Amplificateurs 18-26 GHz bas niveau à transistors à effet de champ en technologies hybride et monolithique PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Amplificateurs 18-26 GHz bas niveau à transistors à effet de champ en technologies hybride et monolithique PDF full book. Access full book title Amplificateurs 18-26 GHz bas niveau à transistors à effet de champ en technologies hybride et monolithique by Bernard Jarry. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Bernard Jarry
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 438
Get Book Here
Book Description
Author: Bernard Jarry
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 438
Get Book Here
Book Description
Author: Laurent Escotte
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 233
Get Book Here
Book Description
L'ELABORATION D'UN NOUVEAU MODELE ELECTRIQUE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP PERMETTANT DE CARACTERISER LE COMPOSANT EN PETIT SIGNAL PAR SES PARAMETRES S ET SES PARAMETRES DE BRUIT DANS LE DOMAINE MICRO-ONDE ET MILLIMETRIQUE CONSTITUE L'OBJET DE CETTE THESE. NOTRE MODELE EST OBTENU A PARTIR DE MESURES DE PARAMETRES S ET DE FACTEUR DE BRUIT EFFECTUEES JUSQU'A 26 GHZ ET ENSUITE COMPARE A DIFFERENTS MODELES RENCONTRES DANS LA LITTERATURE. UN EXEMPLE D'APPLICATION A LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR BAS NIVEAU LARGE BANDE A CONDUIT A LA REALISATION PRATIQUE D'UN AMPLOFICATEUR A GAIN CONSTANT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE DANS LA BANDE 18-40 GHZ
Author: Christophe Gaquière
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 293
Get Book Here
Book Description
L'amélioration permanente des performances des transistors à effet de champ, en termes de fréquence, puissance ou rendement, a conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vide dans les amplificateurs hyperfréquences. De plus, depuis quelques années, l'extraordinaire explosion des applications grand public comprenant des circuits de puissance hyperfréquences (radiocommunication sans fil, télécommunications par satellite, systèmes d'anti-collision, d'auto-péage, et de surveillance de la circulation) a renforcé cette tendance. La première partie de ce travail développe une méthode de caractérisation spécifique en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants. Des solutions sont envisagées afin d'améliorer leurs performances. La suite du travail porte sur la caractérisation de ces transistors en fonctionnement grand signal dans la bande de fréquence 26-40 GHz à partir de bancs de mesures en puissance classiques. L'étude continue avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grille sur les comportements en puissance des composants. La dernière partie présente un système automatise de mesures grand signal dans la bande Ka qui permet d'effectuer des mesures en mode load pull à charge active ou en analyseur de réseau standard et d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques (gains, puissances, rendements). Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides ou monolithiques.
Author: Patrice Gamand
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 184
Get Book Here
Book Description
Analyse assistée par ordinateur des amplificateurs hyperfréquence distribués en technologie hybride pour étudier leurs possibilités de remplacer les amplificateurs distribués monolithiques. La capacité grille-drain des transistors à effet de champ est apparue avoir un rôle limitatif très important. Technique de compensation permettant d'obtenir une bande passante de 12 GHz avec un gain de 7 db pour trois transistors en régime petit signal. Caractéristiques de bruit. Possibilité d'utilisation en amplification de puissance à large bande de fréquence
Author: Adnan Al Malki
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 190
Get Book Here
Book Description
Méthodes d'extrapolation permettant de déterminer les paramètres S d'un tel transistor entre 18 et 26 GHz. Élaboration d'un banc de mesures vectorielles pour fréquences supérieures à 18 GHz. Conception et réalisation d'un amplificateur à 25 GHz.
Author: Arnaud Verdier
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 354
Get Book Here
Book Description
Author: Eric Bourcier
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
L'amelioration permanente des performances des transistors a effet de champ, en termes de frequence, puissance ou rendement, conduit ces composants a remplacer progressivement les tubes a ondes progressives dans les amplificateurs hyperfrequences de puissance pour applications militaires, aeronautiques et spatiales. De plus, depuis quelques annees, l'extraordinaire explosion des applications grand public integrant des circuits de puissance hyperfrequences (telephone mobile, badges d'identification, systemes d'anti-collision, d'autopeage, et de surveillance de la circulation) a accelere cette evolution. Dans ce contexte, les outils d'aide a l'utilisation des transistors a effet de champ de puissance sont d'un besoin imperieux. C'est a ce besoin que s'adresse le present travail. Sa premiere partie explique le fonctionnement du systeme de mesure de puissance que nous avons developpe selon le principe de la charge active, dans la bande de frequence de 26 a 40 ghz. Ce systeme permet de mesurer de facon automatique des transistors a effet de champ dont le developpement totale de grille peut atteindre un millimetre et utilise un logiciel de pilotage mis au point pour preserver le composant dans les conditions d'impedances dangereuses en terme de courant de grille. De plus les calibrages vectoriels en impedance et en puissance mis en uvre permettent une grande precision de mesure. Enfin le systeme permet des investigations de transistors prevus pour des applications soit en circuit hybride, soit en technologie mmic. Dans la deuxieme partie, une etude est effectuee sur la difference de comportement d'un transistor selon que celui-ci est soumis a une puissance d'entree injectee constante ou a une puissance d'entree absorbee constante. Ensuite l'effet de l'instabilite des transistors sur leur comportement est analyse.
Author: Mohammed Tsouli
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS POUR COMMUNICATIONS SPATIALES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ANALYSE DES BESOINS EN COMPOSANTS POUR LES COMMUNICATIONS SPATIALES. LA COMPARAISON, DES PERFORMANCES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS AVEC CELLES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE SILICIUM ET DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP GAAS EST PRESENTEE. PAR LA SUITE, UN MODELE ELECTRIQUE NON LINEAIRE ET THERMOELECTRIQUE DU TBH EST ETABLI, EN UTILISANT LES METHODES CLASSIQUES DE CARACTERISATION STATIQUE ET DYNAMIQUE. LES PROBLEMES DE STABILISATION DU TBH EN TEMPERATURE ONT ETE TRAITES ET LES VALEURS DES RESISTANCES DE STABILISATION ONT ETE OPTIMISEES, EN UTILISANT UNE ANALYSE TRIDIMENSIONNELLE COMPLETE, COUPLEE AVEC LE MODELE THERMOELECTRIQUE TENANT COMPTE DES PROPRIETES SPECIFIQUES DU TBH. UNE ETUDE DE STABILITE UTILISANT DES CIRCUITS DE CONTRE REACTION SANS PERTES A ETE MENEE. UNE CONTRE REACTION SERIE CAPACITIVE A PERMIS D'OBTENIR UNE STABILITE INCONDITIONNELLE, DANS TOUTE LA BANDE DE FREQUENCE, POUR UN TRANSISTOR DE MOYENNE PUISSANCE MONTE EN BASE COMMUNE. DE MEME, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE CONTRE REACTION PARALLELE UTILISANT UN QUADRIPOLE SANS PERTES, PERMETTANT DE STABILISER UN TRANSISTOR EN EMETTEUR COMMUN, TOUT EN AMELIORANT SON GAIN DANS LA BANDE D'UTILISATION. LA MODELISATION ET LE TRAVAIL D'OPTIMISATION SUR LE COMPOSANT ONT ETE CONCRETISES PAR LA CONCEPTION DE DEUX AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN BANDE C POUR ANTENNE ACTIVE: UN AMPLIFICATEUR HYBRIDE DE MOYENNE PUISSANCE ET UN AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE DE PUISSANCE A TROIS ETAGES. LE TRANSISTOR DE PUISSANCE DE L'AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE COMPORTE 128 DOIGTS D'EMETTEUR AVEC UNE LONGUEUR TOTALE D'EMETTEUR DE 2.56 MM. L'ESPACEMENT ENTRE LES DOIGTS D'EMETTEUR ET LA RESISTANCE DE STABILISATION SUR CHAQUE DOIGT ONT ETE OPTIMISES DANS LE BUT D'UNIFORMISER LA DISTRIBUTION DE LA TEMPERATURE
Author: Alain Mallet
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 253
Get Book Here
Book Description
L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)
Author: North Atlantic Treaty Organization. Advisory Group for Aerospace Research and Development
Publisher:
ISBN: 9789283600046
Category : Aeronautics
Languages : en
Pages :
Get Book Here
Book Description
