CARACTERISATION DES NIVEAUX PROFONDS DANS LE MATERIAU PHOTOREFRACTIF BI#1#2GEO#2#0 (BGO) PAR ANALYSE DE TRANSITOIRES DE COURANT PHOTO-INDUITS ET DETERMINATION DE LA MOBILITE DES PORTEURS PAR LA MEHTODE DU TEMPS DE VOL PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download CARACTERISATION DES NIVEAUX PROFONDS DANS LE MATERIAU PHOTOREFRACTIF BI#1#2GEO#2#0 (BGO) PAR ANALYSE DE TRANSITOIRES DE COURANT PHOTO-INDUITS ET DETERMINATION DE LA MOBILITE DES PORTEURS PAR LA MEHTODE DU TEMPS DE VOL PDF full book. Access full book title CARACTERISATION DES NIVEAUX PROFONDS DANS LE MATERIAU PHOTOREFRACTIF BI#1#2GEO#2#0 (BGO) PAR ANALYSE DE TRANSITOIRES DE COURANT PHOTO-INDUITS ET DETERMINATION DE LA MOBILITE DES PORTEURS PAR LA MEHTODE DU TEMPS DE VOL by ABDELALI.. EN NOURI. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: ABDELALI.. EN NOURI
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET A L'OPTIMISATION DES PROPRIETES DU MATERIAU PHOTOREFRACTIF BI#1#2GEO#2#0 (BGO). UN DES OBJECTIFS POURSUIVIS CONSISTE A ETENDRE LA PHOTOSENSIBILITE VERS LE PROCHE INFRA-ROUGE PAR DOPAGE AVEC DES METAUX DE TRANSITION. SEUL LE CUIVRE EST EFFICACE. UNE PARTIE IMPORTANTE EST CONSACREE A LA CARACTERISATION DES NIVEAUX PROFONDS PAR SPECTROSCOPIE THERMIQUE, PHOTOELECTRIQUE ET OPTIQUE (UNE DESCRIPTION DETAILLEE DES TECHNIQUES EST DONNEE) ET A UNE DISCUSSION GLOBALE DES RESULTATS S'APPUYANT EGALEMENT SUR LES PUBLICATIONS D'AUTRES AUTEURS. UN MODELE DE NIVEAUX EST PROPOSE SE DISTINGUANT NETTEMENT DU MODELE ORIGINAL A DEUX NIVEAUX. UNE MEME ESPECE DE DEFAUTS INTRINSEQUES X (ANTISITE BI#G#E, LACUNE V#G#E), POUVANT PRESENTER TROIS ETATS DE CHARGE X#, X#0, X#+. X#0 DOMINE LARGEMENT MEME DANS LE MATERIAU DOPE. SEUL LE CENTRE X#0 EST OPTIQUEMENT ACTIF ET LES TROIS BANDES D'ABSORPTION ENTRE 1.3 ET 3.1 EV PEUVENT LUI ETRE ATTRIBUEES. L'INSERTION EN SITE GE, OU EVENTUELLEMENT EN SITE BI, D'UN ACCEPTEUR, ENTRAINE LE BLANCHIMENT D'UNE PROPORTION PLUS OU MOINS IMPORTANTE DE CENTRES X#0 (FORMATION DE X#+). CEPENDANT, DANS LE CAS OU L'ACCEPTEUR EST OPTIQUEMENT IONISABLE, LA LUMIERE AMBIANTE A POUR EFFET DE MAINTENIR UNE FRACTION DES CENTRES DANS L'ETAT NEUTRE, OU MEME DANS CERTAINS CAS (CRISTAL DOPE AU CUIVRE) DE RENFORCER LEUR CONCENTRATION. LA DEUXIEME PARTIE DU TRAVAIL CONCERNE LA REALISATION D'UN MONTAGE POUR LA MESURE DE LA MOBILITE DES PHOTOPORTEURS PAR LA TECHNIQUE DU TEMPS DE VOL. DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0.3 ET 1 CM#2.V##1.S##1 ONT ETE OBTENUES AVEC DES CRISTAUX NON DOPES
Author: ABDELALI.. EN NOURI
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET A L'OPTIMISATION DES PROPRIETES DU MATERIAU PHOTOREFRACTIF BI#1#2GEO#2#0 (BGO). UN DES OBJECTIFS POURSUIVIS CONSISTE A ETENDRE LA PHOTOSENSIBILITE VERS LE PROCHE INFRA-ROUGE PAR DOPAGE AVEC DES METAUX DE TRANSITION. SEUL LE CUIVRE EST EFFICACE. UNE PARTIE IMPORTANTE EST CONSACREE A LA CARACTERISATION DES NIVEAUX PROFONDS PAR SPECTROSCOPIE THERMIQUE, PHOTOELECTRIQUE ET OPTIQUE (UNE DESCRIPTION DETAILLEE DES TECHNIQUES EST DONNEE) ET A UNE DISCUSSION GLOBALE DES RESULTATS S'APPUYANT EGALEMENT SUR LES PUBLICATIONS D'AUTRES AUTEURS. UN MODELE DE NIVEAUX EST PROPOSE SE DISTINGUANT NETTEMENT DU MODELE ORIGINAL A DEUX NIVEAUX. UNE MEME ESPECE DE DEFAUTS INTRINSEQUES X (ANTISITE BI#G#E, LACUNE V#G#E), POUVANT PRESENTER TROIS ETATS DE CHARGE X#, X#0, X#+. X#0 DOMINE LARGEMENT MEME DANS LE MATERIAU DOPE. SEUL LE CENTRE X#0 EST OPTIQUEMENT ACTIF ET LES TROIS BANDES D'ABSORPTION ENTRE 1.3 ET 3.1 EV PEUVENT LUI ETRE ATTRIBUEES. L'INSERTION EN SITE GE, OU EVENTUELLEMENT EN SITE BI, D'UN ACCEPTEUR, ENTRAINE LE BLANCHIMENT D'UNE PROPORTION PLUS OU MOINS IMPORTANTE DE CENTRES X#0 (FORMATION DE X#+). CEPENDANT, DANS LE CAS OU L'ACCEPTEUR EST OPTIQUEMENT IONISABLE, LA LUMIERE AMBIANTE A POUR EFFET DE MAINTENIR UNE FRACTION DES CENTRES DANS L'ETAT NEUTRE, OU MEME DANS CERTAINS CAS (CRISTAL DOPE AU CUIVRE) DE RENFORCER LEUR CONCENTRATION. LA DEUXIEME PARTIE DU TRAVAIL CONCERNE LA REALISATION D'UN MONTAGE POUR LA MESURE DE LA MOBILITE DES PHOTOPORTEURS PAR LA TECHNIQUE DU TEMPS DE VOL. DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0.3 ET 1 CM#2.V##1.S##1 ONT ETE OBTENUES AVEC DES CRISTAUX NON DOPES
Author: Nadia Benjelloun
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 283
Get Book Here
Book Description
LA METHODE EST UTILISEE POUR L'ETUDE DE LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ET SUR CDIN::(2)S::(4). LA CARACTERISATION DES NIVEAUX AYANT DES ENERGIES D'IONISATION THERMIQUE ENTRE 0,1 EV ET 0,9 EV, LE MODELE DE TRANSFERT DE CHARGE DECRIVANT L'EFFET PHOTOREFRACTIF ET L'EVALUATION DU NIVEAU DE RECOMBINAISON, SONT FAITS DANS LE MATERIAU PHOTOREFRACTIF. LES EFFETS DU DOPAGE (FER) ET DU CODOPAGE (FER, VANADIUM) SUR LES NIVEAUX SONT CONSIDERES. LE CENTRE RESPONSABLE DE LA CAPTURE D'ELECTRONS EST AUSSI ETUDIE PAR ABSORPTION OPTIQUE ET PHOTOCONDUCTIVITE PHOTOINDUITES. LES RESULTATS S'ACCORDENT AVEC CEUX DES MESURES DE PHOTOREFRACTIVITE
Author: ZAKARIA.. GUELLIL
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 275
Get Book Here
Book Description
LE SEMI-ISOLANT CDTE : V S'EST REVELE TRES INTERESSANT POUR LES APPLICATIONS PHOTOREFRACTIVES (PR) DANS LE DOMAINE SPECTRAL 11,55 M. LA CONNAISSANCE ET LA MAITRISE DES PARAMETRES OPTIQUES ET THERMIQUES DES NIVEAUX PIEGES, QUI DETERMINENT LES PROPRIETES PR DU MATERIAU, EST D'UNE IMPORTANCE CAPITALE. LES RESULTATS DE LA CARACTERISATION SUR DU CDTE : V, PAR CROISSANCE BRIDGMAN, SONT OBTENUS A PARTIR DES MESURES SUIVANTES : A) LA SPECTROSCOPIE THERMIQUE DES TRANSITOIRES DE COURANT PHOTO-INDUIT (PICTS), PERMET DE DETERMINER L'ENERGIE D'IONISATION, LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE ET LA CONCENTRATION DES NIVEAUX PROFONDS. CETTE TECHNIQUE PERMET DE CONNAITRE DE FACON FIABLE TOUTES LES INFORMATIONS LIEES AUX NIVEAUX PROFONDS ENGAGES DANS LES PROCESSUS DE PIEGEAGE. AINSI, POUR LE CDTE : V, PAS MOINS DE DIX NIVEAUX PIEGES ONT PU ETRE DETECTES DANS LE DOMAINE ENERGETIQUE ENTRE 0,1 ET 0,9 EV. TROIS DE CES NIVEAUX, AU DELA DE 0,6 EV, SONT ATTRIBUES AU V. B) LA VARIATION THERMIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE (PC), A FLUX DE PHOTONS CONSTANT, REFLETE LA VARIATION THERMIQUE DU PARAMETRE DE TRANSPORT (), PRODUIT DE LA MOBILITE PAR LE TEMPS DE VIE DES PORTEURS. QUALITATIVEMENT, CETTE VARIATION EST LA MEME POUR TOUS LES ECHANTILLONS ETUDIES LORSQUE T 200 K. POUR T 200 K, LA PC AUGMENTE AVEC LA TEMPERATURE MONTRANT AINSI DES STRUCTURES POUVANT ETRE RELIEES AUX RESULTATS DE L'ANALYSE A PARTIR DES SPECTRES PICTS. C) LA SENSIBILITE SPECTRALE DE LA PC STATIONNAIRE, A TEMPERATURE AMBIANTE, MONTRE LA PRESENCE DE STRUCTURES DANS LA REGION EXTRINSEQUE NON OBSERVEES POUR DU CDTE NON DOPE. CES STRUCTURES SONT MANIFESTEMENT DUES A LA PRESENCE DU V COMME DOPANT. ON OBSERVE UNE LARGE BANDE AUTOUR DE 1,3 EV DUE A V 2 + ET/OU V 3 +. TROIS STRUCTURES A 0,82 ; 0,98 ET 1,17 EV SONT ATTRIBUEES A V 2 +. CELLES A 0,87 ; 0,92 ET 1,02 EV SONT ATTRIBUEES A V 3 +. D) LES REPONSES SPECTRALES DE LA PC STATIONNAIRE A DIFFERENTES TEMPERATURES MONTRENT UNE VARIATION THERMIQUE LINEAIRE DE L'ENERGIE DU GAP AVEC UN FACTEUR DE 0,48 MEV/K. CERTAINES STRUCTURES (1,3 ; 1,17 EV), DUES A DES TRANSITIONS INTERNES, MONTRENT UNE VARIATION LINEAIRE SEMBLABLE A CELLE DU GAP. PAR CONTRE D'AUTRES STRUCTURES PRESENTENT CETTE MEME VARIATION QUE POUR T > 200 K. POUR T
