AINSI QUE LES MECANISMES D'EMISSION ET DE RECOMBINAISON DANS LE PUITS ET DANS LES COUCHES DE CONFINEMENT. L'ACCENT A ETE MIS EN PARTICULIER SUR L'IDENTIFICATION ET L'EVALUATION DES SOURCES DE PERTES QUI PARTICIPENT A L'AUGMENTATION DE LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL. UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE L'EVOLUTION DES COURANTS DE FUITE EN FONCTION DES DIFFERENTS PARAMETRES DE LA STRUCTURE A PERMIS D'ETABLIR DES CRITERES D'OPTIMISATION DE LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL ET DU COEFFICIENT DE STABILITE EN FONCTION DE LA PLAGE DE FONCTIONNEMENT EN TEMPERATURE SOUHAITE ET DU GAIN AU SEUIL CHOISI. ENFIN, UNE ETUDE EXPERIMENTALE PORTANT SUR TROIS SERIES DE DIODES LASER ELABOREES AU LAAS AYANT DES COMPOSITIONS EN ALUMINIUM DANS LE PUITS DE 0%, 15% ET 20% A PERMIS DE VALIDER LE MODELE DEVELOPPE. L'EXPLOITATION SIMULTANEE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET THEORIQUES NOUS A DONNE UNE ESTIMATION DES PERTES INTERNES DE NOS STRUCTURES ET AINSI UNE APPRECIATION DE LA QUALITE DE NOTRE TECHNOLOGIE. LA COMPARAISON THEORIE-EXPERIENCE DES VARIATIONS EN TEMPERATURE DE LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL, DE LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION ET DU PARAMETRE DE STABILITE T#0 ONT MONTRE LA VALIDITE DES MODELES THEORIQUES DEVELOPPES
Author: Pierre Turc
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 142
Get Book Here
Book Description
LA PREMIERE PARTIE DU MEMOIRE PRESENTE UNE METHODE DE CONCEPTION DE DIODES LASER GAALAS/GAAS A RUBAN VSIS EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE. UN MODELE ANALYTIQUE COMPLET ET ORIGINAL TIENT COMPTE DES PROPRIETES DE LA COUCHE ACTIVE AINSI QUE DES MECANISMES DE DECONFINEMENT ELECTRIQUE ET OPTIQUE DANS LES SENS TRANSVERSE ET LATERAL AUX HETEROJONCTIONS. SUR CETTE BASE, LES PERFORMANCES LIMITES DE CE COMPOSANT SONT ANALYSEES AFIN DE DEDUIRE LES PLUS COURTES LONGUEURS D'ONDE D'EMISSION COMPATIBLES AVEC UN FONCTIONNEMENT EN REGIME CONTINU A TEMPERATURE AMBIANTE. LA DEUXIEME PARTIE DU MEMOIRE CONCERNE LE PROCESSUS TECHNIQUE DE REALISATION DE CES DIODES LASER
Author: Stéphane Fourtine
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
Author: Philippe Arguel
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 161
Get Book Here
Book Description
